SMZ10B ... SMZ200B (2 W, 2%)
SMZ10B ... SMZ200B (2 W, 2%)
Surface Mount Silicon-Zener Diodes (non-planar technology)
Flächendiffundierte Si-Zener-Dioden für die Oberflächenmontage
Version 2012-04-02
Dimensions - Maße [mm]
Maximum power dissipation
Maximale Verlustleistung
2 W
Nominal Z-voltage
Nominale Z-Spannung
10...200 V
Plastic case MELF
Kunststoffgehäuse MELF
DO-213AB
Weight approx. – Gewicht ca. 0.12 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Zener voltage is selected to a tolerance of ~ ±2%.
Die Zener-Spannung ist selektiert auf ~ ±2% Toleranz.
Maximum ratings and Characteristics Grenz- und Kennwerte
SMZ-series
Power dissipation
Verlustleistung
TA = 50°C Ptot 2 W 1)
Non repetitive peak power dissipation, t < 10 ms
Einmalige Impuls-Verlustleistung, t < 10 ms
TA = 25°C PZSM 60 W
Max. operating junction temperature – Max. Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
+150°C
-50...+175°C
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA <45 K/W 1)
Thermal resistance junction to terminal
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss
RthT <15 K/W
Zener voltages see table on next page – Zener-Spannungen siehe Tabelle auf der nächsten Seite
2
1 Mounted on P.C. board with 50 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 50 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
2 Tested with pulses – Gemessen mit Impulsen
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
Type
Typ
0.5 0.5
5.0 2.5
SMZ10B ... SMZ200B (2 W, 2%)
Maximum ratings Grenzwerte
Type
Typ
Zener voltage 2)
Zener-Spannung 2)
IZ = IZtest
Test current
Meßstrom
Dynamic resistance
Diff. Widerstand
IZtest / f = 1 kHz
Temp. Coeffiz.
of Z-voltage
…der Z-Spannung
Reverse volt.
Sperrspanng.
IR = 1 μA
Z-current 1)
Z-Strom 1)
TA = 50°C
Vzmin [V]
Vzmax [V]
IZtest [mA]
rzj [Ω]
αVZ [10-4 /°C]
VR [V]
IZmax [mA]
9.79
10.21
50
2 (<4)
+5…+9
> 5
189
10.79
11.21
50
4 (<7)
+5…+10
> 5
172
11.79
12.21
50
4 (<7)
+5…+10
> 7
157
12.68
13.32
50
5 (<10)
+5…+10
> 7
142
14.68
15.32
50
5 (<10)
+5…+10
> 10
128
15.68
16.32
25
6 (<15)
+6…+11
> 10
117
17.58
18.42
25
6 (<15)
+6…+11
> 10
105
19.58
20.42
25
6 (<15)
+6…+11
> 10
94
21.58
22.42
25
6 (<15)
+6…+11
> 12
86
23.48
24.52
25
7 (<15)
+6…+11
> 12
78
26.48
27.52
25
7 (<15)
+6…+11
> 14
69
29.38
30.62
25
8 (<15)
+6…+11
> 14
63
32.3
33.8
25
8 (<15)
+6…+11
> 17
57
35.2
36.8
10
16 (<40)
+6…+11
> 17
53
38.1
39.9
10
20 (<40)
+6…+11
> 20
49
42.0
44.0
10
24 (<45)
+7…+12
> 20
43
46.0
48.0
10
24 (<45)
+7…+12
> 24
40
49.9
52.1
10
25 (<60)
+7…+12
> 24
37
54.8
57.2
10
25 (<60)
+7…+12
> 28
33
60.7
63.3
10
25 (<80)
+8…+13
> 28
30
66.5
69.5
10
25 (<80)
+8…+13
> 34
28
73.4
76.6
10
30 (<100)
+8…+13
> 34
25
80.3
83.7
10
30 (<100)
+8…+13
> 41
23
89.1
92.9
5
40 (<200)
+9…+13
> 41
21
97.9
102.1
5
60 (<200)
+9…+13
> 50
19
108
112
5
80 (<250)
+9…+13
> 50
18
118
122
5
80 (<250)
+9…+13
> 60
16
127
133
5
90 (<300)
+9…+13
> 60
15
147
153
5
100 (<300)
+9…+13
> 75
13
157
163
5
110 (<350)
+9…+13
> 75
12
176
184
5
120 (<350)
+9…+13
> 90
11
196
204
5
150 (<350)
+9…+13
> 90
10
1 Notes see previous page – Fußnoten siehe vorhergehende Seite
2http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
SMZ10B ... SMZ200B (2 W, 2%)
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 3
120
100
80
60
40
20
0
[%]
P
tot
Power dissipation versus ambient temperature )
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. )
1
1
[°C]
T
A
150100
50
0
10
10
1
10
10
2
-1
-2
[A]
I
F
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
0.4 V
F
0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8
T = 25°C
j
T = 125°C
j
30a-(1a-1.1v)
[pF]
[V]
C
j
V
Z
T = 25°C
f = 1.0 MHz
j
V = 0V
R
V = 4V
R
V = 20V
R
V = 40V
R
Junction capacitance vs. zener voltage (typical)
Sperrschichtkapazität in Abh. v.d. Zenerspg. (typ.)
10 18 24
30 36 43 51
62
56
68 75 82 91 100
T = 25°C
jI
ZT
IZmax
Typical breakdown characteristic
Typische Abbruchspannung
– tested with pulses
– gemessen mit Impulsen