ZMY1, ZMY3.0G ... ZMY9.1G, ZMY10 ... ZMY200 ZMY1, ZMY3.0G ... ZMY9.1G, ZMY10 ... ZMY200 Ptot = 1 W, 1.3W VZ = 1 V ... 200 V Tjmax = 150C, 175C SMD Zener Diodes SMD Zener-Dioden Version 2016-07-04 ~ DO-213AB Glass MELF (planar) ~ DO-213AB Plastic MELF (non-planar) 0.4 0.1 2.5 +_ 0.2 0.4 Type Typ 5.00.3 0.5 _ 0.4 5.00.2 0.5 _ 0.4 White cathode mark Type: Zxx where xx = VZ Weie Kath.markierung Typ: Zxx mit xx = VZ Dimensions - Mae [mm] Typische Anwendungen Spannungsstabilisierung/-regler (Fur Uberspannungsschutz - uni-und bidirektional - siehe TVS-Diodenreihe TGL41) Standardausfuhrung 1) Features ZMY...G: Low leakage current Sharp Zener voltage breakdown ZMY...: High power dissipation VZ up to 200 V Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Besonderheiten ZMY...G: Niedriger Sperrstrom Scharfer Zenerabbruch ZMY...: Hohe Leistungsfahigkeit VZ bis zu 200 V Konform zu RoHS, REACH, Pb Konfliktmineralien 1) RoHS EE WE Blue cathode ring Type on label only Blauer Kathodenring Typ nur auf Etikett Typical Applications Voltage stabilization/regulators (For overvoltage protection - uni- and bi-directional - see TVS diodes TGL41 series) Commercial grade 1) EL V ZMY... 2.50.2 ZMY...G Mechanical Data 1) Taped and reeled Weight approx. Mechanische Daten 1) 5000 / 13" Gegurtet auf Rolle 0.12 g Gewicht ca. Plastic case material UL 94V-0 Plastik-Gehausematerial Solder & assembly conditions 260C/10s MSL = 1 Lot- und Einbaubedingungen Standard Zener voltage tolerance is graded to the international E 24 (~ 5%) standard. Other voltage tolerances and higher Zener voltages on request. Die Toleranz der Zener-Spannung ist in der Standard-Ausfuhrung gestuft nach der internationalen Reihe E 24 (~ 5%). Andere Toleranzen oder hohere Arbeitsspannungen auf Anfrage. Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) Power dissipation Verlustleistung ZMY3.0G ... 9.1G TA = 25C Ptot 1.0 W 3) ZMY1, ZMY10 ... 200 TA = 50C Ptot 1.3 W 3) Non repetitive peak pulse power, t < 1 ms Einmalige Impuls-Verlustleistung, t < 1 ms ZMY3.0G ... 9.1G TA = 25C PZSM N/A ZMY1, ZMY10 ... 200 TA = 25C PZSM 40 W Operating junction temperature Sperrschichttemperatur ZMY3.0G ... 9.1G Tj -50...+175C ZMY1, ZMY10 ... 200 Tj -50...+150C TS -50...+175C Storage temperature - Lagerungstemperatur Characteristics Kennwerte Thermal resistance junction-ambient Warmewiderstand Sperrschicht-Umgebung ZMY3.0G ... 9.1G RthA < 150 K/W 3) ZMY1, ZMY10 ... 200 RthA < 45 K/W 3) Thermal resistance junction-terminal Warmewiderstand Sperrschicht-Anschluss ZMY3.0G ... 9.1G RthT < 70 K/W ZMY1, ZMY10 ... 200 RthT < 10 K/W 45 1 2 3 4 5 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches Tj = 25C unless otherwise specified - Tj = 25C wenn nicht anders angegeben Mounted on P.C. board with 50 mm2 copper pads per terminal - Montage auf Leiterplatte mit 50 mm2 Lotpads je Anschluss Tested with pulses - Gemessen mit Impulsen The ZMY1 is a diode operated in forward mode. Hence, the index of all parameters should be "F" instead of "Z". The cathode, indicated by a white band, has to be connected to the negative pole. Die ZMY1 ist eine in Durchlass betriebene Diode. Daher ist bei allen Kenn- und Grenzwerten der Index "F" anstatt "Z" zu setzen. Die mit weiem Balken gekennzeichnete Kathode ist mit dem Minuspol zu verbinden. (c) Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 ZMY1, ZMY3.0G ... ZMY9.1G, ZMY10 ... ZMY200 Characteristics Kennwerte (Tj = 25C unless otherwise specified) Type Typ Zener voltage 4) Zener-Spannung 4) IZ = IZtest (Tj = 25C wenn nicht anders spezifiziert) Test current Mess-Strom Dynamic resistance Diff. Widerstand IZtest / f = 1 kHz Temp. Coefficient of Z-voltage ...der Z-Spannung Reverse voltage Sperrspannung IR = 1 A Z-current 3) Z-Strom 3) TA = 50C Vzmin [V] Vzmax [V] IZtest [mA] rzj [] VZ [10-4 /C] VR [V] IZmax [mA] ZMY1 ) 0.71 0.82 100 0.5 (<1) -26...-16 - 1000 ZMY3.0G 2.8 3.2 100 5 (<8) -8...+1 - 313 ZMY3.3G 3.1 3.5 100 5 (<8) -8...+1 > 1 / 150 A 286 ZMY3.6G 3.4 3.8 100 5 (<8) -8...+1 > 1 / 100 A 263 ZMY3.9G 3.7 4.1 100 4 (<7) -7...+2 > 1 / 100 A 244 ZMY4.3G 4.0 4.6 100 4 (<7) -7...+3 > 1 / 50 A 217 ZMY4.7G 4.4 5.0 100 4 (<7) -7...+4 > 1 / 10 A 200 ZMY5.1G 4.8 5.4 100 2 (<5) -6...+5 > 1 / 10 A 185 ZMY5.6G 5.2 6.0 100 1 (<2) -3...+5 > 2 / 500 nA 167 ZMY6.2G 5.8 6.6 100 1 (<2) -1...+6 > 3 / 500 nA 152 ZMY6.8G 6.4 7.2 100 1 (<2) 0...+7 > 4 / 500 nA 139 ZMY7.5G 7.0 7.9 100 1 (<2) 0...+7 > 5 / 500 nA 127 ZMY8.2G 7.7 8.7 100 1 (<2) +3...+8 > 6 / 500 nA 115 ZMY9.1G 8.5 9.6 50 2 (<4) +3...+8 > 7 / 500 nA 104 ZMY10 9.4 10.6 50 2 (<4) +5...+9 >5 123 ZMY11 10.4 11.6 50 4 (<7) +5...+10 >5 112 ZMY12 11.4 12.7 50 4 (<7) +5...+10 >7 102 ZMY13 12.4 14.1 50 5 (<10) +5...+10 >7 92 ZMY15 13.8 15.6 50 5 (<10) +5...+10 > 10 83 ZMY16 15.3 17.1 25 6 (<15) +6...+11 > 10 76 ZMY18 16.8 19.1 25 6 (<15) +6...+11 > 10 68 ZMY20 18.8 21.2 25 6 (<15) +6...+11 > 10 61 ZMY22 20.8 23.3 25 6 (<15) +6...+11 > 12 56 ZMY24 22.8 25.6 25 7 (<15) +6...+11 > 12 51 ZMY27 25.1 28.9 25 7 (<15) +6...+11 > 14 45 ZMY30 28 32 25 8 (<15) +6...+11 > 14 41 ZMY33 31 35 25 8 (<15) +6...+11 > 17 37 ZMY36 34 38 10 16 (<40) +6...+11 > 17 34 ZMY39 37 41 10 20 (<40) +6...+11 > 20 32 ZMY43 40 46 10 24 (<45) +7...+12 > 20 28 ZMY47 44 50 10 24 (<45) +7...+12 > 24 26 ZMY51 48 54 10 25 (<60) +7...+12 > 24 24 ZMY56 52 60 10 25 (<60) +7...+12 > 28 22 ZMY62 58 66 10 25 (<80) +8...+13 > 28 20 ZMY68 64 72 10 25 (<80) +8...+13 > 34 18 ZMY75 70 79 10 30 (<100) +8...+13 > 34 16 ZMY82 77 88 10 30 (<100) +8...+13 > 41 15 ZMY91 85 96 5 40 (<200) +9...+13 > 41 14 ZMY100 94 106 5 60 (<200) +9...+13 > 50 12 ZMY110 104 116 5 80 (<250) +9...+13 > 50 11 ZMY120 114 127 5 80 (<250) +9...+13 > 60 10 ZMY130 124 141 5 90 (<300) +9...+13 > 60 9 ZMY150 138 156 5 100 (<300) +9...+13 > 75 8 ZMY160 153 171 5 110 (<350) +9...+13 > 75 8 ZMY180 168 191 5 120 (<350) +9...+13 > 90 7 ZMY200 188 212 5 150 (<350) +9...+13 > 90 6 5 3,4,5 3,4,5 Notes see previous page - Funoten siehe vorhergehende Seite 2 http://www.diotec.com/ (c) Diotec Semiconductor AG ZMY1, ZMY3.0G ... ZMY9.1G, ZMY10 ... ZMY200 102 120 [%] [A] ZMY10...200 100 Tj = 125C 10 80 Tj = 25C 60 1 ZMY3.0G...9.1G 40 10-1 20 IF Ptot 0 0 TA 100 50 150 10-2 0.4 [C] Power dissipation versus ambient temperature 1) Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.1) 30a-(1a-1.1v) VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 150 5,1 [mA] 8,2 6,8 6,2 4,7 IZ = 100 mA 100 5,6 Tj = 25C f = 1.0 MHz VR = 0V [pF] 9,1 7,5 ZMY3.0G...9.1G 4,3 3,9 3,6 50 ZMY10...200 3,3 3,0 IZ = 50 mA IZ 0 0 VZ 4 5 7 2 3 6 8 [V] Typical breakdown characteristic - tested with pulses Typische Abbruchspannung - gemessen mit Impulsen 10 Cj VZ 10 18 24 30 36 43 51 56 [V] Junction capacitance vs. zener voltage (typical) Sperrschichtkapazitat in Abh. v.d. Zenerspg. (typ.) 62 68 75 82 91 100 IZmax Tj = 25C IZT Typical breakdown characteristic - tested with pulses Typische Abbruchspannung - gemessen mit Impulsen 1 Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 Mounted on P.C. board with 50 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 50 mm2 Kupferbelag (Lotpad) an jedem Anschluss (c) Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 3