Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module TT B6C 135 N 12...181) (ISOPACK) N B6
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung Tvj = - 40°C...Tvj max VDRM, VRRM 1200, 1400 V
repetitive peak forward off-state and reverse voltages 1600, 1800 V
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung Tvj = - 40°C...Tvj max VDSM 1200, 1400 V
non-repetitive peak forward off-state voltage 1600, 1800 V
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung Tvj = + 25°C...Tvj max VRSM 1300, 1500 V
non-repetitive peak reverse voltage 1700, 1900 V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert (pro Element) ITRMSM 100 A
RMS on-state current (per chip)
Ausgangsstrom TC = 85°C Id 135 A
output current TC = 67°C 173 A
TA = 45°C, KM 11 49 A
TA = 45°C, KM 33 69 A
TA = 35°C, KM 14 (VL = 45l/s) 119 A
TA = 35°C, KM 33 (VL = 90l/s) 139 A
Stoßstrom-Grenzwert Tvj = 25°C, tp = 10ms ITSM 1000 A
surge current Tvj = Tvj max
, tp = 10ms 870 A
Grenzlastintegral Tvj = 25°C, tp = 10ms I²t 5000 A²s
I²t-value Tvj = Tvj max
, tp = 10ms 3780 A²s
Kritische Stromsteilheit DIN IEC 747-6 (di/dt)cr 120 A/µs
critical rate of rise of on-state current f = 50Hz, iGM = 0,6A, diG/dt = 0,6A/µs
Kritische Spannungssteilheit Tvj = Tvj max
, vD = 0,67 VDRM (dv/dt)cr
critical rate of rise of off-state voltage 8. Kennbuchstabe / 8th letter F 1000 V/µs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung Tvj = Tvj max
, iT = 150A vT max. 1,81 V
on-state voltage
Schleusenspannung Tvj = Tvj max V(TO) 0,95 V
threshold voltage
Ersatzwiderstand Tvj =Tvj max rT 4,3 mΩ
slope resistance
Zündstrom Tvj = 25°C, vD = 6V IGT max. 150 mA
gate trigger current
Zündspannung Tvj = 25°C, vD = 6V VGT max. 2,5 V
gate trigger voltage
Nicht zündender Steuerstrom Tvj = Tvj max
, vD = 6V IGD max. 5,0 mA
gate non-trigger current Tvj = Tvj max
, vD = 0,5 VDRM max. 2,5 mA
Nicht zündende Steuerspannung Tvj = Tvj max
, vD = 0,5 VDRM VGD max. 0,2 V
gate non-trigger voltage
Haltestrom Tvj = 25°C, vD = 6V, RA = 5Ω IH max. 200 mA
holding current
Einraststrom Tvj = 25°C, vD = 6V, RGK ≥ 20Ω IL max. 600 mA
latching current iGM = 0,6A, diG/dt = 0,6A/µs, tg = 10µs
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom Tvj = Tvj max iD, iR max. 10 mA
forward off-state and reverse currents vD = VDRM, vR = VRRM
1) gilt auch für / also valid for TD B6HK 135 N 12...18
MOD-E1; R. Jörke 29. Apr 99 A /99 Seite/page 1(6)
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Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module TT B6C 135 N 12...18 (ISOPACK) N B6
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Zündverzug DIN IEC 747-6 tgd max. 1,2 µs
gate controlled delay time Tvj = 25°C, iGM = 0,6A, diG/dt = 0,6A/µs
Freiwerdezeit Tvj = Tvj max, iTM = 50A tq
circuit commutated turn-off time vRM = 100V, VDM = 0,67 VDRM
dVD/dt = 20V/µs, -diT/dt = 10A/µs
7. Kennbuchstabe / 7th letter O typ. 190 µs
Isolations-Prüfspannung RMS, f = 50Hz, t = 1min VISOL 3,0 kV
insulation test voltage RMS, f = 50Hz, t = 1sec 3,6 kV
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand pro Modul / per module, Θ = 120°rect RthJC max. 0,098 °C/W
thermal resistance, junction to case pro Element / per chip, Θ = 120°rect max. 0,590 °C/W
pro Modul / per module, DC max. 0,078 °C/W
pro Element / per chip, DC max. 0,470 °C/W
Übergangs-Wärmewiderstand pro Modul / per module RthCK max. 0,033 °C/W
thermal resistance, case to heatsink pro Element / per chip max. 0,200 °C/W
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur Tvj max 125 °C
max. junction temperature
Betriebstemperatur Tc op - 40...+125 °C
operating temperature
Lagertemperatur Tstg - 40...+130 °C
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage Seite 3
case, see appendix page 3
Si-Elemente mit Lötkontakt, glaspassiviert
Si-pellets with soldered contact, glass-passivated
Innere Isolation Al2O3
internal insulation
Anzugsdrehmoment für mechanische Befestigung Toleranz / tolerance ±15% M1 6 Nm
mounting torque
Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse Toleranz / tolerance +5% / -10% M2 6 Nm
terminal connection torque
Gewicht G typ. 300 g
weight
Kriechstrecke 12,5 mm
creepage distance
Schwingfestigkeit f = 50Hz 50 m/s²
vibration resistance
Kühlkörper / heatsinks : KM 11; KM 14; KM 17; KM 33
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung
mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. / This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics.
It is valid in combination with the belonging technical notes.
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Phase Control Thyristor Module TT B6C 135 N 12...18 (ISOPACK) N B6
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Phase Control Thyristor Module TT B6C 135 N 12...18 (ISOPACK) N B6
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DC
Analytical elements of transient thermal impedance ZthJC for DC
Pos. n 1 2 3 4 5 6 7
0,18100 0,25100 0,03520
0,31800 0,03870 0,00109
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[ ]
R C W
thn
° /
[]
τn s
Analytische Funktion Z R e
thJC thn
t
n
n
n
:
max
= −
−
=
∑
1
1
τ
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Phase Control Thyristor Module TT B6C 135 N 12...18 (ISOPACK) N B6
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm Z
thJC = f(t)
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle Θ
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120° rect
DC
0,00
0,10
0,20
0,30
0,40
0,50
0,60
0,70
0,001 0,01 0,1 1 10
t [s]
Z
thJC [°C/W]
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Phase Control Thyristor Module TT B6C 135 N 12...18 (ISOPACK) N B6
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperatur T
C = f(Id)
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20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
130
140
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
Id [A]
T
C[°C]
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