LD 242
GaAs-IR-Lumineszenzdiode
GaAs Infrared Emitter
2000-01-01 1 OPTO SEMICONDUCTORS
Wesentliche Merkmale
• Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren
• Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden
verbunden
• Hohe Zuverlässigkeit
• Gute spektrale Anpassung an
Si-Fotoempfänger
• Hermetisch dichtes Metallgehäuse
• Gehäusegleich mit BP 103, BPX 63, SFH 464,
SFH 483
Anwendungen
• Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
• IR-Gerätefernsteuerungen
• Sensorik
• Lichtgitter
Typ
Type Bestellnummer
Ordering Code Gehäuse
Package
LD 242 Q62703-Q151 Bodenplatte nach 18 A3 DIN 41876 (TO-18), klares
Epoxy-Gießharz, linsenförmig im 2.54-mm-Raster (1/10’’)
Base plate as per 18 A3 DIN 41876 (TO-18), transparent
epoxy resin lens, solder tabs lead spacing 2.54 mm (1/10’’)
LD 242-2/3 Q62703-Q4749
LD 242-3 Q62703-Q199
LD 242 E7800 Q62703-Q3509
Features
• Fabricated in a liquid phase epitaxy process
• Anode is electrically connected to the case
• High reliability
• Matches all Si-Photodetectors
• Hermetically sealed package
• Same package as BP 103, BPX 63, SFH 464,
SFH 483
Applications
• Photointerrupters
• IR remote control of various equipmet
• Sensor technology
• Light-grille barrier
2000-01-01 2 OPTO SEMICONDUCTORS
LD 242
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range Top;Tstg – 40 …+ 80 °C
Sperrspannung
Reverse voltage VR5V
Durchlaßstrom, TC = 25 °C
Forward current IF300 mA
Stoßstrom, τ≤10 µs, D = 0
Surge current IFSM 3A
Verlustleistung, TC = 25 °C
Power dissipation Ptot 470 mW
Wärmewiderstand
Thermal resistance RthJA
RthJC
450
160 K/W
K/W
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
IF = 100 mA, tp = 20 ms
λpeak 950 nm
Spektrale Bandbreite bei 50% von Imax
Spectral bandwidth at 50% of Imax
IF= 100 m A, tp = 20 ms
∆λ 55 nm
Abstrahlwinkel
Half angle ϕ±40 Grad
deg.
Aktive Chipfläche
Active chip area A0.25 mm2
Abmessungen der aktiven Chipfläche
Dimension of the active chip area L×B
L×W0.5 ×0.5 mm
Abstand Chipoberfläche bis Linsenscheitel
Distance chip surface to lens top H0.3 …0.7 mm
LD 242
2000-01-01 3 OPTO SEMICONDUCTORS
Schaltzeiten, Ie von 10% auf 90% und von 90%
auf 10%, bei IF = 100 mA, RL = 50 Ω
Switching times, Ie from 10% to 90% and from
90% to 10%, IF = 100 mA, RL = 50 Ω
tr,tf1µs
Kapazität
Capacitance
VR = 0 V
Co40 pF
Durchlaßspannung
Forward voltage
IF = 100 mA
IF = 1 A, tp = 100 µsVF
VF
1.3 (≤ 1.5)
1.9 (≤ 2.5) V
V
Sperrstrom, VR = 5 V
Reverse current IR0.01 (≤ 1) µA
Gesamtstrahlungsfluß
Total radiant flux
IF = 100 mA, tp = 20 ms
Φe16 mW
Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe,
IF = 100 mA
Temperature coefficient of Ie or Φe,
IF = 100 mA
TCI– 0.55 %/K
Temperaturkoeffizient von VF,IF = 100 mA
Temperature coefficient of VF,IF = 100 mA TCV– 1.5 mV/K
Temperaturkoeffizient von λpeak,IF = 100 mA
Temperature coefficient of λpeak,IF = 100 mA TCλ0.3 nm/K
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics (cont’d)
Bezeichnung
Parameter Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
2000-01-01 4 OPTO SEMICONDUCTORS
LD 242
Gruppierung der Strahlstärke Ie in Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr
Grouping of Radiant Intensity Iein Axial Direction
measured at a solid angle of Ω = 0.01 sr
Bezeichnung
Parameter Symbol Werte
Values Einheit
Unit
-2 -3 78001)
Strahlstärke
Radiant intensity
IF = 100 mA, tp = 20 ms
IF = 1 A, tp = 100 µsIe
Ie typ.
4…8
50 > 6.3
75 1…3.2
–mW/sr
mW/sr
1) Die Messung der Strahlstärke und des Halbwinkels erfolgt mit einer Lochblende vor dem Bauteil (Durchmesser der
Lochblende: 1.1 mm; Abstand Lochblende zu Gehäuserückseite: 4.0 mm). Dadurch wird sichergestellt, daß bei der
Strahlstärkemessung nur diejenige Strahlung in Achsrichtung bewertet wird, die direkt von der Chipoberfläche
austritt. Von der Bodenplatte reflektierte Strahlung (vagabundierende Strahlung) wird dagegen nicht bewertet.
Diese Reflexionen sind besonders bei Abbildungen der Chipoberfläche über Zusatzoptiken störend (z.B.
Lichtschranken großer Reichweite). In der Anwendung werden im allgemeinen diese Reflexionen ebenfalls durch
Blenden unterdrückt. Durch dieses, der Anwendung entsprechende Meßverfahren ergibt sich für die Anwender eine
besser verwertbare Größe. Diese Lochblendenmessung ist gekennzeichnet durch den Eintrag „E 7800“, der an die
Typenbezeichnung angehängt ist.
1) An aperture is used in front of the component for measurement of the radiant intensity and the half angle (diameter
of the aperture: 1.1 mm; distance of aperture to case back side: 4 mm). This ensures that solely the radiation in axial
direction emitting directly from the chip surface will be evaluated during measurement of the radiant intensity.
Radiation reflected by the bottom plate (stray radiation) will not be evaluated. These reflections impair the projection
of the chip surface by additional optics (e.g. long-range light reflection switches). In respect of the application of the
component, these reflections are generally suppressed by apertures as well. This measuring procedure
corresponding with the application provides more useful values. This aperture measurement is denoted by “E 7800”
added to the type designation.
LD 242
2000-01-01 5 OPTO SEMICONDUCTORS
Relative Spectral Emission
Irel = f(λ)
Forward Current
IF=f(VE)
Radiation Characteristics
Irel = f (ϕ)
OHR01938
λ
rel
Ι
0880 920 960 1000
nm
1060
20
40
60
80
%
100
V
OHR01040
F
F
Ι
1
1
10
0
10
-1
10
10
-2
A
1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5
typ. max.
V
OHR01877
02040 60 80 100 1200.40.60.81.0
100
90
80
70
60
50
0
10203040
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
ϕ
RadiantIntensity
Single pulse, tp = 20 µs
Permissible Pulse Handling
Capability IF=f(τ), TC = 25 °C,
duty cycle D = parameter
Ie
Ie100 mA
= f(IF)
Ι
OHR01037
F
-1
10
10
0
1
10
2
10
10
-2 -1
10
0
10 A 10
1
Ι
e
Ι
e
(100 mA)
τ
OHR01937
10
-5
s
10
2
Ι
F
mA
10
-4
10
-3
10
-2
10
0
10
3
10
4
5
5
DC
0.5
0.05
0.02
0.01
0.005
D =
0.1
F
Ι
T
P
t
=
D
P
t
T
0.2
Max. Permissible Forward Current
IF=f(TA)
T
OHR00971
A
0
F
Ι
0 20406080100
˚C
50
100
150
200
250
mA
300
,
T
L
= 160 K/W
thJL
R
R
thJA
= 450 K/W
2000-01-01 6 OPTO SEMICONDUCTORS
LD 242
Maßzeichnung
Package Outlines
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben / Dimensions in mm, unless otherwise specified.
ø5.5
ø5.2
ø4.3
ø4.1
Chip position
3.6
3.0
14.5
12.5
ø0.45
2.54 mm
spacing
GET06625
Approx. weight 0.5 g
1
2.7
0.9
1.1
1.1
0.9
Anode
Cathode (SFH 483)
(LD 242, BPX 63, SFH 464)
