Technische Information / Technical Information
Dioden-Module
Diode-Modules DD 600 S 65 K1
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
Tvj=125°C
Tvj=25°C
Tvj=-40°C
VCES
6500
6300
5800
V
Dauergleichstrom
DC forward current IF 600 A
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current tP = 1 ms IFRM 1200 A
Grenzlastintegral der Diode
I2t - value, Diode VR = 0V, tp = 10ms, TVj = 125°C I2t 165 k A2s
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL 10,2 kV
Teilentladungs Aussetzspannung
partial discharge extinction voltage RMS, f = 50 Hz, QPD typ. 10pC (acc. To IEC 1287) VISOL 5,1 kV
Charakteristische Werte / Characteristic values
min. typ. max.
Durchlaßspannung IF = 600A, Tvj = 25°C VF 3,0 3,8 4,6 V
forward voltage IF = 600A, Tvj = 125°C 3,9 4,7 V
Sperrstrom VR = 6300V, Tvj = 25°C IR - 0,2 - mA
reverse current VR = 6500V, Tvj = 125°C - 20 - mA
Rückstromspitze IF = 600A, - diF/dt = 2000A/µs
peak reverse recovery current VR = 3600V, Tvj = 25°C IRM - 800 - A
VR = 3600V, Tvj = 125°C - 1000 - A
Sperrverzögerungsladung IF = 600A, - diF/dt = 2000A/µs
recovered charge VR = 3600V, Tvj = 25°C Qr - 550 - µC
VR = 3600V, Tvj = 125°C - 1050 - µC
Abschaltenergie pro Puls IF = 600A, - diF/dt = 2000A/µs
reverse recovery energy VR = 3600V, Tvj = 25°C Erec - 660 - mJ
VR = 3600V, Tvj = 125°C - 1600 - mJ
Modulinduktivität
stray inductance module pro Zweig / per arm LsCE - 25 - nH
Modulleitungswiderstand, Anschlüsse - Chip
module lead resistance, terminals - chip pro Zweig / per arm RCC´+EE´ - 0,37 - mΩ
prepared by: Dr. Oliver Schilling date of publication: 2002-07-05
approved by: Dr. Schütze 2002-07-05 revision/Status: Series 1
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Technische Information / Technical Information
Dioden-Module
Diode-Modules DD 600 S 65 K1
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
min. typ. max.
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Diode/Diode, DC RthJC - - 0,021 K/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per Module
λPaste ≤ 1 W/m*K / λgrease ≤ 1 W/m*K RthCK - 0,008 - K/W
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature Tvj, max - - 150 °C
Betriebstemperatur Sperrschicht
junction operation temperature
Schaltvorgänge Diode(SOA)
switching operation Diode(SOA) Tvj,op -40 - 125 °C
Lagertemperatur
storage temperature Tstg -40 - 125 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Innere Isolation
internal insulation AlN
Kriechstrecke
creepage distance 56 mm
Luftstrecke
clearance 26 mm
CTI
comperative tracking index >600
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung Schraube /screw M6 M 5 Nm
mounting torque
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse
terminal connection torque Anschlüsse / terminals M8 M 8 - 10 Nm
Gewicht
weight G 1000 g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert.
Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is
valid in combination with the belonging technical notes.
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Dioden-Module
Diode-Modules DD 600 S 65 K1
I
F[A]
VF [V]
I
R[A]
VR [V] (at auxiliary terminals)
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
1100
1200
1300
0,0 1,0 2,0 3,0 4,0 5,0 6,0 7,0
25°C
125°C
Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) I
F = f (VF)
Forward characteristic of inverse diode (typical)
0
200
400
600
800
1000
1200
0 1000 2000 3000 4000 5000 6000
Sicherer Arbeitsbereich Diode (SOA)
safe operation area Diode (SOA) Pmax = 1800kW ; Tvj= 125°C
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Dioden-Module
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t [s]
i 1 2 3 4
ri [K/kW] : Diode 9,45 5,25 1,26 5,04
τi [s] : Diode 0,030 0,10 0,30 1,0
Z
thJC [K / W]
0,001
0,01
0,1
0,001 0,01 0,1 1 10 100
Zth:Diode
Transienter Wärmewiderstand ZthJC = f (t)
Transient thermal impedance
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Dioden-Module
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Äußere Abmessungen /
extenal dimensions
Anschlüsse / Terminals 1 --
2 --
3 --
4,6 Anode / anode
5,7 Kathode / cathode
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