BAS70, BAS70-04, BAS70-05, BAS70-06
BAS70, BAS70-04, BAS70-05, BAS70-06
SMD Small Signal Schottky Diodes
SMD Kleinsignal-Schottkydioden
IFAV = 70 mA
VF1 < 0.41 V
Tjmax = 150°C
VRRM = 70 V
IFSM = 100 mA
trr < 5 ns
Version 2017-07-07
SOT-23
(TO-236)
Dimensions - Maße [mm]
Typical Applications
Signal processing, High-speed
switching, Polarity protection
Commercial grade 1)
Typische Anwendungen
Signalverarbeitung, Schnelles
Schalten, Verpolschutz
Standardausführung 1)
Features
Very high switching speed
Low junction capacitance
Low leakage current
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
Besonderheiten
Extrem schnelles Schalten
Niedrige Sperrschicht-Kapazität
Niedriger Sperrstrom
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1)
Taped and reeled 3000 / 7“ Gegurtet auf Rolle
Weight approx. 0.01 g Gewicht ca.
Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen
MSL = 1
Single
Diode
BAS70
1 = A 2 = n. c. 3 = C
Type
Code
73
Series
Connection
BAS70-04
1 = A1 2 = C2 3 = C1/A2
Type
Code
74
Common
Cathode
BAS70-05
1 = A1 2 = A2 3 = C1/C2
Type
Code
75
Common
Anode
BAS70-06
1 = C1 2 = C2 3 = A1/A2
Type
Code
76
Maximum ratings 2) Grenzwerte 2)
Power dissipation − Verlustleistung 3) Ptot 200 mW 4)
Max. average forward current – Dauergrenzstrom DC IFAV 70 mA 4)
Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom IFRM 70 mA 4)
Non repetitive peak forward surge current – Stoßstrom-Grenzwert tp ≤ 1 s IFSM 100 mA
Repetitive peak reverse voltage – Periodische Spitzensperrspannung VRRM 70 V
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-55...+150°C
-55…+150°C
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 TA = 25°C and per diode, unless otherwise specified – TA = 25°C und pro Diode, wenn nicht anders angegeben
3 Total power dissipation of both diodes − Summe der Verlustleistungen beider Dioden
4 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
Pb
E
L
V
W
E
E
E
R
o
H
S
2.4
1.3
±0.1
1.1
+0.1
0.4
+0.1
2.9
±0.1
12
3
Type
Code
1.9
±0.1
-0.05
-0.2
±0.2
21
3
2
3
1
21
3
21
3
BAS70, BAS70-04, BAS70-05, BAS70-06
Characteristics Kennwerte
Forward voltage
Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 1 mA
IF = 15 mA
VF
VF
< 410 mV
< 1000 mV
Leakage current
Sperrstrom Tj = 25°C VR = 50 V IR< 100 nA 1)
Breakdown voltage
Abbruchspannung Tj = 25°C IR = 10 µA VBR > 70 V 1)
Max. junction capacitance
Max. Sperrschichtkapazität VR = 0 V, f = 1 MHz CT2 pF
Reverse recovery time
Sperrverzug
IF = 10 mA über/through
IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA trr < 5 ns
Thermal resistance junction to ambient
Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung RthA < 625 K/W 2)
2
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2%
Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
2 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
2http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
[A]
IF
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
[%]
P
tot
120
100
80
60
40
20
0
[°C]
T
A
150100
50
0
Power dissipation versus ambient temperature )
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. )
2
2
