SH
Schnelle beschaltungslose Diode
Fast Hard Drive Diode
Datenblatt / Data sheet
D 1131SH
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Kenndaten
Elektrische Eigenschaften
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Rückwärts-Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltages
Tvj = 0°C... Tvj max V
RRM
6500 V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
I
FRMSM 2230 A
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 85°C, f=50Hz
TC = 60°C, f=50Hz
IFAVM 1130
1420
A
A
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
IFSM 22000
A
A
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
I²t 2400
10³ A²s
10³ A²s
Max. Ausschaltverluste
max. turn-off losses
Tvj = Tvjmax
IFM = 2500A, -di/dt = 1000A/µs,
VCL = 2800V,
clamp circuit LS 0,25µH,
R
C
L = 68
Ω
,
D
C
L = 34DSH65
,
Wmax 5MW
Charakteristische Werte / Characteristic values
Gleichsperrspannung
continuous direct reverse voltage
failure rate λ < 100
VR(D) estimate
value
3200 V
Durchlaßspannung
on-state voltage
Tvj = Tvj max , iF = 2500A
vF
typ.
max.
5,2
5,6
V
V
Schleusenspannung
threshold voltage
Tvj = Tvj max V
(TO) typ.
max.
1,98
2,19
V
V
Ersatzwiderstand
slope resistance
Tvj = Tvj max r
T typ.
max.
1,29
1,37
m
m
A 0,701766
B 2,1127E-4
C -0,078352
typ.
D 0,091681
A 0,700158
B 2,7932E-4
C -0,044041
Durchlaßkennlinie 1000A ≤ iF ≤ 2500A
on-state characteristic
Tvj = Tvj max
max.
D 0,09125
Spitzenwert der Durchlassverzögerungsspannung
peak value of forward recovery voltage
Tvj = Tvjmax, diF/dt = 5000A/µs
IFM = 4000A
VFRM typ. 360 V
Sperrstrom
reverse current
Tvj = Tvj max, vR = VRRM i
R max. 150 mA
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Qr max. 3500 µAs
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
IRM max. 1300 A
Ausschaltverlust Energie
turn-off energy
Tvj = Tvjmax
IFM = 2500A, -di/dt = 1000A/µs,
VCL = 2800V,
clamp circuit LS 0,25µH,
RCL = 68Ω, DCL = 34DSH65, Eoff max. 8 Ws
Abklingsanftheit
reverse recovery softness factor
Tvj = Tvjmax
IFM = 2500A, VR = 2800 V,
dirr/dt(i=0) = 1000A/µs, t = 200ns
FRRS typ. 1,6
prepared by: C. Schneider date of publication: 2003-10-24
approved by: R. Keller revision: 5
T
TTF iDiLnCiBAv ⋅++⋅+⋅+= )1(
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Thermische Eigenschaften
Mechanische Eigenschaften
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, DC
RthJC
max.
max.
max.
max.
0,00827
0,0075
0,0133
0,0172
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
RthCH
max.
max.
0,0025
0,0050
°C/W
°C/W
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
T
vj max 140 °C
Betriebstemperatur
operating temperature
T
c op 0...+140 °C
Lagertemperatur
storage temperature
T
stg -40...+150 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
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Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
76DSX65
Anpresskraft
clamping force
F 36...52 kN
Gewicht
weight
G typ. 1350 g
Kriechstrecke
creepage distance
33 mm
Luftstrecke
air distance
17 mm
Feuchteklasse
humidity classification
DIN 40040 C
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz 50 m/s²
Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in
Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging
technical notes.
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Maßbild
12
1: Anode/Anode
2: Kathode/Cathode
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R,t – Werte
R
R,T-Werte
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC
Pos. n 1 2 3 4 5 6 7
Rthn [°C/W] 0,00295 0,002 0,00154 0,00098 0,00003
beidseitig
two-sided τn [s] 0,78008 0,13092 0,02165 0,00514 0,00104
Rthn [°C/W] 0,00804 0,00081 0,00239 0,0016 0,00046
anodenseitg
anode-sided τn [s] 5,11029 0,35916 0,09623 0,01197 0,00332
Rthn [°C/W] 0,0121 0,0004 0,00244 0,00155 0,00071
kathodenseitig
cathode-sided τn [s] 4,97289 0,48885 0,12071 0,01530 0,00427
Analytische Funktion / Analytical function: Σ−
=
τ
max
n
n=1 thnthJC n
-t
e1RZ
0
0,005
0,01
0,015
0,02
0,025
0,03
0,001 0,01 0,1 1 10 100
t [s]
Zth JC [K/W]
c
a
d
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC/ Transient thermal impedance Z thJC = f(t) for DC
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
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Diagramme
Diagramme
Durchlasskennlinie
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
01234567
vF [V]
iF [V]
typ. max.
Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting on-state characteristic iF = f(vF)
Tvj = Tvj max
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Tc beidseitig
IFM=100A
IFM=500A
IFM=1000A
IFM=2500A
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
0 200 400 600 800 1000 1200 1400
-di/dt [A/µs]
Qr [µAs]
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt)
Tvj=Tvjmax, VCL = 2800V, clamp circuit LS 0,25µH,
RCL = 68CCL = 3µF, DCL = 34DSH65
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IFM=100A
IFM=500A
IFM=1000A
IFM=2500A
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
0 200 400 600 800 1000 1200 1400
-di/dt [A/µs]
IRM
[A]
Rückstromspitze / peak reverse recovery current IRM = f(-di/dt)
Tvj=Tvjmax, VCL = 2800V, clamp circuit LS 0,25µH,
RCL = 68CCL = 3µF, DCL = 34DSH65
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IFM=100A
IFM=500A
IFM=1000A
IFM=2500A
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
0 200 400 600 800 1000 1200 1400
-di/dt [A/µs]
E
off
[Ws]
Ausschaltverlust Energie / turn-off energy Eoff = f(-di/dt)
Tvj=Tvjmax, VCL = 2800V, clamp circuit LS 0,25µH,
RCL = 68CCL = 3µF, DCL = 34DSH65
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Ta bei Sinus
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
0 1000 2000 3000 4000 5000 6000
diF/dt [A/µs]
VFRM
[V]
typ
Spitzen-Durchlassverzögerungsspannung / peak forward recovery voltage VFRM = f(diF/dt)
Tvj=Tvjmax, IFM = 4000A
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staff. This Data Sheet is describing the specification of the products for which a
warranty is granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply
agreement. There will be no guarantee of any kind for the product and its
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