PNP SILICON TRANSISTORS, EPITAXIAL PLANAR * BC 77 TRANSISTORS PNP SILICIUM, PLANAR EPITAXIAUX * BC 178 BC 179 Compl. of BC 107, BC 108, BC 109 2K Preferred device Dispositif recommand The PNP planar epitaxial transistors BC 177, ~45V BC 177 3C 178 and BC 179 are intended for use in L.F. Vv -25V BC 178 jreamplifier and driver stages. The BC 179 is CEO toroseen for low noise stages. 20V BC 179 i veavial? le 100 mA .@8 transistors PNP planar pitaxial BC 177, BC 178 et 8C 179 sont destinds aux usages BF dans les tages BC 177 pramplificateur et driver. Le BC 179 est prvu hate 75 min. { our les tages faible bruit. BC 178 hoie 240 min. BC 179 F 4 dB max. BC 179 Maximum power dissipation Case TO-18 See outline drawing CB-6 on last pages Dissipation de puissance maximale Boitier Voir dessin cot | CB-6dernires pages Prot (Ww) N 0,6 (2) (1) In free air 5 AVair libre Cc Ce 0,4 + N B | (2) With infinite heat sink Tw Avee radiateur infini TSN ; Weight : 0,39. Collector is connected to case o BO 100 180 Tam C) Masse Le collecteur est reli au bo!tier ABSOLUTE RATINGS (LIMITING VALUES) = T =+25 C (Unless otherwise stated) VALEURS LIMITES ABSOLUES DUTILISATION amb (Sauf indications contraires} BC 177. BC178 BC 179 Emitter-base voltage Vv _ Tension metteur-base EBO -5 5 5 Vv Collector-emitter volta Tension collactour-dmettonr Vceo 45 25 20 v Sollector-emitter voltage Tension collecteur-metteur, Vces 50 30 25 v vollector current l _ _ _ Courant collecteur c 100 100 100 mA ?eak collector current Courant de crte de collecteur lom 200 200 200 mA 3ase current Dourant base 'g 50 50 60 mA Power dissipation Tamb =25C Prot 300 300 300 mw Dissipation de puissance T case 25C 750 750 750 mW Junction temperature T. . Temprature de jonction J 175 176 175 c Storage temperature T 55 55 55 c Temprature de stockage stg +175 +175 +175 c 75-47 8 THOMSON:CSF 319BC 177, BC 178, BC 179 STATIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES STATIQUES Tamb = 25C (Untess otherwise stated) (Sauft indications contraires} Test conditions Conditions de mesure Min. Typ. Max. Vep= 20V. Veeno lces 100 nA BE Courant rsiduel collecteur-metteur Collector-emitter cut-off current Vv =20V CE~ Vee =9 ces 4 WA Tomb = 125C BC 177 50 Vv Collector-emitter breakdown voltage Ice = 10uA Tension de claquage collecteur-metteur VeE= 0 ViBR )CES BC 178 |-30 v BC 179 25 Vv Collect itter breakdown voltage ! 2mA BC 177 | ~45 V ollector-emitter breakdown vo ec zn7 Vv Tension de claquage collecteur-6metteur I, =0 {BRICEO | BC 178 | 25 v B BC 179 | -20 v Tension de claquage metteur-base Ip =~10yA Vv Emitter-base, breakdown voltage a) (BR)EBO 6 Vv Static forward current transfer ratio | 1. = ama how vi 65 150 Valeur statique du rapport de transfert v 5V 21E A 110 240 direct du courant CE= B 200 480 Ile =-10mA c 4 Ip = -0,5mA 0,1 -0,2 V Collector-emitter saturation voltage Voce t Tension de saturation collacteur-6metteur sa te =-100mA BC 177 0,3 -0,95 Vv Ig =SmA BC 178 ~0,3 0,95 v In =-10mA Cc = Ip = -0,5mA 0.7 -08 V Tension de saturation base-metteur Vv Base-emitter saturation voltage BEsat Iq = -100mA BC 177 0,9 -1,2 Vv tg =-SmA BC 178 0,9 -1,2 Vv Tension base-metteur Io = 2mA . Base-emitter voltage Ip =5V VBE 0,55 -0,7 Vv *The transistors BC 177 and BC 178 are grouped in three classes od DC gain : Vi- AB Les transistors BC 177 et BC 178 sont subdivisds en trois classes de gain statique : Vi-A-B *The transistor BC 179 is selected in two classes of DC gain : A B Le transistor BC 179 est livr en deux classes de gain statique: A 8 2/8 320BC 177, BC 178, BC 179 TATIC CHARACTERISTICS ARACTERISTIQUES STATIQUES -'e 1420 ImA} 's 24 (mA) 16 12 uA 10 Voe v) 'c 12 (mA) | BA | | 4 | BA 20 Voe -'e 12 (mA) 0 10 20 30 4080 _ Veg tv) ws 321BC 177, BC 178, BC 179 STATIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES STATIQUES - 'g (mA) 0 02 04 06 O8 1 VveeWw ~'e 12 (mA) 0 8 1. 24 32 40 aly a) 'c 420 (mA) 100 80 20 0 02 04 06 O8 1 _vg hote 3 2,7 2,4 2,1 1,8 1,5 1,2 0,9 0,6 0,3 468 10 2 468, 2 468 1 10 - Io (mA] 4/8 322BC 177, BC 178, BC 179 TATIC CHARACTERISTICS ARACTERISTIQUES STATIQUES Veesat 1 iv) 08 06 0,4 0,2 2 468 2 468 2 10! 107 190 10 mle imA} - le (ma) 101 7 DYNAMIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES DY NAMIQUES Sib 9 (pF} Com 2 (pF) 18 1,6 08 06 0,4 0,2 0 0 0 1 2. 3 4 5 =Vegg (vl Ycso (v) 8/8 323BC 177, BC 178, BC 179 DYNAMIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES T (MHz) (aB) Vee =-5V =0,2 Rg =2kn T = 25C f (Hz) 6/8 324BC 177, BC 178, BC 179 DYNAMIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES 10 101Ligima) hate Mate 8 325BC 177, BC 178, BC 179 DYNAMIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES 'c 104 WA). 10? 10! 5 2 10 2 468 2 468 2 4686 ; 10? 10 10* 10 Rg ta) Rg (nt 8/8 326