LD 242
GaAs-IR-Lumineszenzdiode
GaAs Infrared Emitter
Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant
2007-12-07 1
Wesentliche Merkmale
• Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren
• Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden
verbunden
• Hohe Zuverlässigkeit
• Großer Öffnungskegel
• Gehäusegleich mit BP 103, BPX 63, SFH 464,
SFH 483
• Anwendungsklasse nach DIN 40 040 GQC
Anwendungen
• Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
• Sensorik
• Lichtgitter
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Strahlstärkegruppierung 1) (IF = 100 mA, tp = 20 ms)
Radiant Intensity Grouping 1)
Ie (mW/sr)
1) gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr
measured at a solid angle of Ω = 0.01 sr
LD 242-2/3 Q62703Q4749 > 4.0
LD 242 E7800 Q62703Q3509 1 - 3.2
Features
• Fabricated in a liquid phase epitaxy process
• Cathode is electrically connected to the case
• High reliability
• Wide beam
• Same package as BP 103, BPX 63, SFH 464,
SFH 483
• DIN humidity caregory in acc. with
DIN 40 040 GQG
Applications
• Photointerrupters
• Sensor technology
• Light curtains
2007-12-07 2
LD 242
Grenzwerte (TA = 25 °C)
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
Top; Tstg – 40 … + 80 °C
Sperrspannung
Reverse voltage
VR5 V
Durchlassstrom
Forward current
IF300 mA
Stoßstrom, τ ≤ 10 µs, D = 0
Surge current
IFSM 3 A
Verlustleistung
Power dissipation
Ptot 470 mW
Wärmewiderstand
Thermal resistance
RthJA
RthJC
450
160
K/W
K/W
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
IF = 100 mA, tp = 20 ms
λpeak 950 nm
Spektrale Bandbreite bei 50% von Imax
Spectral bandwidth at 50% of Imax
IF = 100 mA, tp = 20 ms
∆λ 55 nm
Abstrahlwinkel
Half angle
ϕ± 40 Grad
deg.
Aktive Chipfläche
Active chip area
A0.25 mm2
Abmessungen der aktiven Chipfläche
Dimension of the active chip area
L × B
L × W
0.5 × 0.5 mm²
Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel
Distance chip surface to lens top
H0.3 … 0.7 mm
LD 242
2007-12-07 3
Schaltzeiten, Ie von 10% auf 90% und von 90%
auf 10%, bei IF = 100 mA, RL = 50 Ω
Switching times, Ie from 10% to 90% and from
90% to 10%, IF = 100 mA, RL = 50 Ω
tr, tf1µs
Kapazität
Capacitance
VR = 0 V
Co40 pF
Durchlassspannung
Forward voltage
IF = 100 mA
IF = 1 A, tp = 100 µs
VF
VF
1.3 (≤ 1.5)
1.9 (≤ 2.5)
V
V
Sperrstrom, VR = 5 V
Reverse current
IR0.01 (≤ 1) µA
Gesamtstrahlungsfluss
Total radiant flux
IF = 100 mA, tp = 20 ms
Φe16 mW
Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe,
IF = 100 mA
Temperature coefficient of Ie or Φe,
IF = 100 mA
TCI– 0.55 %/K
Temperaturkoeffizient von VF, IF = 100 mA
Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA
TCV– 1.5 mV/K
Temperaturkoeffizient von λpeak, IF = 100 mA
Temperature coefficient of λpeak, IF = 100 mA
TCλ0.3 nm/K
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics (cont’d)
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
2007-12-07 4
LD 242
Gruppierung der Strahlstärke Ie in Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr
Grouping of Radiant Intensity Ie in Axial Direction
measured at a solid angle of Ω = 0.01 sr
Bezeichnung
Parameter
Symbol Werte
Values
Einheit
Unit
LD 242-2 LD 242-3 LD 242 78001)
Strahlstärke
Radiant intensity
IF = 100 mA, tp = 20 ms
IF = 1 A, tp = 100 µs
Ie
Ie typ.
4 … 8
50
> 6.3
75
1 … 3.2
–
mW/sr
mW/sr
1) Die Messung der Strahlstärke und des Halbwinkels erfolgt mit einer Lochblende vor dem Bauteil (Durchmesser der
Lochblende: 1,1 mm; Abstand Lochblende zu Gehäuserückseite: 4,0 mm). Dadurch wird sichergestellt, dass bei der
Strahlstärkemessung nur diejenige Strahlung in Achsrichtung bewertet wird, die direkt von der Chipoberfläche
austritt. Von der Bodenplatte reflektierte Strahlung (vagabundierende Strahlung) wird dagegen nicht bewertet. Diese
Reflexionen sind besonders bei Abbildungen der Chipoberfläche über Zusatzoptiken störend (z.B. Lichtschranken
großer Reichweite). In der Anwendung werden im allgemeinen diese Reflexionen ebenfalls durch Blenden
unterdrückt. Durch dieses der Anwendung entsprechende Messverfahren ergibt sich für die Anwender eine besser
verwertbare Größe. Diese Lochblendenmessung ist gekennzeichnet durch den Eintrag „E 7800“, der an die
Typenbezeichnung angehängt ist.
1) An aperture is used in front of the component for measurement of the radiant intensity and the half angle (diameter
of the aperture: 1.1 mm; distance of aperture to case back side: 4.0 mm). This ensures that solely the radiation in
axial direction emitting directly from the chip surface will be evaluated during measurement of the radiant intensity.
Radiation reflected by the bottom plate (stray radiation) will not be evaluated. These reflections impair the projection
of the chip surface by additional optics (e.g. long-range light reflection switches). In respect of the application of the
component, these reflections are generally suppressed by apertures as well. This measuring procedure
corresponding with the application provides more useful values. This aperture measurement is denoted by “E 7800”
added to the type designation.
LD 242
2007-12-07 5
Relative Spectral Emission
Irel = f (λ)
Forward Current
IF = f (VE)
Radiation Characteristics
Irel = f (ϕ)
OHR01938
λ
rel
Ι
0880 920 960 1000
nm
1060
20
40
60
80
%
100
V
OHR01040
F
F
Ι
1
1
10
0
10
-1
10
10 -2
A
1.5 2 2.5 33.54 4.5
typ. max.
V
OHR01877
02040 60 80 100 1200.40.60.81.0
100
90
80
70
60
50
0
10203040
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
ϕ
Radiant Intensity
Single pulse, tp = 20 µs
Permissible Pulse Handling
Capability IF = f (τ), TC = 25 °C,
duty cycle D = parameter
Ie
Ie 100 mA
= f (IF)
Ι
OHR01037
F
-1
10
10 0
1
10
2
10
10 -2 -1
10 0
10 A 10 1
Ι
e
Ι
e(100 mA)
τ
OHR01937
10
-5
s
10
2
Ι
F
mA
10
-4
10
-3
10
-2
10
0
10
3
10
4
5
5
DC
0.5
0.05
0.02
0.01
0.005
D =
0.1
F
Ι
T
P
t
=D
P
t
T
0.2
Max. Permissible Forward Current
IF = f (TA)
T
OHR00971
A
0
F
Ι
020406080100
˚C
50
100
150
200
250
mA
300
,T
C
= 160 K/W
thJC
R
R
thJA
= 450 K/W
2007-12-07 6
LD 242
Maßzeichnung
Package Outlines
Maße in mm (inch) / Dimensions in mm (inch).
Gehäuse
Package
18 A3 DIN 41876 (TO-18), klares Epoxy-Gießharz
18 A3 DIN 41876 (TO-18), transparent epoxy resin
Anschlussbelegung
pin configuration
1 = Anode/ anode
2 = Kathode/ cathode
ø4.3 (0.169)
ø4.1 (0.161)
Chip position
3.6 (0.142)
3.0 (0.118)
2.54 (0.100)
spacing
GETY6625
1
14.5 (0.571)
12.5 (0.492)
ø0.45 (0.018)
2.7 (0.106)
0.9 (0.035)
1.1 (0.043)
0.9 (0.035)
1.1 (0.043)
ø5.5 (0.217)
ø5.2 (0.205)
2
LD 242
2007-12-07 7
Lötbedingungen
Soldering Conditions
Wellenlöten (TTW) (nach CECC 00802)
TTW Soldering (acc. to CECC 00802)
Published by
OSRAM Opto Semiconductors GmbH
Wernerwerkstrasse 2, D-93049 Regensburg
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By agreement we will take packing material back, if it is sorted. You must bear the costs of transport. For packing
material that is returned to us unsorted or which we are not obliged to accept, we shall have to invoice you for any costs
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Components used in life-support devices or systems must be expressly authorized for such purpose! Critical
components 1 , may only be used in life-support devices or systems 2 with the express written approval of OSRAM OS.
1 A critical component is a component usedin a life-support device or system whose failure can reasonably be expected
to cause the failure of that life-support device or system, or to affect its safety or effectiveness of that device or system.
2 Life support devices or systems are intended (a) to be implanted in the human body, or (b) to support and/or maintain
and sustain human life. If they fail, it is reasonable to assume that the health of the user may be endangered.
OHLY0598
0
0
50 100 150 200 250
50
100
150
200
250
300
T
t
C
s
235 C
10 s
C... 260
1. Welle
1. wave
2. Welle
2. wave
5 K/s 2 K/s
ca 200 K/s
CC... 130100
2 K/s Zwangskühlung
forced cooling
Normalkurve
standard curve
Grenzkurven
limit curves
