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テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
FS75R12KE3G
IGBT-モジュール
IGBT-modules
preparedby:MM
approvedby:RS
dateofpublication:2013-10-02
revision:3.1
IGBT- インバータ/IGBT,Inverter
最大定格/MaximumRatedValues
コレクタ・エミッタ間電圧
Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES 1200 V
連続DCコレクタ電流
ContinuousDCcollectorcurrent TC = 80°C, Tvj max = 150°C
TC = 25°C, Tvj max = 150°C
IC nom
IC75
100 A
A
繰り返しピークコレクタ電流
Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 150 A
トータル損失
Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 150 Ptot 355 W
ゲート・エミッタ間ピーク電圧
Gate-emitterpeakvoltage VGES +/-20 V
電気的特性/CharacteristicValues min. typ. max.
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Collector-emittersaturationvoltage IC = 75 A, VGE = 15 V
IC = 75 A, VGE = 15 V VCE sat
1,70
2,00
2,15
V
V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
ゲート・エミッタ間しきい値電圧
Gatethresholdvoltage IC = 3,00 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 5,0 5,8 6,5 V
ゲート電荷量
Gatecharge VGE = -15 V ... +15 V QG0,70 µC
内蔵ゲート抵抗
Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 10 Ω
入力容量
Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 5,30 nF
帰還容量
Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,20 nF
コレクタ・エミッタ間遮断電流
Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 5,0 mA
ゲート・エミッタ間漏れ電流
Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 400 nA
ターンオン遅れ時間（誘導負荷）
Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 75 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGon = 4,7 Ω
td on
0,26
0,29
µs
µs
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
ターンオン上昇時間（誘導負荷）
Risetime,inductiveload IC = 75 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGon = 4,7 Ω
tr
0,03
0,05
µs
µs
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
ターンオフ遅れ時間（誘導負荷）
Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 75 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGoff = 4,7 Ω
td off
0,42
0,52
µs
µs
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
ターンオフ下降時間（誘導負荷）
Falltime,inductiveload IC = 75 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGoff = 4,7 Ω
tf
0,07
0,09
µs
µs
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
ターンオンスイッチング損失
Turn-onenergylossperpulse IC = 75 A, VCE = 600 V, LS = 70 nH
VGE = ±15 V
RGon = 4,7 ΩEon
7,00
mJ
mJ
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
ターンオフスイッチング損失
Turn-offenergylossperpulse IC = 75 A, VCE = 600 V, LS = 70 nH
VGE = ±15 V
RGoff = 4,7 ΩEoff
9,50
mJ
mJ
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
短絡電流
SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 900 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC
300
A
Tvj = 125°C
tP ≤ 10 µs,
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase IGBT部（１素子当り）/perIGBT RthJC 0,35 K/W
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 125 °C
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Diode、インバータ/Diode,Inverter
最大定格/MaximumRatedValues
ピーク繰返し逆電圧
Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM 1200 V
連続DC電流
ContinuousDCforwardcurrent IF75 A
ピーク繰返し順電流
Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms IFRM 150 A
電流二乗時間積
I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C I²t 1200 A²s
電気的特性/CharacteristicValues min. typ. max.
順電圧
Forwardvoltage IF = 75 A, VGE = 0 V
IF = 75 A, VGE = 0 V VF
1,65
1,65
2,15
V
V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
ピーク逆回復電流
Peakreverserecoverycurrent IF = 75 A, - diF/dt = 2000 A/µs (Tvj=125°C)
VR = 600 V
VGE = -15 V
IRM
90,0
100
A
A
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
逆回復電荷量
Recoveredcharge IF = 75 A, - diF/dt = 2000 A/µs (Tvj=125°C)
VR = 600 V
VGE = -15 V
Qr
7,00
14,0
µC
µC
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
逆回復損失
Reverserecoveryenergy IF = 75 A, - diF/dt = 2000 A/µs (Tvj=125°C)
VR = 600 V
VGE = -15 V
Erec
3,00
6,00
mJ
mJ
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase /Diode（１素子当り）/perdiode RthJC 0,58 K/W
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 125 °C
NTC-サーミスタ/NTC-Thermistor
電気的特性/CharacteristicValues min. typ. max.
定格抵抗値
Ratedresistance TC = 25°C R25 5,00 kΩ
R100の偏差
DeviationofR100 TC = 100°C, R100 = 493 Ω ∆R/R -5 5 %
損失
Powerdissipation TC = 25°C P25 20,0 mW
B-定数
B-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K
B-定数
B-value R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 t.b.d. K
B-定数
B-value R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 t.b.d. K
適切なアプリケーションノートによる仕様
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
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モジュール/Module
絶縁耐圧
Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min VISOL 2,5 kV
内部絶縁
Internalisolation 基礎絶縁(クラス1,IEC61140)
basicinsulation(class1,IEC61140) AI203
沿面距離
Creepagedistance 連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink
連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal 10,0
mm
空間距離
Clearance 連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink
連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal 7,5
mm
相対トラッキング指数
Comperativetrackingindex CTI > 225
min. typ. max.
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink /モジュール/permodule
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,009 K/W
内部インダクタンス
Strayinductancemodule LsCE 21 nH
パワーターミナル・チップ間抵抗
Moduleleadresistance,terminals-chip TC=25°C,/スイッチ/perswitch RCC'+EE' 1,80 mΩ
保存温度
Storagetemperature Tstg -40 125 °C
取り付けネジ締め付けトルク
Mountingtorqueformodulmounting 取り付けネジM5
適切なアプリケーションノートによるマウンティング
ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 3,00 - 6,00 Nm
質量
Weight G300 g
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出力特性IGBT- インバータ(Typical)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
VCE [V]
IC [A]
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5
0
15
30
45
60
75
90
105
120
135
150
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
出力特性IGBT- インバータ(Typical)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=125°C
VCE [V]
IC [A]
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
0
15
30
45
60
75
90
105
120
135
150
VGE = 19V
VGE = 17V
VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V
伝達特性IGBT- インバータ(Typical)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
VGE [V]
IC [A]
5 6 7 8 9 10 11 12
0
15
30
45
60
75
90
105
120
135
150
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
スイッチング損失IGBT- インバータ(Typical)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=4.7Ω,RGoff=4.7Ω,VCE=600V
IC [A]
E [mJ]
0 25 50 75 100 125 150
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
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スイッチング損失IGBT- インバータ(Typical)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=±15V,IC=75A,VCE=600V
RG [Ω]
E [mJ]
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
過渡熱インピーダンスIGBT- インバータ
transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
ZthJC=f(t)
t [s]
ZthJC [K/W]
0,001 0,01 0,1 1 10
0,01
0,1
1
ZthJC : IGBT
i:
ri[K/W]:
τi[s]:
1
0,00663
0,0000119
2
0,0202
0,002364
3
0,17619
0,02601
4
0,14698
0,06499
逆バイアス安全動作領域IGBT- インバータ（RBSOA）)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=4.7Ω,Tvj=125°C
VCE [V]
IC [A]
0 200 400 600 800 1000 1200 1400
0
25
50
75
100
125
150
175
IC, Modul
IC, Chip
順電圧特性Diode、インバータ（typical)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
IF=f(VF)
VF [V]
IF [A]
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4
0
15
30
45
60
75
90
105
120
135
150
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
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スイッチング損失Diode、インバータ(Typical)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(IF)
RGon=4.7Ω,VCE=600V
IF [A]
E [mJ]
0 25 50 75 100 125 150
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
Erec, Tvj = 125°C
スイッチング損失Diode、インバータ(Typical)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(RG)
IF=75A,VCE=600V
RG [Ω]
E [mJ]
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45
0
1
2
3
4
5
6
7
8
Erec, Tvj = 125°C
過渡熱インピーダンスDiode、インバータ
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
ZthJC=f(t)
t [s]
ZthJC [K/W]
0,001 0,01 0,1 1 10
0,01
0,1
1
ZthJC : Diode
i:
ri[K/W]:
τi[s]:
1
0,01097
0,0000119
2
0,03294
0,002364
3
0,29244
0,02601
4
0,24365
0,06499
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回路図/circuit_diagram_headline
J
パッケージ概要/packageoutlines
In fineon
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この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。
この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。
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ー リスク 及び 品質の評価
ー 品質契約
ー アプリケーションの共同評価
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note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend
-toperformjointRiskandQualityAssessments;
-theconclusionofQualityAgreements;
-toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon
therealizationofanysuchmeasures.
Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers.
Changesofthisproductdatasheetarereserved.
