NPN SILICON TRANSISTORS, HOMOBASE BDY 80 TRANSISTORS NPN SILICIUM, HOMOBASE BDY 8 1 Compl. of BDY 82 - BDY 83 - LF large signal power amplification Amplification BF grands signaux de puissance VcEo { 35V BDY 80 - Switching 50 V BDY 81 Commutation Ic 4A Prot 36 W Rh (j-c) 3,5 C/W max. hie (0,5 A) 40-240 fr 1 MHz typ. Maximum power dissipation Plastic case TO-220 AB See outline drawing CB-117 on last pages Dissipation de puissance maximale Boitier plastique Voir dessin cot CB-117 dernires pages Prot (W) fe \ 30 + \ 20 + i} \ | B 10 Pe \ CE | | Weight : 2g. Collector is connected to case 0 50 100 150 Toase! C) Masse Le collecteur est reli au boitier ABSOLUTE RATINGS (LIMITING VALUES) t =25C (Unless otherwise stated) VALEURS LIMITES ABSOLUES DUTILISATION case (Saut indications contraires) BDY 80 BDY 81 Collector-base voltage Vv. Tension collecteur-base cBO 40 60 Vv Collector-emitter voltage Vv. Tension collecteur-metteur cEO 35 50 Vv Collector-emitter voltage _ Tension collecteur-metteur VBE =-15V Voex 40 60 v Emitter-base voltage Tension metteur-base Vv EBO 10 10 v Collector current I! Coursnt collecteur c 4 4 A Base current I Courant base B 2 2 A Power dissipation Dissipation de puissance Prot 36 36 w Junction temperature t Temprature de jonction max. J 150 150 c Storage temperature min, t 65 55 C Temprature de stockage max. stg #175 +175 Cc 74-9 1/4 THOMSON - CSF DARSION SEMOCONDUCTEURS 599BDY 80, BDY 81 STATIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES STATIQUES tease = 25C (Unless otherwise stated) (Saut indications contraires) Test conditions Conditions de mesure Min. Typ. Max. Collector-emitter cut-off current Voge= 20V | Courant rsiduel collecteur-metteur 'g =90 CEO 10 mA Collector-base cut-off current Vep 20V | Courant rsiduel collecteur-base 'e = cBO 0,2 mA Emitter-base cut-off current Vepq 5V | Courant rsiduel metteur-base I c =0Q EBO 0.1 mA = BDY 80 | 40 Vv Collector-base breakdown voltage lo = 10mA Vv Tension de claquage collecteur-base te =0 (BR)CBO BDY 81 60 Vv Collector-emitter breakdown voltage !q = 100mA Vv * BDY 80 36 v Tension de claquage collecteur-metteur Ip = CEO(sus} BDY 81 50 Vv Emitter-base breakdown voltage Ie = 10mA Tension de claquage metteur-base Io 0 Vv (BR)EBO 10 v A 40 80 ic = 05 A 70 140 Vce=5V Cc 120 240 Static forward current transfer ratio * Valeur statique du rapport de transfert | =1A hoy E direct du courant Cc BDY 80 | 20 55 Vopt 5 V ! =25A vice sv Boy 81 | 10 25 CE Base-emitter voltage Io =0,5A * 5 Tension base-metteur Voe= 5V VBE 0,68 0,9 V ) = 1A Ip = 0,05A BDY 80 0,2 1 Vv Collector-emitter saturation voltage VoEsat * Tension de saturation collecteur-metteur \ a 3A Ip = 0.3A BDY 81 05 1,5 Vv * Pulsed t, =300us 6 < 2% impuisions e 2/4 600BDY 80, BDY 81 DYNAMIC CHARACTERISTICS (for small signals) t =25C (Unless otherwise stated) CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES (pour petits signaux) case (Sauf indications contraires) Test conditions i Conditions de mesure Min. Typ. Max. Output capacitance Vv, B= 10V Cc Capacit de sortie f c = 1MHz 22b 250 pF Transition Veg =10V ransition frequency . f Frquence de transition le =0,5A T 1 MHz f = 1 MHz THERMAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES THERMIQUES Junction-case thermal resistance Ruy. Rsistance thermique {(jonction-boi tier} thij-c) 38 c SAFE OPERATING AREA AIRE DE FONCTIONNEMENT DE SECURITE (A) Tease =25 C 0,5 Continuous ( == ) Continu 0,2 0,1 1 2 5 10 20 35 450 Veg (V) 3/4 601BDY 80, BDY 81 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES BASE-EMITTER SATURATION VOLTAGE VERSUS COLLECTOR CURRENT Tension de saturation base-metteur en fonction du courant collecteur VeEsat (v) 1 qe= 10 1,2 4 1 J 0,8 Sy A Pa 0,6 7 0,4 0,2 ol 10! 2 4 502 2 4 $403 2 4 Igima) STATIC FORWARD CURRENT TRANSFER RATIO VERSUS COLLECTOR CURRENT Valeur statique du rapport de transfert direct du courant en fonction du courant collecteur hate 120 r| 80 YL N 60 \ \ . \ \ 2 68 244 48503 lglmay Voesat (v) 08 0,6 0,4 0,2 1 {MHz) COLLECTOR-EMITTEFt SATURATION VOLTAGE VERSUS COLLECTOR CURRENT Tension de saturation coflecteur-metteur en fonction du courant collecteur oo =f =10 B B 2 468 2 468 2 107 10 4 o! Igima) TRANSITION FREQUENCY VERSUS COLLECTOR CURRENT Frquence de transition en fonction du courant collecteur Voe =10V 2 46852 468 2 10 4 10 Igima) 4/4 602