NPN SILICON TRANSISTOR TRANSISTOR NPN SILICIUM Compl. of BCY 78 and BCY 79 *BCY 58 BCY 59 - For switching and amplifier - Pour commutation et amplification Maximum power dissipation 2K Preferred device Dispositif recommand VcEO 32V BCY 58 4sv BCY 59 200 mA Case TO-18 See outline drawing CB-6 on last pages Dissipation de puissance maximale Boitier Voir dessin cot CB-6 dernires pages Prot (Ww) . Bottom view 0,75 N Vue de dessous 2 0,50 c Ce PL) \ B O28 _ a 0 (1) Taryy le Weight : 0,32 g. Collector is connected to case 50 100 = 150 (2) TggelC) Masse Le collecteur est reli au boftier ABSOLUTE RATINGS (LIMITING VALUES) T. b= +25 C (Unless otherwise stated) VALEURS LIMITES ABSOLUES DUTILISATION am (Sauf indications contraires} BCY 58 | BCY 58 Collector-base voltage Vv Tension collecteur-base CES 32 45 v Coltector-emitter voltage Vv Tension collecteur-metteur CEO 32 45 Vv Emitter-base voltage Tension metteur-base Veso 7 Vv Collector current \ 200 mA Courant collecteur c Base current I Courant base B 50 mA Power dissipation P. Dissipation de puissance tot 390 mW Junction temperature Tempreture de jonction max yj 200 C Storage temperature min T 65 C Temprature de stockage max stg +200 c GL cnconce 76-09 1/7 DRASION SEMICONOUCTEURS. 451 SesesemBCY 58, BCY 59 (Unless otherwise stated) STATIC CHARACTERISTICS T =25C CARACTERISTIQUES STATIQUES amb {(Sauf indications contraires} Test conditions i Conditions de mesure Min. Typ. Max. Voge = 32V Ven =0 BCY 58 0,2. 10 nA BE Voge =45V cE = BCY 59 0,2 10 nA Vee =9 Veg =32V VBE = BCY 58 10 BA Tambo 150C Collector-emitter cut-off current Vac =45V \ Courant rsiduel collecteur-metteur CE CES Vee = BCY 59 10 uA Tamb= 150C Veg =32V Vee =9.2V BCY 58 20 uA Tamb= 100C | Voge =45V Vee =0.2V BCY 59 20 BA Tamb =100C . I = Emitter-base cut-off current c ! Courant rsiduel metteur-base Veg =5V EBO 10 na Collector-emitter breakdown voltage Ig =2mA ViBR)CEO BCY 58 | 32 Vv Tension de claquage collecteur-metteur ip = BCY 59 | 45 Emitter-base breakdown voltage I =0 Vv ) Tension de claquage metteur-base le =1uA (BR)EBO 7 v \ =10uA vill 20 145 ce hate ix | 40 220 Voe =5V x 100 300 vu 120 170 220 Io =2mA h vill 180 250 310 Vog =5V 21E cE IX 250 350 460 Static forward. current transfer ratio x 380 500 630 Valeur statique du rapport d transfert direct du courant Vil 80 190 Io =10mA h vul 120 260 400 Veep =lVv 21E cE IX 160 380 630 x 240 550 1000 vil 40 Io =100mA h Vill | 46 Voge =1V 21E IX 60 x 60 . 4 =2mA Base-emitter voltage c Vv, Tension base-metteur Vee =5V BE 0,55 0,62 0,7 v 2/7 452BCY 58, BCY 59 STATIC CHARACTERISTICS (Following) T = 26C (Unless otherwise stated) CARACTERISTIQUES STATIQUES {Suite} amb ~ (Saut indications contraires) Test conditions ; Conditions de mesure Min. Typ. Max. { =10mA er ee BCY 68 | 0,05 0,12 0,35 v Collector-emitter saturation voltage B ' VcEsat Tension de saturation collecteur-6metteur { c= 100 mA lg =25mA BCY 59} 0,15 0,3 0,7 v \c =10mA \ =025 mA BCY 58 | 0,6 0,7 0,85 v Base-emitter saturation voltage B " VeeEsat Tension de saturation base-6metteur lo = 100 mA 1,2 ls =25mA BCY 59 | 0,75 0,9 1, v DYNAMIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES vil 125 200 250 | =2mA Forward current transfer ratio =$V hoy vill 175 260 350 Rapport de transfert direct du courant j CE TkH e Ix 250 330 500 = 2 x 350 520 700 \ amA Vu 16 2,7 45 . c =2m Input impedance = h Vill 25 36 6 impdance d'entre vee a Ve IX 32 45 85 ko = z ' * E x 45 7,5 12 Vil Output admi ic = 2mA vill 2a =o utput admittance _ h Admittance de sortie vce _ ve 22e Ix 30 60 us x 50 100 Transition f lo =10mA ransition frequency = Frquence de transition Voce =5V a 125 250 MHz f = 100 MHz Collector-base capacitance Veag 10V / Capacit collecteur-basa f CBO 1 MHz Ccpo - 35 6 pF Emitter-base capacitance Vepona.5 V c . Capacit mettaur-base f = 1MHz EBO 8 15 pF l =0.2mA Veg =5V Noise Figure ; Ry =2kQ EF 2 6 dB acteur ruit f = 1 kHz Af =200Hz * Pulsed t, =200us 6& 1% impuisions Pp 3/7 453BCY 58, BCY 59 SWITCHING TIMES TEST CIRCUIT SCHEMA DE MESURE DES TEMPS DE COMMUTATION Turn-on time le __ tomA ton 85 150 ns Temps total dtablissement Ig1*~IpaT mA tort 480 800 ns -CRK n 1 Turn-off ti lc =100mA t 55 150 ns urn- ime . Ip4%In5%10 MA on Te total de B1 B2 t 450 800 ns emps totai coupure CRK n 2 off CRK n 1 R1=5kQ, R2=5kQ, R, = 990 Q, Vpp =3.6V CRK n 2 R1 = 500 kQ, R2 = 700 kQ, Ry = 98 2, -Veg =5V > Tus 2 Oscilloscope Oscilloscope e- Z > 100k2 t, < 15ns Rise time of input voltage 5 ns, pulse duty factor < 1%, generator impedance 50 2. Temps de croissance de /a tension dentre, facteur de forme de Iimpulsion <1 %, gnrateur dimpdance 50 0. 4/7 454BCY 58, BCY 59 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES (mA) 160 120 80 40 0 04 O8 12 16 Vogivi 0 4 8 12 Vel) 0 10 20 30 40 Vogl) 5/7 455BCY 58, BCY 59 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES lp Ip {mA) Vog =5V (mA) Vog = SV Tamb= 25C Tamb= 25C 10 / 100 8 / 80 6 60 4 J 40 2 7 20 0 0 0,4 0,6 0,8 Veetv) 0,4 0,6 08 Veet) Vv, (mv)} | B 200 150 100 50 1 2 468.2 468, 2 68 42 468 2 468, 68 10 10 10 Igima) 10 10 10 Igima) 7 456BCY 58, BCY 59 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES {MHz) Vee =5V f = 100 MHz 400 Tamb= 25C 2 468 2 468 2 468 107 10 10! Iglmal 10 =0 = 10,7 MHz = 26C 0 4 8 12 16 VopolV) qT 457