DBI25-04A ... DBI25-16A
DBI25-04A ... DBI25-16A
Three-Phase Si-Bridge-Rectifiers
Dreiphasen-Si-Brückengleichrichter
Version 2013-06-26
Dimensions - Maße [mm]
Nominal current
Nennstrom
40 A (85°C)
25 A (115°C)
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
400...1600 V
Plastic case – Plastikgehäuse 35 x 25 x 4 [mm]
Pinning – Anschlussfolge – ~~~ +
Weight approx. – Gewicht ca. 9 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging in tubes
Standard Lieferform in Stangen
Features Vorteile
Solderable terminals for (automatic) PCB
assembly
Enlarged creepage and clearance for direct
heatsink assembly
UL Recognized Product – File E175067
Lötbare Anschlüsse für (automatisierte)
Leiterplattenmontage
Vergrößerte Luft- und Kriechstrecken für
direkte Kühlkörpermontage
UL anerkanntes Produkt – File Nr. E175067
Maximum ratings and Characteristics Grenz- und Kennwerte
Type
Typ
Max. alternating input voltage
Max. Eingangswechselspg.
VVRMS [V]
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspg.
VRRM [V] 1)
Surge peak reverse volt.
Stoßpitzensperrspannung
VRSM [V] 1)
DBI25-04A 280 400 500
DBI25-08A 560 800 900
DBI25-12A 800 1200 1300
DBI25-16A 1000 1600 1700
Max. current without cooling – Dauergrenzstrom ohne Kühlung TA = 50°C IFAV 4.0 A 2)
Max. current mounted on heatsink
Dauergrenzstrom bei Kühlkörpermontage
(R or C load)
TC = 85°C
TC = 115°C
TC = 130°C
TC = 145°C
IFAV
IFAV
IFAV
IFAV
40 A
25 A
15 A
6 A
Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 74 A 2)
Peak forward surge current 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C IFSM 370/390 A
Rating for fusing, t < 10 ms – Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 680 A2s
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Operating temperature – Betriebstemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
Top
TS
-50...+175°C
150°C
-50...+150°C
1 Valid per diode – Gültig pro Diode
2 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case
Gültig, wenn die Anschlüsse in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
0.5
1.3
16
±0.2
4.0
±0.2
4
-0.3
2.0
16.5
1.0
4x7.5
25
±0.2
35
±0.2
Type
1.5
3.5
4
±0.2
5.5
±0.2
DBI25-04A ... DBI25-16A
Characteristics Kennwerte
Forward voltage – Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 12.5 A VF< 1.05 V 1)
Leakage current – Sperrstrom Tj = 25°C
Tj = 150°C
VR = VRRM IR
IR
< 5 µA 1)
< 1500 µA 1)
Isolation voltage terminals to case – Isolationsspg. Anschlüsse zum Gehäuse VISO > 2500 V
Thermal resist. junction to ambient – Wärmewiderst. Sperrschicht – Umgebung RthA < 50 K/W 1)
Thermal resistance junction to case – Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse RthC < 4.3 K/W 1)
Thermal resistance junction to case – Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse RthC < 0.7 K/W 2)
Admissible mounting torque
Zulässiges Anzugsdrehmoment
M4 9 ± 10% lb.in.
1 ± 10% Nm
1 Valid per diode – Gültig pro Diode
2 Valid per device – Gültig pro Bauteil
2http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
120
100
80
60
40
20
0
[%]
I
FAV
Rated forward current versus case temperature
Zul. Richtstrom in Abh. von der Gehäusetemp.
[°C]
T
C
150100
50
0
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
10
10
10
1
10
3
2
-1
[A]
I
F
0.4 V
F
0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8
T = 25°C
j
T = 125°C
j
350a-(12.5a-1,05v)
Relative transient thermal impedance vs. pulse duration (typical)
Relativer transienter Wärmewiderstand über Impulsdauer (typisch)
100
10
110 10 10 10 1 10
-4 -3 -2 -1
[s] [t ]
p
[%]
Z
R
th
th
