PNP SILICON TRANSISTOR, EPITAXIAL BASE TRANSISTOR PNP SILICIUM, BASE EPITAXIEE Compl. 2N 3442 - LF large signal power amplification Amplification BF grands signaux de puissance - High current fast switching Commutation rapide fort courant - Thermal fatigue inspection Contr6le en fatigue thermique Dissipation and |s/p derating Variation de dissipation et de Is/g *BDX 20 oF Preferred device Dispositif recommand VcEOo -140V Ic -10A Prot 117 W Ring 15 C/W max th(j-c) hoiE (3 A) 20 - 70 T 0,8 MHz min Case TO-3 See outline drawing CB-19 on last pages Boitier Voir dessin cot CB-19 dernires pages 100% Bottom view | Vue de dessous E IN 75 T 2 | NX i Z 50 +++ WA hy oN 25-1 A | | o Weight : 14,4 g. Coliector is connected to case 9 50 100 150 teage(C) Masse Le collecteur est reli au boitier ABSOLUTE RATINGS (LIMITING VALUES) t = 25C (Unless otherwise stated) VALEURS LIMITES ABSOLUES DUTILISATION case (Sauf indications contraires} Collector-base voltage Vv Tension collecteur-base cso -160 Vv Collector-emitter voltage Vv _ Tension collecteur-metteur CEO 140 Vv Coliector-emitter voltage = / Vv _ Tension collecteur-metteur VB E 1,5 CEX 160 Vv Emitter-base voltage Tension metteur-base Veso 7 v Coliector current ( Courant collecteur c 10 A Base current t 7 A Courant base B Power dissipation Dissipation de puissance Prot 117 w Junction temperature t Temprature de jonction max J 200 C Storage temperature min t 65 Temprature de stockage max stg +200 C 74-10 v7 THOMSON - CSF CAVISION SEMICONDUCTEURS: 543 SesweseanyrBDX 20 * STATIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES STATIQUES tease = 25C (Unless otherwise stated} (Sauf indications contraires} Test conditions Conditions de mesure Min. Typ. Max. Collector-base cut-off current Vop =140V 1 Courant rsiduel collecteur-base Ip =0 cBO -1 mA Voce =-140V 1 A Vee =15V ~ m Collector-emitter cut-off current ' Courant rsiduel collecteur-metteur _ cEX Voce =140V Vee = 15V 10 mA tease = 150C Emitter-base cut-off current Veg =7V | Courant rsiduel metteur-base I Cc = EBO -5 mA Collector-emitter breakdown voltage ! = 200 mA * Tension de claquage collecteur-metteur I. = VEO (sus) 140 v Coltector-emitter breakdown voltage | Io =100mA * Tension de claquage collecteur-metteur Vee =+1.5V VEX (sus) ~160 v Voe =4V 20 70 lq =-3A Static forward current transfer ratio * Valeur statique du rapport de transfert hoy E direct du courant Voce =-4V 10 lo =10A lo =3A V lp =-O3A -1 Collector-emitter saturation voltage Vv Tension de saturation collecteur-metteur CEsat Io =-10A lp =72A 5 v Vee =~4V 1,7 v Io =-3A * ' Base-emitter voltage Vv Tension base-metteur BE Vee =-4V CE _ Ie =-10A 57 v * Pulsed t, = 300us 5 <2% impulsions 2/7 544*BDX 20 DYNAMIC CHARACTERISTICS (for small signals) (Unless otherwise stated} = CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES (pour petits signaux) tease = 25C (Sauf indications contraires) Test conditions i Conditions de mesure Min. Typ. Max. r ition 4 Vee =-10V ransition frequency _ Frquence de transition 'o -t A fr 4 MHz ft = 1MHz THERMAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES THERMIQUES Junction-case thermal! resistance Rsistance thermique (jonction-boitier) Rtnti-c) 15 C/W THERMAL FATIGUE INSPECTION Permanent inspection of soldering quality between silicon chip and header provides maximum insurance against thermal fatigue. Pulsed test : 40 000 cycles on: 2 minutes (0 > 48 W) off: Tminute (48> 0W) toase ~ 100C max Atyase = 85C max CONTROLE EN FATIGUE THERMIQUE Le contrle permanent de fa qualit de la soudure entre la pastifle de sificium et /embase contre au transistor un maxi- mum de garantie contre fa fatigue thermique. Contrle cyclique : 3/7 545BDX 20* (A) 50 20 10 05 0,2 0,1 SAFE OPERATING AREA Aire de fonctionnement de scurit toase COntinucus cxmremssmmemnmmn Continu 20 50 190 200 500 Voge (V) 4/7 546*BDX 20 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES COLLECTOR CURRENT VERSUS COLLECTOR. EMITTER VOLTAGE Courant collecteur en fonction de la tension collecteur-metteur 0 2 4 6 8 Vogl) COLLECTOR CURRENT VERSUS COLLECTOR- EMITTER VOLTAGE Courant collecteur en fonction de fa tension coHecteur-metteur c (mA} 180 140 100 60 20 0 50 100 160 Vogt) OUTPUT CAPACITANCE VERSUS COLLECTOR-BASE VOLTAGE Capacit de sortie en fonction de ia tension coflecteur-base 22b (pF) 10' 2 4 8 Vogiv) 10! 10 5/7 547BDX 20* TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES BASE-EMITTER SATURATION VOLTAGE VERSUS COLLECTOR CURRENT Tension de saturation base-metteur en fonction du courant collecteur COLLECTOR-EMITTER SATURATION VOLTAGE VERSUS COLLECTOR CURRENT Tension de saturation collecteur-metteur en fonction du courant collecteur V cEsat Veesat a) (vy | 1,5 1,5 ~~] / 1 1 a 4 PA 22 C a YW Ycase va 0,5 05 ae | | Lent tas? 0 0 | I 2 468 2 468 2 46 2 468 2 4 68 2 46 102 101 10 Igta) 1072 io? 10 Ic(Al STATIC FORWARD CURRENT TRANSFER RATIO VERSUS COLLECTOR CURRENT Valeur statique du rapport de transfert direct du courant en fonction du courant collecteur h 21E | a Ty cE 150 [| Lt 100 NS 7 SS | Se a1 . g ZA NS y 50 a \ Sy 0 102 2 4 8 fqt 2 4 * 490 2 46 Wgf a 6/7 548*BDX 20 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES BASE CURRENT VERSUS BASE-EMITTER VOLTAGE Courant base en fonction de ia tension base- metteur BE (v) 0,5 0 0,5 1 1 92 468 ,2 4 68 2 68 5 2 VBE on!V! 102 10"! 10 Ita) TRANSIENT THERMAL RESISTANCE DERATING FACTOR UNDER PULSES CONDITIONS Facteur de rduction de fa rsistance thermique en _rgime dimpulsions K & 4 2 107 8 6 a 2 10? 10 W 540