5 – 14
実効オン電流
平均オン電流 
サージオン電流
電流二乗時間積
臨界オン電流上昇率
ピークゲート損失
平均ゲート損失
ピークゲート順電圧
ピークゲート逆電圧
ピークゲート順電流
接合温度
保存温度
圧接力強度
質量
三菱半導体〈高速スイッチングサイリスタ〉
FT1000CX-36
大電力インバータの転流用
ダイナミックゲート形，平形
FT1000CX-36 外形図 単位：mm
用 途
大電力インバータ及び大電力DCチョッパの転流用サイリスタ、高圧大電力インバータの主サイ
リスタ、高周波インバータ、大電力パルス発生装置、ACスイッチ
¡IT(AV) 平均オン電流 ………………………… 800A
¡VDRM ピーク繰返しオフ電圧 ……………… 1800V
¡tqターンオフ時間 ……………………… 30ms
¡平形
1250
800
16
1.0 × 106
1500
20
6.0
20
10
4.0
–40 ~ +125
–40 ~ +150
26.5 ~ 32.3
690
IT(RMS)
IT(AV)
ITSM
I2t
diT/dt
PFGM
PFG(AV)
VFGM
VRGM
IFGM
Tj
Tstg—
—
記 号
VRRM
VRSM
VR(DC)
VDRM
VDSM
VD(DC)
ピーク繰返し逆電圧
ピーク非繰返し逆電圧
直流逆電圧
ピーク繰返しオフ電圧
ピーク非繰返しオフ電圧
直流オフ電圧
項    目
V
V
V
V
V
V
最大定格
耐  圧  ク  ラ  ス
A
A
kA
A2s
A/ms
W
W
V
V
A
°C
°C
kN
g
記 号 項    目 条    件 単位定  格  値
単位
36
1800
1900
1440
1800
1900
1440
ITRM ピーク繰返しオン電流 3600 A
商用周波数，正弦半波180度連続通電，Tf = 56°C
f = 1kHz，tw = 50ms，VD = 1/2VDRM，Tf = 65°C，
正弦半波180度連続通電
60Hz正弦半波1サイクル波高値，非繰返し
1サイクルサージオン電流に対する値
VD = 1/2VDRM，IGM = 1.5A，Tj = 125°C
推奨値29.4
標準値
形名
陰極
陽極
295± 8
f50
f50
f92max M5×0.8フカサ2.5
0.4min 0.4min
21± 0.5
7.5
7.5
f4.3
ゲート（白）
補助陰極端子（赤）
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5 – 15
定格特性図
Tj = 125°C，VRRM 印加
Tj = 125°C，VDRM 印加
Tj = 125°C，ITM = 3200A
Tj = 125°C，VD = 1/2VDRM
Tj = 25°C，VD = 6V，RL = 2Ω
Tj = 125°C，VD = 1/2VDRM
Tj = 25°C，VD = 6V，RL = 2Ω
ITM = 800A，di/dt = –30A/ms，VR = 100V，
VD = 1/2VDRM，dv/dt = 20V/ms，Tj = 125°C
接合−フィン間
IRRM
IDRM
VTM
dv/dt
VGT
VGD
IGT
Rth(j-f)
逆電流
オフ電流
オン電圧
臨界オフ電圧上昇率
ゲートトリガ電圧
ゲート非トリガ電圧
ゲートトリガ電流
熱抵抗
mA
mA
V
V/ms
V
V
mA
°C/W
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
300
—
0.20
—
—
記 号 項    目 測 定 条 件 規  格  値
最 小 標 準 最 大 単位
80
80
3.00
—
3.0
—
350
0.030
電気的特性
tqターンオフ時間 ms
30——
三菱半導体〈高速スイッチングサイリスタ〉
FT1000CX-36
大電力インバータの転流用
ダイナミックゲート形，平形
100
231015710
223 5710
323 5710
4
102
7
5
3
2
101
7
5
3
2
7
5
3
2
10–1
VFGM = 20V
PFG(AV) = 6.0W
Tj = 125°C
25°C
VGT= 3.0V
VGD = 0.2V
PFGM = 20W
IGT
IFGM = 4.0A
–40°C
0.032
02310–3 5710
–2 23 5710
–1 23 5710
0
0.016
0.012
0.008
0.004
0.020
0.024
0.028
231005710
1
10023 5710
1
8
4
23 5710
2
12
16
20
0
オン電流 (A)
オン電圧 (V)
最大オン状態特性
サージオン電流 (kA)
通電時間
（60Hzにおけるサイクル数）
定格サージオン電流
過渡熱インピーダンス (°C/W)
時間 (s)
最大過渡熱インピーダンス特性
（接合−フィン間）
ゲート電圧 (V)
ゲート電流 (mA)
ゲート特性
5.00 1.0 2.0 3.0 4.0
104
7
5
3
2
103
7
5
3
2
102
7
5
3
2
101
Tj = 125°C
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5 – 16
三菱半導体〈高速スイッチングサイリスタ〉
FT1000CX-36
大電力インバータの転流用
ダイナミックゲート形，平形
＊印にて示す特性値は当社の冷却フィンと組み合わせた場合の代表値です。
50
300100 200 300 600 700 800400 500
70
90
110
130
40
60
80
100
120
θ= 30° 60° 90°
動作周波数
400HZ以下
180°120°
θ
360°
抵抗，誘導負荷
2000
1600
1200
800
400
00200 400 600 800
θ= 30°
60°
90°
180°
120°
θ
360°
抵抗，誘導負荷
動作周波数400HZ以下
160
120
100
60
20
08004001000 200 300 500 600 700
40
80
140 θ
360°
抵抗，誘導負荷
動作周波数
400HZ以下
自冷
BP18-Jフィン
90°
60°
平均風速5m/s
θ= 60°
180°
180°
θ= 30°
50
300200 400 600 120014001600800 1000
70
90
110
130
40
60
80
100
120 動作周波数
400HZ以下
360°
抵抗，誘導負荷
θ
θ= 30° 90° 180° DC
270°60° 120°
160
120
100
60
20
08000
40
80
140
200 400 600
動作周波数400HZ以下
BP18-Jフィン
自冷
120°
平均風速5m/s
θ= 180°
DC
360°
抵抗，誘導負荷
θ
θ= 90°
DC
180°
3200
2400
2000
1200
400
016000
800
1600
2800
400 800 1200
θ= 30°60°
90°
180°
270°
120°
動作周波数400HZ以下
360°
抵抗，誘導負荷
θ
DC
オン状態損失 (W)
平均オン電流 (A)
最大オン状態損失特性
（単相半波）
フィン温度 (°C)
平均オン電流 (A)
平均オン電流の限界値
（単相半波）
オン状態損失 (W)
平均オン電流 (A)
最大オン状態損失特性
（方形波）
フィン温度 (°C)
平均オン電流 (A)
平均オン電流の限界値
（方形波）
周囲温度 (°C)
平均オン電流 (A)
＊平均オン電流の限界値
（単相半波，自冷，風冷）
周囲温度 (°C)
平均オン電流 (A)
＊平均オン電流の限界値
（方形波，自冷，風冷）
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5 – 17
三菱半導体〈高速スイッチングサイリスタ〉
FT1000CX-36
大電力インバータの転流用
ダイナミックゲート形，平形
102
104
7
5
3
2
10223 5710
3
103
7
5
3
2
23 5710
4
Tf = 65°C
Tf = 90°C
正弦半波
tw = 50ms
VD = 1000V
ITM
tw
10223 5710
3
800
400
23 5710
4
1200
1600
2000
0
diT/dt = 50A/ms
VD = VR = 600V
Tf = 65°C
方形波50%責務
VD
VR
ITM
10223 5710
3
800
400
23 5710
4
1200
1600
2000
0
0.632VD
dv/dt = T
VD
0.632VD
t
0T
VD
指数関数
波形
ゲート開放
Tj = 125°C
1600
1200
1000
600
200
08004001000 200 300 500 600 700
400
800
1400
方形波50%責務
diT/dt = 50A/ms
VD = 600V
f=1kHz
ブレークオーバ電圧 (V)
オフ電圧上昇率 (V/ms)
ピークオン電流 ITM(A)
動作周波数 f(Hz)
ピークオン電流−動作周波数
（正弦半波）
 1パルス当りの平均損失 P1（W/回）
ピークオン電流 ITM(A)
1パルス当りの平均損失−ピークオン電流
（正弦半波）
オン状態損失 (W)
平均オン電流 (A)
最大オン状態損失特性
（f=1kHz，方形波）
ピークオン電流 ITM(A)
動作周波数 f(Hz)
ピークオン電流−動作周波数
（方形波） ブレークオーバ電圧−オフ電圧上昇率
（代表例）
 1パルス当りの平均損失 P1（W/回）
ピークオン電流 ITM(A)
1パルス当りの平均損失−ピークオン電流
（方形波）
10–2
100
7
5
3
2
10223 5710
3
10–1
7
5
3
2
23 5710
4
1パルス当りの平均
損失に動作周波数を
乗ずると平均オン損
失が求められます。
パルス幅 tw= 250ms
150ms
100ms
50ms
VD = 600V
VR = 600V
Pav = P1×f
1/f
tw
VAK, iA
ITM VD
0
+
–t
10–1
231015710
223 5710
323 5710
4
101
7
5
3
2
100
7
5
3
2
7
5
3
2
10–2
パルス幅
tw= 250ms
150ms
100ms
50ms
Pav = P1×f
1パルス当りの平均
損失に動作周波数を
乗ずると平均オン損
失が求められます。
diT/dt = 50A/ms
VD = 600V
VR = 600V
1/f
tw
VAK, iA
diT/dtITM
VD
0
+
–
t
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5 – 18
三菱半導体〈高速スイッチングサイリスタ〉
FT1000CX-36
大電力インバータの転流用
ダイナミックゲート形，平形
1000
800
600
400
200
0140–60 –20 20 60 100
VD = 6V
RL = 2Ω
直流法
# 1
# 2
1600
1200
1000
600
200
0140–60 –20 20 60 100
400
800
1400  抵抗可変法
ILの条件:
IHの条件:VD = 6V
IG = 1050mA
tgw = 200ms
VD = 12V
t
0
iG, iA
IL
tgw
IG
# 1
# 2
# 2
# 1 IHIL
ゲートトリガ電流 (mA)
接合温度 (°C)
ゲートトリガ電流−接合温度
（代表例）
ターンオン時間 (ms)
ゲート電流 (mA)
ターンオン時間−ゲート電流
（代表例）
接合温度 (°C)
ターンオフ時間−接合温度
（代表例）
オン電流 (A)
ターンオフ時間−オン電流
（代表例）
保持電流IH(mA)及びラッチング電流IL(mA)
接合温度 (°C)
保持電流及びラッチング電流−接合温度
（代表例）
ターンオフ時間 [125(°C) ] ×100(%)
ターンオフ時間 [Tj(°C) ]
ターンオフ時間 [800(A) ] ×100(%)
ターンオフ時間 [ITM(A) ]
オフ電圧上昇率 (V/ms)
ターンオフ時間−オフ電圧上昇率
（代表例）
ターンオフ時間 [20(V/ms) ] ×100(%)
ターンオフ時間 [dv/dt(V/ms) ]
6.4
4.8
4.0
2.4
0.8
0
1.6
3.2
5.6
10223 5710
323 5710
4
# 1
# 2
diG/dt = 1.0A/ms
VD = 1/2VDRM
ITM = 1600A
diT/dt = 1500A/ms
Tj = 125°C
0.1VD
t
0
VAK, iG
VD
0.1 IGM IGM
tgt
160
120
100
60
20
01600
40
80
140
40 80 120
# 1
# 2
ITM = 800A
di/dt = –30A/ms
VR = 100V
VD = 1/2VDRM
dv/dt = 20V/ms
t
VAK, iA
VR
di/dt
dv/dt
0
+
–tq
VDITM
160
120
100
60
20
0
40
80
140
10223 5710
323 5710
4
di/dt = –30A/ms
VR = 100V
VD = 1/2VDRM
dv/dt = 20V/ms
Tj = 125°C
t
VAK, iA
VR
di/dt
dv/dt
0
+
–tq
VDITM
10123 5710
2
80
40
23 5710
3
120
160
200
0
# 1
# 2
t
VAK, iA
VR
di/dt
dv/dt
0
+
–tq
VDITM
ITM = 800A
di/dt = –30A/ms
VR = 100V
VD = 1/2VDRM
Tj = 125°C
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5 – 19
三菱半導体〈高速スイッチングサイリスタ〉
FT1000CX-36
大電力インバータの転流用
ダイナミックゲート形，平形
101
103
7
5
3
2
10023 5710
1
102
7
5
3
2
23 5710
2
t
trr
trr×Irm
QRR = 2
Irm
ITM
VAK, iA
VRM
di/dt
0
+
–
ITM = 800A
VRM = 150V
Tj = 125°C
# 1
# 2
オン電流減少率 (A/ms)
逆回復電荷 (mC)
逆回復電荷−オン電流減少率
（代表例）
オン電流 (A)
逆回復電荷 (mC)
逆回復電荷−オン電流
（代表例）
接合温度 (°C)
逆回復電荷 (mC)
逆回復電荷−接合温度
（代表例）
逆電圧 (V)
ターンオフ時間−逆電圧
（代表例）
ターンオフ時間 [100(V) ] ×100(%)
ターンオフ時間 [VR(V) ]
101
103
7
5
3
2
10123 5710
2
102
7
5
3
2
23 5710
3
t
trr
trr×Irm
QRR = 2
Irm
ITM
VAK, iA
VRM
di/dt
0
+
–
di/dt = –30A/ms
VRM = 150V
Tj = 125°C
# 1
# 2
800
600
500
300
100
01600
200
400
700
40 80 120
ITM = 800A
di/dt = –30A/ms
VRM = 150V
t
trr
trr×Irm
QRR = 2
Irm
ITM
VAK, iA
VRM
di/dt
0
+
–
# 2
# 1
10023 5710
1
80
40
23 5710
2
120
160
200
0
ITM = 800A
di/dt = –30A/ms
VD = 1/2VDRM
dv/dt = 20V/ms
Tj = 125°C
t
VAK, iA
VR
di/dt
dv/dt
0
+
–tq
VDITM
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・弊社は品質、信頼性の向上に努めておりますが、半導体製品は故障が発生したり、誤
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