TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FZ800R12KS4_B2 HochleistungsmodulmitAlSiCBodenplatteundschnellemIGBT2furhochfrequentesSchalten HighPowerModulewithAlSiCbaseplateandshorttailIGBT2forhighswitchingfrequency IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HochstzulassigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25C VCES 1200 V Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 80C, Tvj max = 150C TC = 25C, Tvj max = 150C IC nom IC 800 1200 PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 1600 A Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation TC = 25C, Tvj max = 150C Ptot 7,60 kW Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage VGES +/-20 V CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. Kollektor-Emitter-Sattigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage IC = 800 A, VGE = 15 V IC = 800 A, VGE = 15 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 32,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25C Gateladung Gatecharge Tvj = 25C Tvj = 125C VCE sat A A typ. max. 3,20 3,85 3,70 V V VGEth 4,5 5,5 6,5 V VGE = -15 V ... +15 V, VCE = 600V QG 8,40 C InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25C RGint 0,56 Eingangskapazitat Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 52,0 nF Ruckwirkungskapazitat Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 3,40 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25C ICES 5,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25C IGES 400 nA Einschaltverzogerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 800 A, VCE = 600 V VGE = 15 V RGon = 1,3 Tvj = 25C Tvj = 125C td on 0,10 0,125 s s Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 800 A, VCE = 600 V VGE = 15 V RGon = 1,3 Tvj = 25C Tvj = 125C tr 0,09 0,10 s s Abschaltverzogerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 800 A, VCE = 600 V VGE = 15 V RGoff = 1,3 Tvj = 25C Tvj = 125C td off 0,53 0,59 s s Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 800 A, VCE = 600 V VGE = 15 V RGoff = 1,3 Tvj = 25C Tvj = 125C tf 0,06 0,07 s s EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 800 A, VCE = 600 V, LS = 60 nH VGE = 15 V RGon = 1,3 Tvj = 25C Tvj = 125C Eon 76,0 mJ mJ AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse IC = 800 A, VCE = 600 V, LS = 60 nH VGE = 15 V RGoff = 1,3 Tvj = 25C Tvj = 125C Eoff 58,0 mJ mJ Kurzschluverhalten SCdata VGE 15 V, VCC = 900 V VCEmax = VCES -LsCE *di/dt ISC Warmewiderstand,ChipbisGehause Thermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT RthJC Warmewiderstand,GehausebisKuhlkorper proIGBT/perIGBT Thermalresistance,casetoheatsink Paste=1W/(m*K)/grease=1W/(m*K) RthCH 13,5 TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 preparedby:WB dateofpublication:2013-11-25 approvedby:PL revision:3.2 1 tP 10 s, Tvj = 125C 6000 A 16,5 K/kW K/kW 125 C TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FZ800R12KS4_B2 Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter HochstzulassigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral It-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125C VRRM 1200 V IF 800 A IFRM 1600 A It 185 kAs CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. 2,00 1,70 2,40 Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 800 A, VGE = 0 V IF = 800 A, VGE = 0 V Tvj = 25C Tvj = 125C VF Ruckstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 800 A, - diF/dt = 8200 A/s (Tvj=125C) Tvj = 25C VR = 600 V Tvj = 125C VGE = -15 V IRM 540 900 A A Sperrverzogerungsladung Recoveredcharge IF = 800 A, - diF/dt = 8200 A/s (Tvj=125C) Tvj = 25C VR = 600 V Tvj = 125C VGE = -15 V Qr 60,0 160 C C AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 800 A, - diF/dt = 8200 A/s (Tvj=125C) Tvj = 25C VR = 600 V Tvj = 125C VGE = -15 V Erec 32,0 76,0 mJ mJ proDiode/perdiode RthJC Warmewiderstand,GehausebisKuhlkorper proDiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink Paste=1W/(m*K)/grease=1W/(m*K) RthCH 20,0 TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 preparedby:WB dateofpublication:2013-11-25 approvedby:PL revision:3.2 Warmewiderstand,ChipbisGehause Thermalresistance,junctiontocase 2 V V 25,0 K/kW K/kW 125 C TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FZ800R12KS4_B2 Modul/Module Isolations-Prufspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min MaterialModulgrundplatte Materialofmodulebaseplate AlSiC InnereIsolation Internalisolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140) basicinsulation(class1,IEC61140) AlN Kriechstrecke Creepagedistance Kontakt-Kuhlkorper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 32,2 mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kuhlkorper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 19,1 mm VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex CTI > 400 VISOL kV 3,0 min. typ. RthCH 8,00 LsCE 15 nH RCC'+EE' 0,10 m Tstg -40 125 C SchraubeM6-Montagegem.gultigerApplikationsschrift ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 4,25 - 5,75 Nm SchraubeM4-Montagegem.gultigerApplikationsschrift ScrewM4-Mountingaccordingtovalidapplicationnote SchraubeM8-Montagegem.gultigerApplikationsschrift ScrewM8-Mountingaccordingtovalidapplicationnote 1,7 - 2,3 Nm M 8,0 - 10 Nm Gewicht Weight G 1000 g preparedby:WB dateofpublication:2013-11-25 approvedby:PL revision:3.2 Warmewiderstand,GehausebisKuhlkorper proModul/permodule Thermalresistance,casetoheatsink Paste=1W/(m*K)/grease=1W/(m*K) Modulstreuinduktivitat Strayinductancemodule Modulleitungswiderstand,AnschlusseChip Moduleleadresistance,terminals-chip TC=25C,proSchalter/perswitch Lagertemperatur Storagetemperature Anzugsdrehmomentf.Modulmontage Mountingtorqueformodulmounting Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlusse Terminalconnectiontorque 3 max. K/kW TechnischeInformation/TechnicalInformation FZ800R12KS4_B2 IGBT-Module IGBT-modules AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) VGE=15V AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) Tvj=125C 1600 1600 Tvj = 25C Tvj = 125C 1400 1400 1000 1000 IC [A] 1200 IC [A] 1200 800 800 600 600 400 400 200 200 0 VGE = 8V VGE = 9V VGE = 10V VGE = 12V VGE = 15V VGE = 20V 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0 VCE [V] UbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VGE) VCE=20V 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0 VCE [V] SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=15V,RGon=1.3,RGoff=1.3,VCE=600V 1600 250 Tvj = 25C Tvj = 125C 1400 Eon, Tvj = 125C Eoff, Tvj = 125C 200 1200 150 E [mJ] IC [A] 1000 800 100 600 400 50 200 0 5 6 7 8 9 VGE [V] 10 11 0 12 preparedby:WB dateofpublication:2013-11-25 approvedby:PL revision:3.2 4 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 IC [A] TechnischeInformation/TechnicalInformation FZ800R12KS4_B2 IGBT-Module IGBT-modules SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=15V,IC=800A,VCE=600V TransienterWarmewiderstandIGBT,Wechselrichter transientthermalimpedanceIGBT,Inverter ZthJC=f(t) 400 100 Eon, Tvj = 125C Eoff, Tvj = 125C 350 ZthJC : IGBT 300 10 ZthJC [K/kW] E [mJ] 250 200 150 1 100 i: 1 2 3 4 ri[K/kW]: 3,3 3,3 6,6 3,3 i[s]: 0,01 0,04 0,09 0,2 50 0 0 1 2 3 4 RG [] 5 6 7 0,1 0,001 8 SichererRuckwarts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter (RBSOA) reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=15V,RGoff=1.3,Tvj=125C 1800 IC, Modul IC, Chip 1600 0,01 0,1 t [s] 1 10 DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical) IF=f(VF) 1600 1400 1400 Tvj = 25C Tvj = 125C 1200 1200 1000 IF [A] IC [A] 1000 800 800 600 600 400 400 200 200 0 0 200 400 600 800 VCE [V] 1000 1200 0 1400 preparedby:WB dateofpublication:2013-11-25 approvedby:PL revision:3.2 5 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 2,6 VF [V] TechnischeInformation/TechnicalInformation FZ800R12KS4_B2 IGBT-Module IGBT-modules SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=1.3,VCE=600V SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(RG) IF=800A,VCE=600V 100 100 Erec, Tvj = 125C Erec, Tvj = 125C 60 60 E [mJ] 80 E [mJ] 80 40 40 20 20 0 0 200 400 600 0 800 1000 1200 1400 1600 IF [A] TransienterWarmewiderstandDiode,Wechselrichter transientthermalimpedanceDiode,Inverter ZthJC=f(t) 100 ZthJC : Diode ZthJC [K/kW] 10 1 i: 1 2 3 4 ri[K/kW]: 5 5 10 5 i[s]: 0,01 0,04 0,09 0,2 0,1 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 10 preparedby:WB dateofpublication:2013-11-25 approvedby:PL revision:3.2 6 0 1 2 3 4 RG [] 5 6 7 8 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FZ800R12KS4_B2 Schaltplan/circuit_diagram_headline Gehauseabmessungen/packageoutlines preparedby:WB dateofpublication:2013-11-25 approvedby:PL revision:3.2 7 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules FZ800R12KS4_B2 Nutzungsbedingungen DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschlielichfurtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung derEignungdiesesProduktesfurIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollstandigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfurdiese AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen. IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,furdiewireineliefervertraglicheGewahrleistungubernehmen.Eine solcheGewahrleistungrichtetsichausschlielichnachMagabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien jeglicherArtwerdenfurdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsubernommen.DieAngabenindengultigenAnwendungs-und MontagehinweisendesModulssindzubeachten. SolltenSievonunsProduktinformationenbenotigen,dieuberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfurSiezustandigenVertriebsburoin Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FurInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit. AufgrunddertechnischenAnforderungenkonnteunserProduktgesundheitsgefahrdendeSubstanzenenthalten.BeiRuckfragenzudenin diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfurSiezustandigenVertriebsburoinVerbindung. SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefahrdendenoderlebenserhaltenden Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfurdieseFalle -diegemeinsameDurchfuhrungeinesRisiko-undQualitatsassessments; -denAbschlussvonspeziellenQualitatssicherungsvereinbarungen; -diegemeinsameEinfuhrungvonManahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherManahmenabhangigmachen. Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben. InhaltlicheAnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten. Terms&Conditionsofusage Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend -toperformjointRiskandQualityAssessments; -theconclusionofQualityAgreements; -toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon therealizationofanysuchmeasures. Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers. Changesofthisproductdatasheetarereserved. preparedby:WB dateofpublication:2013-11-25 approvedby:PL revision:3.2 8 Mouser Electronics Authorized Distributor Click to View Pricing, Inventory, Delivery & Lifecycle Information: Infineon: FZ800R12KS4_B2