Technische Information / technical information DD1200S33KL2C_B5 IGBT-Module IGBT-modules Diode-Wechselrichter / diode-inverter Vorlaufige Daten preliminary data Hochstzulassige Werte / maximum rated values # $ % 0 0+ $ &' ( )*+ &' ( )*+ $ 1 # % 6 27 5(" 1 $ ,- ( $ 9 ,8 5 ( " 8 &' ( " )*+ &' ( " )*+ 1 < ,--. // // , 23 " 4 23-. 4 27 %47 #-:. " %; 3=> ?@> " 8 A Charakteristische Werte / characteristic values 0 $ 1 E 23 ( " 23 ( " $ % % G$ $ $ $ 4 $ 2 ;O # $ 1 48 ,BC ( 48 ,BC ( 23 ( " 48 ,- ( " , ,BC ( ") , 3F 23 ( " 48 ,- ( " , ,BC ( ") , 3F 23 ( " 48 ,- ( " , ,BC ( ") , 3F ! , , &' ( )*+ &' ( " )*+ () 4FA () 4FA () 4FA 0 $ $ ;O 1 8 % 0 F V5WXQK ( " ;FY Z [ F V\IKWXK ( " ;FY Z [ !" 1 9! ! ! ! , , &' ( )*+ &' ( " )*+ 2-. " "D 4 4 &' ( )*+ &' ( " )*+ HI " " ) A+ A+ &' ( )*+ &' ( " )*+ JIKL M) ") N N EQRST 8P U ,3 ! 8D 8)) EQRT] "M8 "D8 F%; F%; Technische Information / technical information DD1200S33KL2C_B5 IGBT-Module IGBT-modules Vorlaufige Daten preliminary data Modul / module 2 # $ $ $ 4 $ 9 % J $ $ 6 $ < 8 (" ! E< 8 ( ) 8 H5b " +Y ! 2J+ " &' ( )*+8 " 0+ < E< 8 ( ) M[ ,^_a " 8 %, ,^_a )8" %, ,TC b ") , $ < 4 2 4c % $ d + % , $ 1 $ 9 % $ % % %G % F F % D 8 )D8 % % %G % F F % 8 D8 $ + 2 eD ! U $ $ ;O 1 8 < % < 4 < F V5WXQK ( " ;FY Z [ F V\IKWXK ( " ;FY Z [ % O $ 1 + O P 9 T ( )*+8 $ 1 $ F ! $ 4 $ F%; dXTC ) !k l ! % !4 l $ $ 1 ETTfgCCf 8/M h F &' ?Wi ") *+ ; F &' =j " ) *+ XQ\ " ) *+ )8M) c 8" " c c $ $ 8 ; d $ 4 9! 8 8 G EQRT] ! F 1 <D < 8 ) F F 1< 1< < "8 8 6 1 1 $ 6 " ) Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehorigen technischen Erlauterungen. This technical information specifies semiconductor devices but guarantees no characteristics. It is valid with the appropriate technical explanations. !" 2 $ Technische Information / technical information DD1200S33KL2C_B5 IGBT-Module IGBT-modules 0 m% 1 23 ( Y,3[ 0 ; !Y Y [ 0 1 $ JIKL ( Y23[ EB=> ( h8 ,TC ( " [ 2400 &' ( )*+ &' ( " )*+ !Y Y [ [ , JIKL8 &' ( " )*+ 2000 1600 1500 J n No 23 n4o ; 2500 2000 1200 1000 800 500 400 0 Vorlaufige Daten preliminary data 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 !Y Y [ ,3 n,o 0 ; 1 $ JIKL ( YEB[ 23 ( " 48 ,TC ( " , 3,0 3,5 0 4,0 0 [ 300 ;O 600 1 900 1200 1500 1800 2100 2400 23 n4o 0 ; ! pQRST ( Y [ 2500 100 JIKL8 &' ( " )*+ pQRST 0 2000 10 J n No pQRST n F%;o 1500 1000 1 500 @n F%;o @n o 0 0 1 2 3 4 5 6 7 EB nho 8 0,1 0,001 9 10 11 12 !" 3 0,01 0,1 n o " M8D) 8 / / 8 ) "8 8" 8/ 1 8 " 10 Technische Information / technical information DD1200S33KL2C_B5 IGBT-Module IGBT-modules 4 0 ; ! Y q4[ Y q4[ 2- ( Y,-[ &' ( " )*+ 3000 2400 2- n4o 1800 1200 600 2-8 < 0 0 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500 ,- n,o !" 4 Vorlaufige Daten preliminary data Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-modules DD1200S33KL2C_B5 Schaltplan / circuit diagram Gehauseabmessungen / package outlines !" 5 Vorlaufige Daten preliminary data