DO 35 a DO7 (CB 102) (cB 26) Silicon signal diodes - High voltage switching Tamb 25 C Diodes de signal au silicium - Commutation haute tension Type Case Vra-VaM fo VE Ip ir VA IR /VR c ter IF ORS 75 Boitier | (V) (mA) iv) (mA) tnay/ (V+ uA} / iv) (pF) | {ns} {mA} | page max max max max Tamb 150C | max max max typ BAV 20 F 80 180 200 1 100 100 5 50 30 349 BAV 21 F 80 260 200 1 100 100 5 50 30 349 BAW13 FF 80 200-200 = 200(1)_ 1,2 200 100 200! 3.5 888 BAX16 FBO 150-150 200 143 100 100 0 100-180, 10 120 30877 BAX17 F80 200-200 200 1,2. 200 500 200 100 200 10 120 30.377 BAY80 Fa 120-150 100 1 100 60 3 SF.D 46 F 80 150 - 150 100 1 50 18 30 An SF.D 49 Feo 200-200 1000 130 SO - 7 .30 473 (1) Tamb 100C (2) Tamp 128 C oo 7 ; a : Low leakage silicon signal diodes Diodes de signal au silicium a faible courant de fuite Tamb 25 C 1N 458A bO?7 125-125 150 1 100 25 125 5 125 5 245 1N 3695 DO? 125 - 125 150 1 200 1 125 3 125 8 3 10 275 1N 3595E 1 DO7 125 - 150 150 1 200 1 125 3 125 8 3 10 # 1N 3595 E 2007 125 - 150 150 1 200 2 126 3 125 8 3 10 # IN3585E3DO7 125-150 180 1 200 3 1253 125, 8 3 10 # 1N 3595S DO? 425-125 150 1 200 3 125 3 125 8 3 10 # Silicon signal diodes ~ Switching ( avalanche types ) Tamb 25 C Diodes de signal au silicium - Commutation ( types 4 avalanche } Type Case VRM le WRRM Ve {FE Ir VR Cc ter Ip DRS 75 Boitier (v) {mA) (md) (Vv) (mA) (nA} (v) (pF) (ns) | (mA)| page max { max max max max max BAW21A F 80 90 - 158 400 5 1,25 400 10070 35 300 30 357 BAW 21B F 80 120-175 400 5 1,25 400 100 90 35 300 30 357 BAX 12 DO 36 120-175 400 5 1,25 400 100 90 35 50 30 369 BAX 14 DO 35 20 - 40 300 1A 300 100 20 35 50 30 373 # To be pubfished later Sera publie ultrieurement 77