ofe e e silicon signal diodes Al diodes de signal au silicium THOMSON-CSF Type Vr-VRM fo Ve / If In / Vr c Case Styp max max max max max (Vv) (mA) (v) (mA) | (nA) (v) (pF) general purpose mb = 25C usage gnral 1N 456 1 40 25 25 10 1N 456 A 1 100 25 25 1N 457 1 20 25 60 8 1N 457 A 1 100 25 60 1N 461 1 15 | 500 25 10 1N 461A 1 100 | 500 25 1N 462 1 5 | 500 60 8 1N 462 A 1 100 | 500 60 1N 483 B 1 100 25 60 1N 484 11 100 | 250 125 1N 484 A 1 100 25125 1N 484 B 1 100 25 125 BAY 17 1 100 | 100 12 1,2 BAY 18 1 100 | 100 50 1,2 BAY 19 1 100 ]} 100 100 12 o7* BAY 20 1 100 } 100 150 12 (cb-26) BAY 21 1 100 | 100 300 1,2 BAY 44 11 100 } 200 50 87 BAY 72 1 100 | 100 100 5 BAY 73 1 200 5 100 8 SFD 180 1,15 30 | 100 50 4 SFD 181 1,15 30 | 100 150 4 BAV 17 1 100 | 100 20 5 BAV 18 1 100 | 100 50 5 MC 19 0,9 30 | 100 150 510 MC 51 gone 0.9 30 | 100 300 510 * Available on request in CB-127 case. Designation : 1N...DHD or BA..,DHD. *Livrable sur demande en boitier CB-127. Appellation commerciale : 1N...DHD ou BA...DHD. Type Vem lo Ve / tf IR Vr In / VR Cc / VR Case Tamb125C max max max max max max (v) (mA) | (Vv) (mA) | (nA) (vv) [WA ) TF ow very low capacitance - general purpose = Tamb = 25C trs faible capacit - usage gnral 12P2 60 | 1 10 500 200 100 200 13 P2 40 | 1 1 500 200 | 100 200 14P2 4 41 1 500 150 | 100 150 15P2 4m [1 1 500 100 | 100 100 16P2 40 41 1 500 50 | 100 50 17P2 30 | 40 | 1 1 500 30 | 100 30 18P2 40. |. 40 | 1 1 500 10 | 100 10 19 P 2 } 60 | 1 10 500 10 | 100 10 23 32 41-60. | 1 10 100 200 20 200 2452 | eo | 1 10 100 150 20 150 25 J2 1b 60 41 10 100 100 20 100 26 J2 50. | 60 | 1 10 100 50 20 ~=-50 2752 30. | 6 | 1 10 100 30 20 30 2852 10 | 6 41 10 100 10 20 #10 DO7 BAW32A | 200 | 60 [| 13 60 100 200 20 200 (CB-26) 23 J2C 60 10 100 6200 | 20 200 BAW 32 B 60 60 100 150 20. 150 24 J2C 60. 10 100 150 20 150 BAW 32C 60 60 100 100 20 100 25 J2C 60 10 100 100 20 100 BAW 32 D 60 100 50 20 ~=-50 26 J2C 10 100 50 20 +50 BAW 32 E 60 100 10 20 ~=10 28 J2C 10 100 10 20 10 78