2N7000 - DIOTEC SEMICONDUCTOR AG

2N7000

N-Channel Enhancement Mode FET

N-Kanal FET – Anreicherungstyp

ID= 200 mA

RDS(on)1 < 5 Ω

Tjmax = 150°C

VDSS = 60 V

Ptot = 350 mW

Version 2017-08-16

TO-92 (10D3)

Dimensions - Maße [mm]

Typical Applications

Signal processing, Logic level

converter, Drivers

Commercial grade 1)

Typische Anwendungen

Signalverarbeitung, Pegel-

wandler, Treiberstufen

Standardausführung 1)

Features

Fast switching times

Compliant to RoHS, REACH,

Conflict Minerals 1)

Besonderheiten

Schnelle Schaltzeiten

Konform zu RoHS, REACH,

Konfliktmineralien 1

Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1)

Taped in ammo pack

(Raster 2.54) 4000 Gegurtet in Ammo-Pack

(Raster 2.54)

Weight approx. 0.18 g Gewicht ca.

Case material UL 94V-0 Gehäusematerial

Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen

MSL N/A

Maximum ratings 2) Grenzwerte 2)

Drain-Source-voltage – Drain-Source-Spannung VDSS 60 V

Drain-Gate-voltage – Drain-Gate-Spannung RGS ≤ 1 MΩ VDGR 60 V

Gate-Source-voltage – Gate-Source-Spannung DC

tp < 50 µs VGSS ± 20 V

± 40 V

Power dissipation – Verlustleistung Ptot 350 mW 3)

Drain current continuos – Drainstrom

Peak Drain current – Drain-Spitzenstrom

IDM

200 mA

500 mA

Operating Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

150°C

-55…+150°C

Characteristics Kennwerte

Tj = 25°C Min. Typ. Max.

Drain-Source breakdown voltage – Drain-Source Durchbruchspannung

ID = 10 µA V(BR)DSS 60 V

Drain-Source leakage current – Drain-Source Leckstrom

VDS = 48 V, VGS = 0 V

VDS = 48 V, VGS = 0 V, Tj = 125°C IDSS 1 µA

1 mA

Gate-Body leakage current – Gate-Substrat Leckstrom

VGS = ±15 V ±IGSS 10 nA

1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book

Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches

2 TA = 25°C, unless otherwise specified – TA = 25°C, wenn nicht anders angegeben

3 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case

Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

2 x 2.54

SG D

2N7000

Characteristics Kennwerte

Tj = 25°C Min. Typ. Max.

Gate-Threshold voltage – Gate-Source Schwellspannung

VGS = VDS, ID = 1 mA VGS(th) 0.8 V – 3 V

Drain-Source on-voltage – Drain-Source-Spannung

VGS = 10 V, ID = 500 mA

VGS = 4.5 V, ID = 75 mA VDS(on) –2.5 V

0.45 V –

Drain-Source on-state resistance – Drain-Source Einschaltwiderstand

VGS = 10 V, ID = 500 mA

VGS = 4.5 V, ID = 75 mA RDS(on) – – 5 Ω

6 Ω

Forward Transconductance – Übertragungssteilheit

VDS = 10 V, ID = 200 mA gFS 100 mS – –

Input Capacitance – Eingangskapazität

VDS = 25 V, f = 1 MHz Ciss – 60 pF –

Output Capacitance – Ausgangskapazität

VDS = 25 V, f = 1 MHz Coss – 25 pF –

Reverse Transfer Capacitance – Rückwirkungskapazität

VDS = 25 V, f = 1 MHz Crss – 5 pF –

Turn-On Delay Time – Einschaltverzögerung

VDD= 15 V, RL= 30 Ω, ID= 0.5 A, VGS= 10 V, RG= 25 Ω ton – 10 ns –

Turn-Off Delay Time – Ausschaltverzögerung

VDD= 15 V, RL= 30 Ω, ID= 0.5 A, VGS= 10 V, RG= 25 Ω toff – 10 ns –

Thermal resistance junction to ambient

Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung RthA < 357 K/W 1)

Disclaimer: See data book page 2 or website

Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet

1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case

Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden