N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Datenblatt / Data sheet
T 4001N
BIP AC / SM PB, 2001-10-18, Przybilla J. / Keller 1/9 Seite/page
Kenndaten
Elektrische Eigenschaften
Elektri sch e Eig ens chaften / Ele ctric al properti es
Höchstzul ässige Werte / M aximum rated val ues
Periodische V orwärts- und Rüc kwärts-S pitze nsperrspan nu ng
repetiti ve p eak f orward off-sta te an d re vers e volt ages
Tvj = -40°C... Tvj max V
DRM,VRRM 480 0
5200
5000
5350
V
V
Periodische V orwärts- und Rüc kwärts-S pitze nsperrspan nu ng
repetiti ve p eak f orward off-sta te an d re vers e volt ages
Tvj = 0°C... Tvj max V
DRM,VRRM 495 0
5350
5150
5500
V
V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
ma xi mu m RMS o n- stat e cur re nt
I
TRMSM 820 0 A
Dauergrenzstro m
average on-state c urrent
TC = 85 °C
TC = 60 °C
ITAVM 388 0
5220
A
A
Stoßstrom-Grenz wert
surge current
Tvj = 25 °C, t P = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
ITSM 105000
10000 0
A
A
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25 °C, t P = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
I²t 55000
50000
10³ A²s
10³ A²s
Kritische Str omst eilheit
critical rate of rise of on-state current
DIN IEC 60 74 7-6
f = 50 Hz, iGM = 3 A, diG/dt = 6 A/µs
(diT/dt)cr 300 A/µs
Kritische S pa nnu ng ssteilh eit
critical rate of rise o f of f-stat e volt ag e
Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM
5.Kenn buc hsta be / 5 th letter H
(dv
D/dt)cr
2000
V/µs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspa nn ung
on-stat e voltag e
Tvj = Tvj max , iT = 600 0A
vT
typ.
ma x.
1,6 7
1,8
V
V
Schleus ens pann ung
threshold voltag e
Tvj = Tvj max V
(TO) typ.
ma x.
0,8 3
0,9 3
V
V
Ersatzwi derstand
slope resist anc e
Tvj = Tvj max r
T typ.
ma x.
0,1 40
0,1 45
mΩ
mΩ
A 0,25
B 0,0000 92 1
C 0,0 499
typ.
D 0,0 056 5
A 1,192
B 0,0000 22 6
C -0,13 75
Durchlaßkennlinie
on-stat e c haract eristic
Tvj = Tvj max
ma x.
D 0,0 215 7
Zündstr om
gate trigger current
Tvj = 25°C, vD = 12 V IGT ma x. 350 mA
Zünds pa nnung
gate trigger volt age
Tvj = 25°C, vD = 12 V VGT max. 3,5 V
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Tvj = Tvj max , vD = 12 V
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM
IGD ma x.
ma x.
20
10
mA
mA
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trig g er volt ag e
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM V
GD max. 0,4 V
Haltestrom
holding curre nt
Tvj = 25°C, vD = 12 V IH max. 350 mA
Einraststrom
latching current
Tvj = 25°C, vD = 12 V, RGK ≥ 10 Ω
iGM = 3 A, diG/dt = 6 A/µs, tg = 20 µs
IL max. 3 A
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward o ff-stat e and reverse c urrent
Tvj = Tvj max
vD = VDRM, vR = VRRM
iD, iR max. 900 mA
Zündverzug
gate controlled delay time
DIN IEC 60 74 7-6
Tvj
= 25 °C,iGM = 3 A, diG/dt = 6 A/µs
tgd max. 2 µs
prepar ed by: C. Schneid er dat e of publicatio n: 2005-04-1 5
appro ved b y: J. Przybilla revision: 4
T
TTT iD)1i(LnCiBAv ⋅++⋅+⋅+=
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Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Datenblatt / Data sheet
T 4001N
BIP AC / SM PB, 2001-10-18, Przybilla J. / Keller 2/9 Seite/page
Thermische Eigenschaften
Mechanische Eigenschaften
Elektri sch e Eig ens chaften / Ele ctric al properti es
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM
vRM = 1 00 V, vDM = 0,67 VDRM
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs
4.Kenn buc hsta be / 4 th letter O
tq
typ. 550 µs
Sperr verzög erung sladu ng
recovered charge
Tvj = Tvj max
iTM = ITAVM, -diT/dt = 10 A/µs
VR = 0,5VRRM, VRM = 0, 8VRRM
Qr
ma x. 28 mAs
Rückstr omspitze
peak re verse r eco ver y c urrent
Tvj = Tvj max
iTM = ITAVM, -diT/dt = 10 A/µs
VR = 0,5VRRM, VRM = 0, 8VRRM
IRM
max. 600 A
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to c ase
Kühlfläc he / cooling surfac e
beids eitig / two-side d, θ = 180°sin
beids eitig / two-side d, DC
Ano de / a no de, DC
Kathod e / c at hode, DC
Rth J C
ma x.
ma x.
ma x.
ma x.
0,0 048
0,0 045
0,0 082
0,0 100
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
Übergangs-Wärmewi derstand
thermal resistance, case to heatsi nk
Kühlfläc he / cooling surfac
e
beids eitig / two-side d
einseitig / sing le-side d
Rth C H
ma x.
ma x.
0,0 01
0,0 02
°C/W
°C/W
Höchstzul ässige Sperrschichttemperatur
maxi mu m ju nction te mperat ure
T
vj max 125 °C
Betriebs te mperatur
opera ting te mperat ure
T
c op -40...+125 °C
Lagerte mperatur
storage t emperat ure
T
stg -40...+150 °C
Mechanis che Eigen schaften / Mech anic al prope rties
Geh äuse , sie he Anlag e
case, s ee annex
Seite 3
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Si-Element mit Druc kkont akt
Si-pellet with press ure co ntac t
Anpress kraft
clampi ng force
F 90.. .13 0 kN
Steueransc hlüss e
control t erminals
DIN 46244 G ate
Kathode /Cathode
A 4, 8x0, 8
A 6, 3 x0, 8
Gewic ht
weig ht
G typ. 4300 g
Kriechstrec ke
creepage distance
49 mm
Schwingfestigkeit
vibration r esistanc e
f = 50 Hz 50 m/s²
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Phase Control Thyristor
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Maßbild
12
4 5
1: Anode/Anode
2: Kathode/Cathode
4: Gate
5: Hilfskathode/
Cathode (control terminal)
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Phase Control Thyristor
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R,t – Werte
R
R,T-Werte
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC
Pos. n 1 2 3 4 5 6 7
Rthn [°C/W] 0,0 0206 0,0016 0,0 007 6 0,0 0007
beidseitig
two-sided τn [s] 1,6 0,2 7 0,0 26 0,0 047
Rthn [°C/W] 0,0 047 0,0 0188 0,0 0131 0,0 003 8
anodenseitg
anode-sided τn [s] 11, 2 1,0 565 0,0 9265 0,0 1079
Rthn [°C/W] 0,0 0674 0,00168 0,0012 4 0,0 004 6
kathodenseitig
cathode-sided τn [s] 8,35 1,242 0,1 124 0,0 119
Analytische Funktion / Analytical function: Σ−= τ
ma x
n
n=1 thnthJC n
-t
e1RZ
0
0,002
0,004
0,006
0,008
0,01
0,012
0, 0 01 0 ,0 1 0 , 1 1 1 0 1 00
t [s]
Zth J C [K/W]
c
a
d
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC/ Transient thermal impedance Z th J C = f(t) for DC
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
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Phase Control Thyristor
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Diagramme
Diagramme
Durchlasskennlinie
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
7000
8000
9000
00,511,522,5
vT [V ]
iT [V]
typ . m a x.
Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting on-state characteristic iT = f(vT)
Tvj = Tvj max
N
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Phase Control Thyristor
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Durchlassverluste
30
20
10
5
2
1
0,5
0,2
10 1000050002000
5020 100 200 500 1000
iG [m A]
vG [V]
+125°C
+25°C
-40°C
a
b
c
Steuercharakteristik vG = f (iG) mit Zündbereichen für VD
= 6 V
Gate characteristic vG = f (i G) with triggering area for VD = 6 V
Höchstzulässige Spitzensteuerv erlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation PGM = f (tg) :
a - 20 W/10ms b - 40 W/1ms c - 60 W/0,5ms
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Phase Control Thyristor
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Tc beidseitig
0
10
20
30
40
50
60
0 5 10 15 20 25 30 35
-d i/d t [A /µs]
Q
r [mAs]
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt)
Tvj=Tvjmax, vR=0,5 VRRM, VRM=0,8 VRRM
N
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Ta bei Sinus
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
0 5 10 15 20 25 30 35
-d i/dt [A/µs ]
IRM [A]
Rückstromspitze / Peak reverse recovery current IRM = f(-di/dt)
Tvj=Tvjmax, vR=0,5 VRRM, VRM=0,8 VRRM
N
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Phase Control Thyristor
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