Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules BSM 75 GD 60 DLC
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage VCES 600 V
Kollektor-Dauergleichstrom TC = 70° C IC,nom. 75 A
DC-collector current TC = 25 °C IC95 A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current tP = 1 ms, TC = 70°C ICRM 150 A
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation TC=25°C, Transistor Ptot 330 W
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage VGES +/- 20V V
Dauergleichstrom
DC forward current IF75 A
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current tP = 1 ms IFRM 150 A
Grenzlastintegral der Diode
I2t - value, Diode VR = 0V, tp = 10ms, TVj = 125°C I2t1.200 A2s
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL 2,5 kV
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor min. typ. max.
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung IC = 75A, VGE = 15V, Tvj = 25°C - 1,95 2,45 V
collector-emitter saturation voltage IC = 75A, VGE = 15V, Tvj = 125°C - 2,20 - V
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage IC = 1,5 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGE(th) 4,5 5,5 6,5 V
Eingangskapazität
input capacitance f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V Cies - 3,3 - nF
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V Cres - 0,3 - nF
Kollektor-Emitter Reststrom VCE = 600V, VGE = 0V, Tvj = 25°C - 1 500 µA
collector-emitter cut-off current VCE = 600V, VGE = 0V, Tvj = 125°C -1-mA
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current VCE = 0V, VGE = 20V, Tvj = 25°C IGES - - 400 nA
prepared by: Andreas Vetter date of publication: 2006-01-31
approved by: Michael Hornkamp revision: 3
VCE sat
ICES
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BSM 75 GD 60 DLC
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules BSM 75 GD 60 DLC
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor min. typ. max.
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last) IC = 75 A, VCC = 300V
turn on delay time (inductive load) VGE = ±15V, RG = 3,0 Ω, Tvj = 25°C td,on -63-ns
VGE = ±15V, RG = 3,0 Ω, Tvj = 125°C -65-ns
Anstiegszeit (induktive Last) IC = 75 A, VCC = 300V
rise time (inductive load) VGE = ±15V, RG = 3,0 Ω, Tvj = 25°C tr-22-ns
VGE = ±15V, RG = 3,0 Ω, Tvj = 125°C -25-ns
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last) IC = 75 A, VCC = 300V
turn off delay time (inductive load) VGE = ±15V, RG = 3,0 Ω, Tvj = 25°C td,off - 155 - ns
VGE = ±15V, RG = 3,0 Ω, Tvj = 125°C - 170 - ns
Fallzeit (induktive Last) IC = 75 A, VCC = 300V
fall time (inductive load) VGE = ±15V, RG = 3,0 Ω, Tvj = 25°C tf-20-ns
VGE = ±15V, RG = 3,0 Ω, Tvj = 125°C -35-ns
Einschaltverlustenergie pro Puls IC = 75 A, VCC = 300V, VGE = 15V
turn-on energy loss per pulse RG = 3,0 Ω, Tvj = 125°C, Lσ = 15 nH
Abschaltverlustenergie pro Puls IC = 75 A, VCC = 300V, VGE = 15V
turn-off energy loss per pulse RG = 3,0 Ω, Tvj = 125°C, Lσ = 15 nH
Kurzschlußverhalten tP ≤ 10µsec, VGE ≤ 15V
SC Data TVj≤125°C, VCC=360V, VCEmax= VCES -LσCE ·di/dt
Modulinduktivität
stray inductance module LσCE - 55 - nH
Modul-Leitungswiderstand, Anschlüsse - Chip
lead resistance, terminals - chip Tc= 25°C RCC'+EE' - 4,4 - mΩ
Charakteristische Werte / Characteristic values
Diode / Diode min. typ. max.
Durchlaßspannung IF = 75 A, VGE = 0V, Tvj = 25°C - 1,25 1,6 V
forward voltage IF = 75 A, VGE = 0V, Tvj = 125°C - 1,20 - V
Rückstromspitze IF = 75 A, - diF/dt = 3000 A/µsec
peak reverse recovery current VR = 300V, VGE = -10V, Tvj = 25°C IRM -95-A
VR = 300V, VGE = -10V, Tvj = 125°C - 115 - A
Sperrverzögerungsladung IF = 75 A, - diF/dt = 3000 A/µsec
recovered charge VR = 300V, VGE = -10V, Tvj = 25°C Qr- 5,1 - µC
VR = 300V, VGE = -10V, Tvj = 125°C - 7,9 - µC
Abschaltenergie pro Puls IF = 75 A, - diF/dt = 3000 A/µsec
reverse recovery energy VR = 300V, VGE = -10V, Tvj = 25°C Erec ---mJ
VR = 300V, VGE = -10V, Tvj = 125°C - 2,3 - mJ
mJ
Eoff - 2,4 - mJ
Eon -
ISC - 340 - A
VF
0,7-
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BSM 75 GD 60 DLC
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules BSM 75 GD 60 DLC
Thermische Eigenschaften / Thermal properties min. typ. max.
Innerer Wärmewiderstand Transistor / transistor, DC - - 0,37 K/W
thermal resistance, junction to case Diode/Diode, DC - - 0,73 K/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink pro Modul / per module
λPaste = 1 W/m*K / λgrease = 1 W/m*K RthCK - 0,02 - K/W
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature Tvj - - 150 °C
Betriebstemperatur
operation temperature Top -40 - 125 °C
Lagertemperatur
storage temperature Tstg -40 - 125 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Innere Isolation
internal insulation Al2O3
CTI
comperative tracking index 225
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung 4Nm
mounting torque -15 15 %
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse -Nm
terminal connection torque -Nm
Gewicht
weight G 180 g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert.
Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics.
It is valid in combination with the belonging technical notes.
Schraube M5
screw M5
RthJC
M1
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BSM 75 GD 60 DLC
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules BSM 75 GD 60 DLC
IC [A]
VCE [V]
IC [A]
VCE [V]
0
25
50
75
100
125
150
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Ausgangskennlinie (typisch) IC = f (VCE)
Output characteristic (typical) VGE = 15V
0
25
50
75
100
125
150
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
VGE = 8V
VGE = 9V
VGE = 10V
VGE = 12V
VGE = 15V
VGE = 20V
Ausgangskennlinienfeld (typisch) IC = f (VCE)
Output characteristic (typical) Tvj = 125°C
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BSM 75 GD 60 DLC
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules BSM 75 GD 60 DLC
IC [A]
VGE [V]
IF [A]
VF [V]
0
25
50
75
100
125
150
5 6 7 8 9 10 11 12 13
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Übertragungscharakteristik (typisch) IC = f (VGE)
Transfer characteristic (typical) VCE = 20V
0
25
50
75
100
125
150
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) IF = f (VF)
Forward characteristic of inverse diode (typical)
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BSM 75 GD 60 DLC
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules BSM 75 GD 60 DLC
E [m J]
IC [A]
E [m J]
RG [Ω
ΩΩ
Ω]
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
4,5
5,0
0 15 30 45 60 75 90 105 120 135 150
Eon
Eoff
Erec
Schaltverluste (typisch) E on = f (IC) , Eoff = f (IC) , Erec = f (IC)
Switching losses (typical) RG,on = 3,0Ω,
Ω,Ω,
Ω,=
==
=RG,off = 3,0Ω
ΩΩ
Ω, VCC = 300V, Tvj = 125°C
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
0 5 10 15 20
Eon
Eoff
Erec
Schaltverluste (typisch) Eon = f (RG) , Eoff = f (RG) , Erec = f (RG)
Switching losses (typical) IC = 75 A , VCC = 300V , Tvj = 125°C
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BSM 75 GD 60 DLC
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules BSM 75 GD 60 DLC
ZthJC
[K / W]
t [sec]
i 1234
ri [K/kW] : IGBT 15,7 193,9 130,4 30,0
τi [sec] : IGBT 0,0020 0,0240 0,0651 0,6626
ri [K/kW] : Diode 257,3 246,7 155,0 71,1
τi [sec] : Diode 0,0980 0,0340 0,1069 0,9115
IC [A]
VCE [V]
Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)
Reverse bias safe operation area (RBSOA) VGE= +15V, RG,off = 3,0Ω
ΩΩ
Ω, Tvj= 125°C
Transienter Wärmewiderstand Z thJC = f (t)
Transient thermal impedance
0
25
50
75
100
125
150
175
0 100 200 300 400 500 600 700
IC,Modul
IC,Chip
0,01
0,1
1
0,001 0,01 0,1 1 10
Zth:IGBT
Zth:Diode
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BSM 75 GD 60 DLC
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules BSM 75 GD 60 DLC
Gehäusemaße / Schaltbild
Package outline / Circuit diagram
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BSM 75 GD 60 DLC
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