FD400R33KF1 - Infineon Technologies

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FD 400 R 33 KF1

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage tvj = 25°CVCES 3300 V

Kollektor-DauergleichstromDC-collector current IC400 A

Period. Kollektor Spitzenstromrepetitive peak collector current tp=1 msICRM800 A

Gesamt-Verlustleistung total power dissipation tC=25°C, Transistor / transistorPtot4400 W

Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage VGE +/- 20 V

DauergleichstromDC forward current IF400 A

Periodischer Spitzenstromrepetitive peak forw. current tp=1msIFRM800 A

Isolations-Prüfspannung insulating test voltage RMS, f=50 Hz, t= 1 min.VISOL5kV

Charakteristische Werte / Characteristic values: Transistormin. typ.max.

Koll.-Emitter Gleichsperrspannung coll.-emitter direct off-state voltage vGE= -15V, tc = -40°C...+125°CVCE(D)-2100 -V

Koll.-Emitter Sättigungsspannung coll.-emitter saturation voltage iC = 400 A, vGE = 15V, tvj = 25°CvCE sat-3,2 4,2V

iC = 400 A, vGE = 15V, tvj = 125°C-4,0-V

Gate-Schwellenspannung gate threshold voltage iC = 400 A, vCE = vGE, tvj= 25°CvGE(th)4,5 5,5 6,5V

Eingangskapazitätinput capacityfO=1MHz,tvj=25°C Cies-40 -nF

vCE =25V, vGE 0 =V

Kollektor-Emitter Reststromcollector-emitter cut-off currentvCE=3300V,vGE=0V,tvj=25°CiCES -2-mA

vCE=3300V,vGE=0V,tvj=125°C-25 -mA

Gate-Emitter Reststromgate leakage currentvCE=0V, vGE=20V, tvj=25°CiGES -40 400 nA

Emitter-Gate Reststromgate leakage currentvCE=0V, vGE=20V, tvj=25°CiEGS-40 400 nA

Einschaltzeit (induktive Last)turn-on time (inductive load)iC=400A,vCE=1800V,vL= ±15Vton

CGE=120nF, RG=5,6Ω, tvj=25°C-1,2-µs

CGE=120nF, RG=5,6Ω, tvj=125°C-1,2-µs

Speicherzeit (induktive Laststorage time (inductive load)iC=400A,vCE=1800V,vL= ± 15Vts

CGE=120nF, RG=10Ω, tvj=25°C-3,0-µs

CGE=120nF, RG=10Ω, tvj=125°C-3,4-µs

Fallzeit (induktive Last)fall time (inductive load)iC=400A,vCE=1800V,vL= ± 15Vtf

CGE=120nF, RG=10Ω, tvj=25°C-0,2-µs

CGE=120nF, RG=10Ω, tvj=125°C-0,2-µs

Charakteristische Werte / Characteristic values: Transistor

Einschaltverlustleistung pro Pulsturn-on energy loss per pulseiC=400A, vCE= 1800V, vL= ±15V Eon

CGE=120nF, RG=5,6Ω, tvj=125°C-1,1-Ws

Abschaltverlustenergie pro Pulsturn-off energy loss per pulseiC=400A, vCE= 1800V, vL= ±15V Eoff

CGE=120nF, RG=10Ω, tvj=125°C-0,7-Ws

Inversediode / Inverse diode min. typ.max.

Durchlaßspannung forward voltage iF=400A, vGE=0 V, tvj = 25°CvF-2,7 3,5V

iF=400A, vGE=0 V, tvj = 125°C-2,8-V

Rückstromspitze peak reverse recovery currentiF=400A, -diF/dt = 1500 A/µsIRM

vRM=1800V,vEG=10V,tvj=25°C-340 -A

vRM=1800V,vEG=10V,tvj=125°C-400 -A

Sperrverzögerungsladung recovered charge iF=400A, -diF/dt = 1500 A/µsQr

vRM=1800V,vEG=10V,tvj=25°C-300 -µAs

vRM=1800V,vEG=10V,tvj=125°C-350 -µAs

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand thermal resist., junction to caseTransistor / transistor, DC RthJC0,028 °C/W

Diode/diode, DC per module 0,027 °C/W

Diode/diode, DC per arm0,054 °C/W

Übergangs-Wärmewiderstand thermal resist., case to heatsinkpro Modul / per ModuleRthCK0,008 °C/W

pro Zweig / per arm0,016 °C/W

Höchstzul. Sperrschichttemp.max. junction temperaturetvj max150 °C

Betriebstemperaturoperating temperaturetc op -40...+12

°C

Lagertemperaturstorage temperaturetstg-40...+12

°C

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

GehäusecaseSeite 1

Innere Isolation internal insulation ALN

Anzugsdrehm. f. mech. Befest. mounting torque terminals M6/tolerance ± 10%M1 5 Nm

Anzugsdrehm. f. elektr. Anschl. terminal connection torque terminals M4/tolerance +5/-10%M2 2 Nm

terminals M8 8...10 Nm

GewichtweightG1500 g

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit dem

zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in

combination with the belonging technical notes.

Bedingungen für den Kurzschlußschutz / Conditions for short-circuit protection Unabhängig davon gilt bei abweichenden Bedingungen

tfg = 10 µsVCC = 2100 Vwith regard to other conditions

vL = ± 15 VvCEM

= 2750 VvCEM

= VCES - 20 nH x dic/dt

RGR = 10 Ω; CGE = 120 nFiCMK1≈ 2600 A

tvj = 125 °CiCMK2≈ 2000 A