Semiconductor Group 1 1998-07-13
SFH 310
SFH 310 FA
Neu: NPN-Silizium -Fototransistor
New: Silicon NPN Phototransistor
Wesentliche Merkmale
●Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 400 nm bis 1100 nm
(SFH 310) und bei 880 nm (SFH 310 FA)
●Hohe Linearität
●3 mm-Plastikbauform
Anwendungen
●Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
●Industrieelektronik
●“Messen/Steuern/Regeln”
Features
●Especially suitable for applications from
400 nm to 1100 nm (SFH 310) and of
880 nm (SFH 310 FA)
●High linearity
●3 mm plastic package
Applications
●Photointerrupters
●Industrial electronics
●For control and drive circuits
SFH 310
SFH 310 FA
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified
0.4
0.6
3.1
3.4
Area not flat
5.7
6.1
ø2.7
ø2.9
4.8
4.4
3.7
3.5
27.0
29.0
spacing
2.54 mm
0.8
0.4
0.4
0.7
0.4
0.6
1.2
1.8
GEX06710
0.9
1.1
Collector/
2.1
2.7
Chip position
Cathode
feof6653 feo06653
03.96
Semiconductor Group 2 1998-07-13
SFH 310
SFH 310 FA
Grenzwerte
Maximum Ratings
Typ
Type Bestellnummer
Ordering Code
SFH 310
SFH 310-2
SFH 310-3
Q62702-P874
on request
on request
SFH 310 FA
SFH 310 FA-2
SFH 310 FA-3
Q62702-P1673
on request
on request
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range Top; Tstg – 55 ... + 100 °C
Löttemperatur bei Tauchlötung
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit t ≤ 5 s
Dip soldering temperature ≥ 2 mm distance
from case bottom, soldering time t ≤ 5 s
TS260 °C
Löttemperatur bei Kolbenlötung
Lötstelle ≥ 2 mm vom Gehäuse,
Lötzeit t ≤ 3 s
Iron soldering temperature ≥ 2 mm distance
from case bottom, soldering time t ≤ 3 s
TS300 °C
Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage VCE 70 V
Kollektorstrom
Collector current IC50 mA
Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs
Collector surge current ICS 100 mA
Verlustleistung, TA = 25 °C
Total power dissipation Ptot 165 mW
Wärmewiderstand
Thermal resistance RthJA 450 K/W
Semiconductor Group 3 1998-07-13
SFH 310
SFH 310 FA
Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
SFH 310 SFH 310 FA
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity λS max 780 880 nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10 % von Smax
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of Smax
λ470 ... 1070 740 ... 1070 nm
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area A 0.19 0.19 mm2
Abmessung der Chipfläche
Dimensions of chip area L×B
L×W0.65 ×0.65 0.65 ×0.65 mm ×mm
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober-
fläche
Distance chip front to case surface
H2.1 ... 2.7 2.1 ... 2.7 mm
Halbwinkel
Half angle ϕ±25 ±25 Grad
deg.
Kapazität, VCE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0
Capacitance CCE 10 10 pF
Dunkelstrom
Dark current
VCE = 10 V, E = 0
ICEO 5 (≤ 100) 5 (≤ 100) nA
Fotostrom
Photocurrent
Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V
Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
VCE = 5 V
IPCE
IPCE
≥ 0.4
4≥ 0.4
–mA
mA
Semiconductor Group 4 1998-07-13
SFH 310
SFH 310 FA
Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen
Ziffern gekennzeichnet.
The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished
by arabian figures.
1) IPCEmin ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe
1) IPCEmin is the min. ph ot ocurrent of the specified grou p
Directional characteristics Srel = f (ϕ)
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
-1 -2 -3 -4
Fotostrom, λ = 950 nm
Photocurrent
Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V
SFH 310:
Ev = 1000 Ix, Normlicht/
standard light A, VCE = 5 V
IPCE
IPCE
0.4 ... 0.8
2.1
0.63 ... 1.25
3.4
1.0 ... 2.0
5.4
≥ 1.6
8.6
mA
mA
Anstiegszeit/Abfallzeit
Rise and fall time
IC = 1 mA, VCC = 5 V,
RL = 1 kΩ
tr, tf57 812µs
Kollektor-Emitter-
Sättigungsspannung
Collector-emitte r saturation
voltage
IC = IPCEmin1) ×0.3,
Ee = 0.5 mW/cm2
VCEsat 150 150 150 150 mV
Semiconductor Group 5 1998-07-13
SFH 310
SFH 310 FA
TA = 25 °C, λ = 950 nm
Rel.spectr. sensitivity SFH 310, Srel = f (λ)
Total power dissipation
Ptot = f (TA)
Dark current
ICEO = f (TA), VCE = 10 V, E = 0
OHF00871
tot
P
00
40
80
120
160
mW
200
20 40 60 80 ˚C 100
T
A
Rel. spectr. sensitivity SFH 310FA,Srel=f (λ)
Photocurrent
IPCE = f (VCE), Ee = Parameter
Capacitance
CCE = f (VCE), f = 1 MHz
λ
OHF02331
0
rel
S
400 600 800 1000 1200
20
40
60
80
%
100
nm
Photocurrent, IPCE = f (Ee), VCE = 5 V
Dark current
ICEO = f (VCE), E = 0
Photocu rrent IPCE = f (TA),
VCE = 5 V, normalized to 25 oC
T
OHF01524
A
0
-25
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0 25 50 75 100
Ι
PCE
PCE
Ι
25
C
