BR100-04 - Diotec Semiconductor

BR100-03 ... BR100-04

Bidirectio nal Si-Trigger-Di odes (D IAC)

Bidirektionale Si-Triggerdioden (DIAC)

Version 2006-04-27

Dimensions - Maße [mm]

Breakover voltage

Durchbruchspannung

28 ... 45 V

Peak pulse current

Max. Triggerimpuls

± 2 A

Plastic case

Kunststoffgehäuse

DO-41

DO-204AL

Weight approx. – Gewicht ca. 0.4 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

Standard packaging taped in ammo pack

Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack

Maximum rati ng s Grenzwerte

Power dissipation

Verlustleistung

TA = 50°C Ptot 150 mW 1)

Peak pulse current (120 Hz pulse repetition rate)

Max. Triggerstrom (120 Hz Puls-Wiederholrate)

tp ≤ 20 µs IPM ± 2 A 1)

Operating Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

-50...+100°C

-50...+175°C

Characteristics Kennwerte

Breakover voltage

Durchbruchspannung

dV/dt = 10 V/µs BR100-03

BR100-031

BR100-04

VBO

28 ... 36 V

30 ... 34 V

35 ... 45 V

Breakover current – Durchbruchstrom V = 98% VBO IBO < 50 µA

Asymmetry of breakover voltage

Unsymmetrie der Durchbruchspannung

|V(BO)F – V(BO)R|ΔVBO < 3.8 V

Foldback voltage – Spannungs-Rücksprung

ΔI = IBO to/auf IF = 10 mA

dV/dt = 10 V/µs ΔVF/R > 5 V

Thermal resistance junction to ambient air

Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft

RthA < 45 K/W 1)

Thermal resistance junction to leads

Wärmewiderstand Sperrschicht − Anschlussdraht

RthL < 15 K/W

1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case

Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

Type

±0.05

0.8

0.1

2.6

62.5

±0.5

5.1

-0.1