4 – 52
三菱半導体〈一般用サイリスタ〉
FT1500CH-54
大電力一般用
ダイナミックゲート形，平形
FT1500CH-54 外形図 単位：mm
用 途
化学用直流電源、溶接機制御、サイリスタレオナード電源
¡IT(AV) 平均オン電流 ………………………… 1500A
¡VDRM ピーク繰返しオフ電圧 ……………… 2700V
¡平形
商用周波数，正弦半波180度連続通電，Tf = 73°C
60Hz正弦半波1サイクル波高値，非繰返し
1サイクルサージオン電流に対する値
VD = 1/2VDRM，IG = 1.0A，Tj = 125°C
推奨値29.4
標準値
IT(RMS)
IT(AV)
ITSM
I2t
diT/dt
PFGM
PFG(AV)
VFGM
VRGM
IFGM
Tj
Tstg—
—
記 号
VRRM
VRSM
VR(DC)
VDRM
VDSM
VD(DC)
ピーク繰返し逆電圧
ピーク非繰返し逆電圧
直流逆電圧
ピーク繰返しオフ電圧
ピーク非繰返しオフ電圧
直流オフ電圧
項    目
V
V
V
V
V
V
最大定格
耐  圧  ク  ラ  ス
A
A
kA
A2s
A/ms
W
W
V
V
A
°C
°C
kN
g
記 号 項    目 条    件 単位定  格  値
2350
1500
30
3.75 × 106
200
10
3.0
20
10
4.0
–40 ~ +125
–40 ~ +150
26.5 ~ 32.3
690
実効オン電流
平均オン電流 
サージオン電流
電流二乗時間積
臨界オン電流上昇率
ピークゲート損失
平均ゲート損失
ピークゲート順電圧
ピークゲート逆電圧
ピークゲート順電流
接合温度
保存温度
圧接力強度
質量
単位
54
2700
2850
2160
2700
2700
2160
陰極
補助陰極端子（赤）
ゲート（白）
形名
陽極
M5×0.8フカサ2.5
f102max
0.4min21±0.5 0.4min
f60
f60
f4.3
7.5
7.5
300±8
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4 – 53
IRRM
IDRM
VTM
dv/dt
VGT
VGD
IGT
Rth(j-f)
三菱半導体〈一般用サイリスタ〉
FT1500CH-54
大電力一般用
ダイナミックゲート形，平形
逆電流
オフ電流
オン電圧
臨界オフ電圧上昇率
ゲートトリガ電圧
ゲート非トリガ電圧
ゲートトリガ電流
熱抵抗
mA
mA
V
V/ms
V
V
mA
°C/W
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1000
—
0.20
—
—
記 号 項    目 測 定 条 件 規  格  値
最 小 標 準 最 大 単位
120
120
2.0
—
2.5
—
250
0.017
電気的特性
Tj = 125°C，VRRM 印加
Tj = 125°C，VDRM 印加
Tj = 125°C，ITM = 4700A
Tj = 125°C，VD = 1/2VDRM
Tj = 25°C，VD = 6V，RL = 2Ω
Tj = 125°C，VD = 1/2VDRM
Tj = 25°C，VD = 6V，RL = 2Ω
接合−フィン間
定格特性図
40
30
25
15
5
0
10
20
35
10023 5710
123 5710
2
0.020
02310–3 5710
–2
231005710
1
10–1
23 57 23 5710
0
0.016
0.012
0.008
0.004
0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
105
7
5
3
2
104
7
5
3
2
103
7
5
3
2
102
Tj = 125°C
100
231015710
223 5710
323 5710
4
7
5
3
2
101
7
5
3
2
7
5
3
2
10–1
VFGM = 20V PFGM = 10W
VGT = 2.5V
VGD = 0.20V
PFG(AV) = 3.0W
IFGM = 4.0A
IGT
25°C
–40°C
Tj = 125°C
オン電流 (A)
オン電圧 (V)
最大オン状態特性
サージオン電流 (kA)
通電時間
（60Hzにおけるサイクル数）
定格サージオン電流
過渡熱インピーダンス (°C/W)
時間 (s)
最大過渡熱インピーダンス特性
（接合−フィン間）
ゲート電圧 (V)
ゲート電流 (mA)
ゲート特性
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4 – 54
三菱半導体〈一般用サイリスタ〉
FT1500CH-54
大電力一般用
ダイナミックゲート形，平形
3200
2400
2000
1200
400
016000
800
1600
2800
400 800 1200
θ= 30° 60° 90° 120° 180°
θ
360°
抵抗，誘導負荷
160
120
100
60
20
016000
40
80
140
400 800 1200
DC DC
360°
抵抗，誘導負荷
θ
θ= 90°
120°
平均風速5m/s
θ= 90°
自冷
BP18-Rフィン
180°
130
110
100
80
60
50 16000
70
90
120
400 800 1200
θ
360°
抵抗，誘導負荷
θ= 30° 60° 90° 180°120°
160
120
100
60
20
016000
40
80
140
400 800 1200
θ= 30°
180°
180°
θ
360°
抵抗，誘導負荷
120°
平均風速5m/s
θ=
90°
自冷
BP18-Rフィン
60°
90°
0
1000
500
200015001000500 2500
2500
1500
2000
4000
3500
3000
0
θ= 30° 60°
DC
120°
180° 270°
360°
抵抗，誘導負荷
θ
90°
0
70
80
60
200015001000500 2500
100
90
120
110
130
50
360°
抵抗，誘導負荷
θ
DC
270°θ= 30° 60° 90° 180°
120°
オン状態損失 (W)
平均オン電流 (A)
最大オン状態損失特性
（単相半波）
フィン温度 (°C)
平均オン電流 (A)
平均オン電流の限界値
（単相半波）
オン状態損失 (W)
平均オン電流 (A)
最大オン状態損失特性
（方形波）
フィン温度 (°C)
平均オン電流 (A)
平均オン電流の限界値
（方形波）
周囲温度 (°C)
平均オン電流 (A)
＊平均オン電流の限界値
（単相半波，自冷，風冷）
周囲温度 (°C)
平均オン電流 (A)
＊平均オン電流の限界値
（方形波，自冷，風冷）
＊印にて示す特性値は当社の冷却フィンと組み合わせた場合の代表値です。
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4 – 55
三菱半導体〈一般用サイリスタ〉
FT1500CH-54
大電力一般用
ダイナミックゲート形，平形
160
100
80
40
20
0140–60 –20 20 60
140
100
60
120 # 1
# 2
VD = 6V
RL = 2Ω
DC法
500
400
300
200
100
0140–60 –20 20 60 100
IL
IH
t
0
iG, iA
IL
tgw
IG
抵抗可変法
ILの条件：
IHの条件：
VD = 6V
IG = 750mA
tgw = 200ms
VD = 12V
1.6
1.0
0.8
0.4
0.2
0140–60 –20 20 60
1.4
100
0.6
1.2 # 1
# 2
VD = 6V
RL = 2Ω
DC法
23 57
800
23 57
1600
2400
3200
400
1200
2000
2800
0103104
102
# 1
# 2
0.632VD
dv/dt = T
VD
0.632VD
t
0T
VD
指数関数
波形
ゲート開放
Tj = 125°C
ブレークオーバ電圧 (V)
オフ電圧上昇率 (V/ms)
ブレークオーバ電圧−オフ電圧上昇率
（代表例）
ゲートトリガ電流 (mA)
接合温度 (°C)
ゲートトリガ電流−接合温度
（代表例）
保持電流IH(mA)及びラッチング電流IL(mA)
接合温度 (°C)
保持電流及びラッチング電流−接合温度
（代表例）
ターンオン時間 (ms)
ゲート電流 (mA)
ターンオン時間−ゲート電流
（代表例）
ターンオフ時間 (ms)
接合温度 (°C)
ターンオフ時間−接合温度
（代表例）
ゲートトリガ電圧 (V)
接合温度 (°C)
ゲートトリガ電圧−接合温度
（代表例）
10223 5710
3
4.0
2.0
23 5710
4
6.0
8.0
10.0
0
# 1
# 2
0.1VD
t
0
VAK, iG
VD
0.1 IGM IGM
tgt
diG/dt = 1.0A/ms
VD = 1/2VDRM
ITM = 3000A
diT/dt = 200A/ms
Tj = 125°C
800
600
01600
200
400
40 80 120
t
VAK, iA
VR
di/dt
dv/dt
0
+
–tq
VDITM
ITM = 1500A
di/dt = 1.0A/ms
VR = 50V
VD = 1/2VDRM
dv/dt = 20V/ms
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4 – 56
三菱半導体〈一般用サイリスタ〉
FT1500CH-54
大電力一般用
ダイナミックゲート形，平形
オン電流減少率 (A/ms)
逆回復電荷 (mC)
逆回復電荷−オン電流減少率
（代表例）
接合温度 (°C)
逆回復電荷 (mC)
逆回復電荷−接合温度
（代表例）
ターンオフ時間 (ms)
オフ電圧上昇率 (V/ms)
ターンオフ時間−オフ電圧上昇率
（代表例）
10
2
10
1
10
0
23 57
200
23 57
400
600
800
100
300
500
700
0
t
V
AK,
i
A
V
R
d
i
/d
t
d
v
/d
t
0
+
–t
q
V
D
I
TM
I
TM
= 1500A
d
i
/d
t
= 1.0A/ms
V
R
= 50V
V
D
= 1/2V
DRM
T
j
= 125°C
5000
4000
3000
2000
1000
01600 40 80 120
# 1
# 2
t
trr
trr
×
Irm
Q
RR
= 2
Irm
I
TM
V
AK,
i
A
V
RM
d
i
/d
t
0
+
–
I
TM
= 1500A
d
i
/d
t
= –30A/ms
V
RM
= 150V
10
2
10
4
7
5
3
2
10
0
23 5710
1
10
3
7
5
3
2
23 5710
2
I
TM
= 1500A
V
RM
= 150V
T
j
= 125°C
# 2
# 1
t
trr
trr
×
Irm
Q
RR
= 2
Irm
I
TM
V
AK,
i
A
V
RM
d
i
/d
t
0
+
–
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動作する場合があります。弊社の半導体製品の故障又は誤動作によって結果として、
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