KLE-3021-000 1
SHE155BG-(B)
Hi
g
h Efficienc
y
LED Lamp
Features
• Blue colored diffusion lens type
• Ellipse type(X=5.2mm, Y=3.8mm)
• Ultra luminosity
• Flangeless package
• High power LEDs
• Oval shape
• Lens Color : Blue(Diffusion Type)
• Half Angle(2 θ½) : 110˚ / 40˚)
Application
• Full color displays
• Message boards
• Variable message signs(VMS)
Outline Dimensions unit : mm
S
Se
em
mi
ic
co
on
nd
du
uc
ct
to
or
r
PIN Connections
1.Anode
2.Cathode
7.0±0.2
22.0 Min.
3.8±0.2
1.0 Min.
2.54 Nom
3.8±0.5
5.2±0.2
0.5
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SHE155BG-
(
B
)
Absolute maximum ratings
Characteristic Symbol Ratings Unit
Power Dissipation PD 120 mW
Forward Current IF 40 mA
*1Peak Forward Current IFP 50 mA
Reverse Voltage VR 4 V
Operating Temperature Topr -30∼85 ℃
Storage Temperature Tstg -30∼100 ℃
*2Soldering Temperature Tsol 260℃ for 5 seconds
*1.Duty ratio = 1/16, Pulse width = 0.1ms
※ Recommend document
-. LED is very sensitive to ESD.
*2.Keep the distance more than 2.0mm from PCB to the bottom of LED package
Electrical Characteristics
Characteristic Symbol Test Condition Min. Typ. Max. Unit
Forward Voltage VF I
F= 20mA - 3.2 - V
*4Luminous Intensity IV IF= 20mA 155 350 780 mcd
Peak Wavelength λP IF= 20mA 467 470 477 nm
Spectrum Bandwidth Δλ IF= 20mA - 35 - nm
Reverse Current IR VR=4V - - 10 uA
X - ±55 -
*3Half Angle θ1/2 Y IF= 20mA - ±20 - deg
*3. θ1/2 is the off-axis angle where the luminous intensity is 1/2 the peak intensity
*4. Luminous Intensity Maximum tolerance for each Grade Classification limit is ±18%
*4. Luminous Intensity classification
MNOP
155~230 230~350 350~520 520~780
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(
B
)
Characteristic Diagrams
Fig.4 Spectrum Distribution
Fig. 3 IF – Ta
Fig. 1 IF - VF
Forward Current IF [mA]
Ambient Temperature Ta [℃]
Relative Intensity [%]
Wavelength λ [nm]
Forward Voltage VF [V]
Forward Current IF [mA]
Forward Current IF [mA]
Luminous Intensity Iv [mcd]
Relative Luminous Intensity Iv [%]
Fig. 5-1 Radiation Diagram(X) Fig. 5-2 Radiation Diagram(Y)
Relative Luminous Intensity Iv [%]
Fig. 2 IV - IF
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■ 정전기 관련에 따른 제품 사용상 주의 사항
1. ESD(Electro Static Discharge) 주의 : Chip 재질은 Al2o3 (Sapphire: 절연체) 재질로
되어 있어 정전기에 취약한 재질이며 Chip이 정전기에 의해 Damage가 가해지면
제 특성을 발휘하지 못하며 또한 VF값이 현저히 Down 되면서 무 점등 현상 발생
2. ESD 발생 원리 및 대치 방법
2-1. ESD (Electro Static Discharge) 발생 원리 : 물질 구조의 분자설에 의하면 모든
물체는(+)로 대전 된 원자핵과 그 주위를 도는 (-)로 대전 된 전자로 구성되어
중성의 상태를 유지하게 되지만 외부의 조건( 마찰, 압력, 온도, 습도 등)에
의하여 중성 상태의 물질이(-)전하를 잃어 버리게 되면 (+)전하로 대전 되고
(+)양자를 잃게 되면 (-)로 대전하게 됨.
※ 대전의 원인 : 접촉, 박리, 마찰, 충돌, 변형, 이온흡착 등
※ 대전의 크기 결정 요인 : 접촉 면적, 압력, 마찰 빈도, 속도, 온도차등
※ 대전의 극성 결정 요인 : 물질의 종류, 표면 상태. 이력 등
2-2. 대전 방지 및 제거 방법
① 가습
-. 가습에 의한 공기의 상대 습도를 높이면 물체 표면의 흡수량을 증가 시켜
표면 저항율을 저하시킴으로 물체는 대전성이 떨어진다.
상대 습도는 80%가 적당하다.
※ 습도에 따른 대전전위의 변화
② 대전 방지제 사용
-. 대전 방지제는 절연물의 표면에 도포하거나 혼입하여 표면에 흡수성을 증가
시킴으로 표면 저항을 저하시켜 대전을 방지하는 방법으로 제품에의 영향을 고려
③ 대전 방지용품 착용
-. 인체를 접지 시켜 주거나 대전을 방지 시켜 주는 제품 :
Wrist Strap (손목 띠), Heel Grounder, 대전 방지복, 제전화, 제전 장갑, 제전모 등
-. Conveyer 또는 통로의 바닥이나 Table 등에 설치하여 대전을 안전하게 접지 시키는
제품 : Conductive Floor Mat
※ 현 제품 취급 시 주의 사항을 인지하시고 ESD에 주의하여 작업을 하시면 정전기로 인한
불량 발생율을 감소 시킬 수 있습니다.
대전물 상대습도 (10%~20%) 상대습도(65%~90%)
Table 작업을 행하는 경우 6[KV] 0.1[KV]
비닐 포장 자재 7[KV] 0.6[KV]
폴리백을 작업대에서 손으로 드는 경우 20[KV] 1.2[KV]
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SHE155BG-
(
B
)
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communication equipment, measuring equipment, domestic electrification, etc.).
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ents which require high quality and/or reliability, and in equipments which could have
major impact to the welfare of human life(atomic energy control, airplane, spaceship, traffic
signal, combustion central, all types of safety device, etc.).
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