P600A ... P600U
P600A ... P600U
Silicon Rectifier Diodes – Silizium-Gleichrichterdioden
Version 2012-10-01
Dimensions - Maße [mm]
Nominal Current
Nennstrom
6 A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
50...1400 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Ø 8 x 7.5 [mm]
P600 Style
Weight approx.
Gewicht ca.
1.3 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Maximum ratings Grenzwerte
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
P600A 50 50
P600B 100 100
P600D 200 200
P600G 400 400
P600J 600 600
P600K 800 800
P600M 1000 1000
P600S 1200 1200
P600U 1400 1400
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TA = 50°C IFAV 6 A 1)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz IFRM 60 A 1)
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C IFSM 400/450 A
Rating for fusing, Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 800 A2s
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-50...+175°C
-50...+175°C
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
Type
Ø
±0.05
1.2
Ø
±0.1
8
7,5
±0.1
62.5
±0.5
P600A ... P600U
Characteristics Kennwerte
Forward voltage – Durchlass-Spannung Tj = 25°C
Tj = 25°C
IF = 5 A
IF = 6 A
VF
VF
< 1.0 V
< 1.1 V
Leakage current – Sperrstrom Tj = 25°C VR = VRRM IR< 10 µA
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA < 20 K/W 1)
Thermal resistance junction to leads
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht
RthL < 4 K/W
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
120
100
80
60
40
20
0
[%]
I
FAV
Rated forward current versus ambient temperature )
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. )
1
1
[°C]
T
A
150100
50
0
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
10
10
10
1
10
3
2
-1
[A]
I
F
0.4 V
F
0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8
T = 25°C
j
T = 125°C
j
400a-(5a-1v)
Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz
Durchlass-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz
10
10
10
3
2
[A]
î
F
1 10 10 [n] 10
2 3
