Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules FF 401 R 17 KF6C B2
vorläufige Daten
preliminary data
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage Tvj = 25°C VCES 1700 V
Kollektor-Dauergleichstrom TC = 80 °C IC,nom. 400 A
DC-collector current TC = 25 °C IC650 A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current tP = 1 ms, TC = 80°C ICRM 800 A
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation TC=25°C, Transistor Ptot 3,1 kW
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage VGES +/- 20V V
Dauergleichstrom
DC forward current IF400 A
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current tP = 1 ms IFRM 800 A
Grenzlastintegral der Diode
I2t - value, Diode VR = 0V, tp = 10ms, TVj = 125°C I2t45 kA2s
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL 4kV
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor min. typ. max.
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung IC = 400A, VGE = 15V, Tvj = 25°C VCE sat - 2,6 3,1 V
collector-emitter saturation voltage IC = 400A, VGE = 15V, Tvj = 125°C - 3,1 3,6 V
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage IC = 30mA , VCE = VGE, Tvj = 25°C VGE(th) 4,5 5,5 6,5 V
Gateladung
gate charge VGE = -15V ... +15V QG - 4,8 - µC
Eingangskapazität
input capacitance f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V Cies -27-nF
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V Cres - 1,3 - nF
Kollektor-Emitter Reststrom VCE = 1700V, VGE = 0V, Tvj = 25°C ICES --5mA
collector-emitter cut-off current
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current VCE = 0V, VGE = 20V, Tvj = 25°C IGES - - 400 nA
prepared by: Alfons Wiesenthal date of publication:28.03.2001
approved by: Christoph Lübke; 12.04.2001 revision: 2 (preliminary)
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Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
vorläufige Daten
preliminary data
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor min. typ. max.
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last) IC = 400A, VCE = 900V
turn on delay time (inductive load) VGE = ±15V, RG = 1,8 W, Tvj = 25°C td,on - 0,4 - µs
VGE = ±15V, RG =1,8 W, Tvj = 125°C - 0,4 - µs
Anstiegszeit (induktive Last) IC = 400A, VCE = 900V
rise time (inductive load) VGE = ±15V, RG =1,8 W, Tvj = 25°C tr- 0,15 - µs
VGE = ±15V, RG =1,8 W, Tvj = 125°C - 0,15 - µs
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last) IC = 400A, VCE = 900V
turn off delay time (inductive load) VGE = ±15V, RG = 3,6W, Tvj = 25°C td,off - 1,1 - µs
VGE = ±15V, RG = 3,6W, Tvj = 125°C - 1,1 - µs
Fallzeit (induktive Last) IC = 400A, VCE = 900V
fall time (inductive load) VGE = ±15V, RG = 3,6W, Tvj = 25°C tf- 0,1 - µs
VGE = ±15V, RG = 3,6W, Tvj = 125°C - 0,11 - µs
Einschaltverlustenergie pro Puls IC = 400A, VCE = 900V, VGE = 15V
turn-on energy loss per pulse RG,on = 1,8 W, Tvj = 125°C, LS = 60nH Eon - 190 - mWs
Abschaltverlustenergie pro Puls IC = 400A, VCE = 900V, VGE = 15V
turn-off energy loss per pulse RG = 3,6W, Tvj = 125°C, LS = 60nH Eoff - 150 - mWs
Kurzschlußverhalten tP £ 10µsec, VGE £ 15V
SC Data TVj£125°C, VCC=1000V, VCEmax=VCES -LsCE ·dI/dt ISC - 1600 - A
Modulinduktivität
stray inductance module LsCE - 58 - nH
Modulleitungswiderstand, Anschlüsse - Chip
module lead resistance, terminals - chip pro Zweig / per arm RCC´+EE´ - 0,78 - mW
Charakteristische Werte / Characteristic values
Diode / Diode min. typ. max.
Durchlaßspannung IF = 400A, VGE = 0V, Tvj = 25°C VF- 2,1 2,5 V
forward voltage IF = 400A, VGE = 0V, Tvj = 125°C - 2,1 2,5 V
Rückstromspitze IF = 400A, - diF/dt =2400 A/µsec
peak reverse recovery current VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 25°C IRM - 270 - A
VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 125°C - 320 - A
Sperrverzögerungsladung IF = 400A, - diF/dt =2400 A/µsec
recovered charge VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 25°C Qr- 75 - µAs
VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 125°C - 145 - µAs
Abschaltenergie pro Puls IF = 400A, - diF/dt =2400 A/µsec
reverse recovery energy VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 25°C Erec - 35 - mWs
VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 125°C - 70 - mWs
FF 401 R 17 KF6C B2
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IGBT-Module
IGBT-Modules FD 401 R 17 KF6C B2
vorläufige Daten
preliminary data
Thermische Eigenschaften / Thermal properties min. typ. max.
Innerer Wärmewiderstand Transistor / transistor, DC RthJC - - 0,04 K/W
thermal resistance, junction to case Diode/Diode, DC - - 0,068 K/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Zweig / per arm
pro Modul / per module
lPaste = 1 W/m*K / lgrease = 1 W/m*K RthCK -0,04
0,02 K/W
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature Tvj - - 150 °C
Betriebstemperatur
operation temperature Tvj op -40 - 125 °C
Lagertemperatur
storage temperature Tstg -40 - 125 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Innere Isolation
internal insulation AlN
Kriechstrecke
creepage distance 32 mm
Luftstrecke
clearance 19 mm
CTI
comperative tracking index >400
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung M1 5 Nm
mounting torque
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse terminals M5 M2 4 Nm
terminal connection torque Nm
Gewicht
weight G 500 g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert.
Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is
valid in combination with the belonging technical notes.
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IGBT-Module
IGBT-Modules FF 401 R 17 KF6C B2 vorläufige Daten
preliminary data
IC [A]
VCE [V]
IC [A]
VCE [V]
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Ausgangskennlinie (typisch) IC = f (VCE)
Output characteristic (typical) VGE = 15V
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
vGE = 20V
vGE = 15V
vGE = 12V
vGE = 10V
vGE = 9V
vGE = 8V
Ausgangskennlinienfeld (typisch) IC = f (VCE)
Output characteristic (typical) Tvj = 125°C
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IGBT-Module
IGBT-Modules FF 401 R 17 KF6C B2 vorläufige Daten
preliminary data
IC [A]
VGE [V]
IF [A]
VF [V]
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
5678910111213
Tj = 25°C
Tj = 125°C
Übertragungscharakteristik (typisch) IC = f (VGE)
Transfer characteristic (typical) VCE = 20V
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) IF = f (VF)
Forward characteristic of inverse diode (typical)
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IGBT-Module
IGBT-Modules FF 401 R 17 KF6C B2 vorläufige Daten
preliminary data
E [mJ]
IC [A]
E [mJ]
RG [9
99
9]
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900
Eoff
Eon
Erec
Schaltverluste (typisch) Eon = f (IC) , Eoff = f (IC) , Erec = f (IC)
Switching losses (typical) Rgon = 1,89
99
9, Rgoff =3,6 9
99
9, VCE = 900V, Tj = 125°C, VGE = ± 15V
0
100
200
300
400
500
600
048121620
Eoff
Eon
Erec
Schaltverluste (typisch) Eon = f (RG) , Eoff = f (RG) , Erec = f (RG)
Switching losses (typical) IC = 400A , VCE = 900V , Tj = 125°C, VGE = ± 15V
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IGBT-Modules FF 401 R 17 KF6C B2
vorläufige Daten
preliminary data
ZthJC
[K / W]
t [sec]
i 1234
ri [K/kW] : IGBT 3,76 18,86 5,7 11,6
Ji [sec] : IGBT 0,027 0,052 0,09 0,838
ri [K/kW] : Diode 31,39 14,05 4,477 18,08
Ji [sec] : Diode 0,0287 0,0705 0,153 0,988
IC [A]
VCE [V]
Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)
Reverse bias safe operation area (RBSOA) Rg = 3,6 Ohm, Tvj= 125°C
Transienter Wärmewiderstand ZthJC = f (t)
Transient thermal im
p
edance
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800
IC,Modul
IC,Chip
0,001
0,01
0,1
0,001 0,01 0,1 1 10 100
Zth:Diode
Zth:IGBT
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IGBT-Module
IGBT-Modules FF 401 R 17 KF6C B2
vorläufige Daten
Äußere Abmessungen / external dimensions preliminary data
7
4 deep
C1 C2/E1 G1
57
73
E1/C2
for M5
9,75
G2 E2
5
C1
E2
27,15 27,15
DD...
FF...
FD...
screwing depth
max. 16
26,4
5,5
2,8x0,5
C1 (K1)
E2 (A 2)
E1/C2
(A1/K2)
C1
G1
G2
E2
C1
E2
C2/E1 E1/C2
C1
G1
C1
E2 (A 2)
C2/E1 E1/C2
(K2)
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