DIODES DE REDRESSEMENT A AVALANCHE CONTROLEE VRWM Vv = RA PRSM lFsm v I TYPES VRAM @ p= 100 pA F 6 Boitier = (v) 10 js IL 1o leRM 10ms |@ip=to Vr VR (v) min max (kW) (A) (A) (A) (Vv) (mA) t = 75 1 eC tamb = 1A / amb=75C t(yj) = 150C oorc: waxy | PL 4 Hz 400 450 750 5 1 10 50 11 0,05 F 126 waxy] =PL6HZ 600 720 1000 3 1 10 50 1,1 0,05 plastique waxy] =PLBHZ 800 950 1400 2 1 10 50 1,1 0,05 tastic ancy PL 10 HZ 1000 1200 1700 1 1 10 50 1,1 0,05 P _ 1. 4 t = 2A / tamb=25C tiyj) = 175C ee iN 3938 200 240 500 7 2 65 70 1,1 0,50 1N 3939 400 480 750 6 2 65 70 11 0,50 Do 13 1N 3940 600 720 1000 4 2 6,5 70 1,1 0,50 mtal 1N 3941 800 960 1200 3 2 65 70 11 0,50 . 1N 3942 1000 1160 1400 1,5 2 6,5 70 1,1 0,50 a 2 t = 2A / tamb = 25C t(vj) =175C 1 BB F42zZ 400 450 750 6 2 65 70 1,2 1 F62Z 600 720 1000 4 2 65 70 1,2 1 DO 13 F822 800 950 1400 3 2 65 70 1,2 1 mtal. maxy| F.102z 1000 1200 1700 1,5 2 6,5 70 1,2 1 = oO en t, = 3A / tamb=50C = t(yj) = 150C ae maxy} = PF4HzZ 400 450 750 10 3 100 11 0,02 D0 27 muxy}] PFGEHZ 600 720 1000 6 3 20 100 1,1 0,02 lastique wuxy| PF8HZ 800 950 1400 4 3 20 100 1,1 0,02 plastiqu wry] PF 10HZ 1000 1200 1700 2 3 100 iW , plastic 3A / tamb=80C tiyj) = 150C lem= 10 tefpb0~ BYW 18- 400 400 450 750 10 3 10 240 1,2 1 AG BYW 18- 600 600 720 1000 6 3 10 240 1,2 1 lastique BYW 18- 800 800 950 1400 4 3 10 240 1,2 1 iastic mbx7| = BYW 18-1000 1000 1200 1700 2 3 10 240 1,2 1 p 5A / tease=125C tiyjjy= 150C 1?t=50 A?s Vem@ | tease = case (vj) IpM=15 A| 125C G65 HZ, (R) 600 720 1000 12 5 20 100 1,2 3 G85 HZ, (R) 800 950 1400 8 5 20 100 1,2 3 DO 4 mix] G105H7Z, (R) 1000 1200 1700 4 5 20 100 1,2 3 - O 1. o 24 2 _ = 12A / tease = 125C t(yj) = 150C I?t = 260 As lpm = 35 A| {SRS G/P4 Hz, (R) 400 450 750 30 12 35 230 1,2 3 G/P6 HZ, (R) ou FR 75 600 720 1000 18 12 35 230 1,2 3 DO 4 (G) G/P8 HZ, (R) ou FR 76 800 950 1400 12 12 35 230 1,2 3 $95 a (P) waxy] (G/P10 Hz, (R) 1000 1200 1700 6 12 35 230 1,2 3 _ oO, l= _ 2 = t = 20A / tease=125C t(yj)= 150C = I? t = 1000 As IFM = 70 A | Sage RP 4 HZ, (R) 400 450 750 54 20 90 450 1,5 5 RP 6 HZ, (R) 600 720 1000 32 20 90 450 15 5 DO 5 RP 8 HZ, (R) 800 950 1400 22 20 90 450 1,5 5 (RP) wus} = RP 10 HZ, (R) 1000 1200 1700 1 20 90 450 1,5 5 oO = 20A / tease =125C tiyj)= 150C = I?t = 1000 As em =70A| S8Bo R4 HZ, (R) 400 450 750 54 20 90 450 1,5 5 RG HZ, (R) ou FR 78 600 720 1000 32 20 90 450 1,5 5 DO 6 R8 HZ, (R) ou FR 79 800 950 1400 22 20 90 450 1,5 5 waxy| R10HZ, (R) 1000 1200 1700 1 20 90 450 1,5 5 n de type : cathode au boitier type number : cathode to case n de type +suffixe R : anode au boitier. type number + suffix R : anode to case.