Semiconductor Group 1 1997-11-01
Wesentliche Merkmale
●Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren
●Hohe Zuverlässigkeit
●Gute spektrale Anpassung an
Si-Fotoempfänger
●SFH 484: Gehäusegleich mit LD 274
●SFH 485: Gehäusegleich mit SFH 300,
SFH 203
Anwendungen
●IR-Fernsteuerung von Fernseh- und
Rundfunkgeräten, Videorecordern,
Lichtdimmern
●Gerätefernsteuerungen für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
Features
●Fabricated in a liquid phase epitaxy process
●High reliability
●Spectral match with silicon photodetectors
●SFH 484: Same package as LD 274
●SFH 485: Same package as SFH 300,
SFH 203
Applications
●IR remote control of hi-fi and TV-sets, video
tape recorders, dimmers
●Remote control for steady and varying
intensity
GaAIAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm)
GaAIAs Infrared Emitters (880 nm) SFH 484
SFH 485
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
5.9
5.5
0.6
0.4
ø5.1
ø4.8
2.54 mm
spacing
7.8
7.5
9.0
8.2
4.8
4.2
29
27
1.5
0.8
0.5
Area not flat
0.6
0.4
Chip position
GEX06305
Approx. weight 0.5 g
Cathode
5.9
5.5
0.6
0.4
ø5.1
ø4.8
2.54 mm
spacing
7.8
7.5
9.0
8.2
5.7
5.1
29
27
1.8
1.2
0.8
0.5
Area not flat
0.6
0.4
Chip position
GEX06271
Approx. weight 0.5 g
Cathode
fex06305 fex06271