IN 2 THOMSON-CSF general purpose and switching diode selector guide guide de slection diodes de commutation et usage gnral Case Foy am IF(AV) Vriv) 50...90 mA 10 25 1N 456 30 35 1N 457 100...150 mA 200...225 mA 400 mA 1N 456A BAY 41 | BAY 44 1N 457A 70 7 1N 483 B BAW 21A (3) BAW 21 B (3) | BAX.12.(3) 100 BAY 73 BAY 72. BAVI9. | 125 1N 458 A 1N 3595 (2) 130 1N 484 IN 484A 150 BAY 45 BAX 16 " B AV 20: 175 200 BAX 17 BAV21 | 240 300 BAY 46 IN 456 t,,>300 ns BAX 12 tp, = 15...120ns t,<6ns (1): (2) Ultra fast diode t,, <0,75 ns C<0,8 pF * Diode ultra rapide typ < 0,75 ns C<0,8 pF . Very low leakage diode * Diode a faible courant de fuite in< 1nA@Vp = 125V _ Controlled avalanche diode. DO 35 case (CB-102) * Diode a avalanche controle, DO 35 boitier (CB-102) _ DO 34 case (CB-104) * DO 34 boitier (CB-104) (3) (4) 77efe e e IN silicon signal diodes THOMSON-CSF diodes de signal au silicium Type Vr-VRM lo Ve / tf In / Vri'in / Vr c ter IF Case If* Tamb 150C max max max max max max max (Vv) (mA) | (V) (mA)} (nA) (VV) | @A) (V) (pF) | (ns) (mA) very high speed switching Tamb = 25C commutation ultra rapide TN 4244 20 100 10{|100 10 0.8 DO7 (CB-26) high voltage switching Tamb = 25C commutation haute tension BA 224-150 | 120-150 | 10 1 100 | 100 120) 10 120(1)[ 6 BA 224-220 | 1 1 100 100 180} 10 180(1)7 6 BA 224-300 | 1 100 100 240] 10 240(1)} 6 SFD 86 1 50 | 10000 150 6 SFD 88 1 10 10000 200] 100 200(3)}| 6 SFD 88A 1 100 {10000 200] 100 200(3)] 6 SFD 89 1,3 30 {10000 180} 100 180(3)] 6 SFD 95 1,2 10 | 4000 250 6 1N 463 1 4 500 175} 100 175 1N 660 1 6 | 5000 100} 50 300 (1) 1N 3069 1 50 100 50] 100 50 6 1N 3070 1 100 100 175] 100 175 5 1N 3071 1 100 100 150] 100 150 6 BAY 45 1,4 100 200 150} 10 150 AA BAV 19 1 100 100 100} 15 100(1)] 5 AABAV 20 1 100 100 150] 15 150(1)] 5 AA BAV 21 1 100 100 200} 15 200(1)} 5 BAW 13 1,2. 200 100 200{ 10 200(1) | 83,5 ABAX 16 1,3. 100 100 150] 100 150 10 ABAX 17 1,2 200 500 200] 100 200 10 BAY 80 1 100 100 120] 100 120(2)] 6 SFD 46 1 50 | 10000 150 6 SFD 48 10 {10000 200] 100 200(3)] 6 SFD 49 1,3 50 | 10000 180] 100 180(3)] 6 (1) Tamb 100C (2) Tamp 125C (3) Tamb 60C , Typical value * Valeur typique _ Devices under CCO/CCT Dispositifs soumis au CCOQ/CCT _ Devices under CCQ/CECC Dispositifs soumis au CCQ/CECC * Available on request in CB-127 case. Designation : 1N...DHD or BA...DHD * Livrable sur demande en boitier CB-127. Appellation commerciale : 1N...DHD ou BA...DHD. 8]