MB2S ... MB10S
MB2S ... MB10S
SMD Single Phase Bridge Rectifier
SMD Einphasen-Brückengleichrichter
IFAV = 0.5/0.8 A
VF< 1 V
Tjmax = 150°C
VRRM = 80 ... 1000 V
IFSM = 32/35 A
trr ~ 1500 ns
Version 2017-03-21
~ TO-269AA
MiniDIL SLIM
Dimensions - Maße [mm]
Typical Application
50/60 Hz Mains Rectification
Power Supplies
Commercial grade 1)
Typische Anwendung
50/60 Hz Netzgleichrichtung
Stromversorgungen
Standardausführung 1)
Features
Slim profile package
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
Besonderheit
Schlanke Bauhöhe
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1)
Taped and reeled 5000 / 13“ Gegurtet auf Rolle
Weight approx. 0.1 g Gewicht ca.
Case material UL 94V-0 Gehäusematerial
Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen
MSL = 1
Maximum ratings 2) Grenzwerte 2)
Type
Typ
Code
3)
Maximum alternating input voltage
Max. Eingangswechselspannung
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VVRMS [V] 4) VRRM [V] 5)
MB2S MC YM 140 200
MB4S ME YM 280 400
MB6S MJ YM 420 600
MB8S MK YM 560 800
MB10S MM YM 700 1000
Max. rectified output current
Dauergrenzstrom am Brückenausgang TA = 40°C IFAV 0.5 A 6)
0.8 A 7)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz TA = 40°C IFRM 6.4 A 6)
Peak forward surge current
Stoßstrom in Fluss-Richtung
Half sine-wave
Sinus-Halbwelle
50 Hz (10 ms)
60 Hz (8.3 ms) IFSM 32 A
35 A
Rating for fusing
Grenzlastintegral t < 10 ms i2t 5.1 A2s
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-50...+150°C
-50...+150°C
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben
3 Bar denotes “DC side”; “XXX” is a two or three digit production code
Balken kennzeichnet „Gleichstromseite“; „XXX“ ist ein zwei- oder dreistelliger Produktionscode
4 Eventual superimposed voltage peaks must not exceed VRRM – Evtl. überlagerte Spannungsspitzen dürfen VRRM nicht überschreiten
5 Valid per diode – Gültig pro Diode
6 Mounted on P.C. Board with 25 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
7 Mounted on Alumina Substrate 2500mm² with 1 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Aluminium-Substrat 2500mm² mit 1 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
1http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
Pb
E
L
V
W
E
E
E
R
o
H
S
Halogen
FREE
6.5
+0.2
5.1
+0.2
0.2
1.6
±0.1
Type
1.5
±0.1
0.7
2.54
3.9
-0.1
4.7
±0.1
+
~~
MB2S ... MB10S
Characteristics Kennwerte
Forward voltage
Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 0.4 A VF< 1 V 1)
Leakage current
Sperrstrom Tj = 25°C VR = VRRM IR< 5 µA
Reverse recovery time
Sperrverzug
IF = 0.5 A through/über
IR = 1 A to IR = 0.25 A trr typ. 1500 ns 1)
Typical junction capacitance – Typische Sperrschichtkapazität VR = 4 V Cj15 pF 1)
Thermal resistance junction to ambient (per device)
Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung (pro Bauteil) RthA < 75 K/W 2)
Thermal resistance junction to terminal (per device)
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss (pro Bauteil) RthT < 25 K/W
Type
Typ
Recomm. protective resistance
Empf. Schutzwiderstand
Rt [Ω] 3)
Admiss. load capacitor at Rt
Zul. Ladekondensator mit Rt
CL [µF] 4)
MB2S 6.25 800
MB4S 12.5 400
MB6S 18.8 265
MB8S 25 200
MB10S 31.3 160
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder oder Internet
1 Valid per diode – Gültig pro Diode
2 Mounted on P.C. Board with 25 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
3 Rt = VRRM / IFSM Rt is the equivalent resistance of any protective element which ensures that IFSM is not exceeded
Rt ist der Ersatzwiderstand eines jeglichen Schutzelementes, welches ein Überschreiten von IFSM verhindert
4 CL = 5 ms / Rt If the Rt CL time constant is less than a quarter of the 50Hz mains period, CL can be charged completely in a
single half wave of the mains. Hence, IFSM occurs as a single pulse only!
Falls die Rt CL Zeitkonstante kleiner ist als ¼ der 50Hz-Netzperiode, kann CL innerhalb einer einzigen
Netzhalbwelle komplett geladen werden. IFSM tritt dann nur als Einzelpuls auf!
2http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
Rated forward current versus ambient temperature
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.
I
FAV
[%]
120
100
80
60
40
20
0[°C]
T
A
150100
50
0
10
10
1
10
10
2
-1
-2
[A]
I
F
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
0.4 V
F
0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8
T = 25°C
j
T = 150°C
j
30a-(1a-1.1v)
R
t
3)
C
L
4)
~
~
+
_
