IC
,
nom 300 A
IC480 A
min. typ. max.
- 1,7 2,15 V
- 2,0 - V
VGES
5,0 5,8
1200
ICRM 600
+/- 20
Technische Information / technical information
DF300R12KE3
IGBT-Module
IGBT-Modules
VR= 0V, tp= 10ms, Tvj= 125°C
Periodischer Spitzenstrom
Gesamt Verlustleistung
total power dissipation
Gate Emitter Spitzenspannung
VCEsat
Charakteristische Werte / characteristic values
approved: SM TM; Wilhelm Rusche
Transistor Wechselrichter / transistor inverter
date of publication: 2002-10-02
Kollektor Emitter Sättigungsspannung IC= 300A, VGE= 15V, Tvj= 25°C
collector emitter saturation voltage
VCES V
Elektrische Eigenschaften / electrical properties
Tc= 25°C
IC= 12mA, VCE= VGE, Tvj= 25°C
DC collector current
Kollektor Emitter Reststrom
prepared by: MOD-D2; Mark Münzer
repetitive peak collector current tp= 1ms, Tc= 80°C
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
Dauergleichstrom
repetitive peak forward current
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Kollektor Emitter Sperrspannung
Tc= 80°CKollektor Dauergleichstrom
collector emitter voltage Tvj= 25°C
A
A300
-
W
A
1470
V
DC forward current
gate emitter peak voltage
Tc= 25°C; Transistor
IF
Ptot
Grenzlastintegral
gate threshold voltage VGE(th)
I²t value I²t
Isolations Prüfspannung
insulation test voltage RMS, f= 50Hz, t= 1min. VISOL
Gate Schwellenspannung
tp= 1ms
-
- 2,8
2,5
600
IFRM
IC= 300A, VGE= 15V, Tvj= 125°C
QG
f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V
mA
- µC
19 k A²s
kV
6,5 V
nF
nF
Gateladung VGE = -15V...+15V
collector emitter cut off current
Gate Emitter Reststrom VCE= 0V, VGE= 20V, Tvj= 25°C
reverse transfer capacitance
Rückwirkungskapazität
Eingangskapazität
VCE= 1200V, VGE= 0V, Tvj= 25°C
gate charge
revision: 3.0
5-
input capacitance f= 1MHz, Tvj= 25°C, VCE= 25V, VGE= 0V
- 0,85
Cres
ICES -
21
Cies -
- - 400 nA
IGES
gate emitter leakage current
1 (8) DB_DF300R12KE3_3.0
2002-10-02
Technische Information / technical information
DF300R12KE3
IGBT-Module
IGBT-Modules
min. typ. max.
- 0,25 - µs
- 0,30 - µs
- 0,09 - µs
- 0,10 - µs
- 0,55 - µs
- 0,65 - µs
- 0,13 - µs
- 0,18 - µs
- 1,65 2,15 V
- 1,65 - V
- 210 - A
- 270 - A
- 30 - µC
- 56 - µC
- 14 - mJ
- 26 - mJ
VGE= ±15V, RG= 2,4Ω, Tvj= 125°C
IC= 300A VCC= 600V
VGE= ±15V, RG= 2,4Ω, Tvj= 25°C
VGE= ±15V, RG= 2,4Ω, Tvj= 125°C
mΩ
Charakteristische Werte / characteristic values
Leitungswiderstand, Anschluss-Chip
lead resistance, terminal-chip
SC data
Eon
IC= 300A, VCC= 600V, Lσ= 80nH
VGE= ±15V, RG= 2,4Ω, Tvj= 125°C
Eoff
IC= 300A, VCC= 600V, Lσ= 80nH
ISC
Rückstromspitze
peak reverse recovery current IRM
Charakteristische Werte / characteristic values
VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25°C
IF= 300A, -diF/dt= 3000A/µs
IF= 300A, VGE= 0V, Tvj= 25°C
IF= 300A, VGE= 0V, Tvj= 125°C
forward voltage
Durchlassspannung
Inversdiode / free-wheel diode
VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25°C
VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125°C
0,7
Qr
VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125°C
VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25°C
Tc= 25°C
VF
-
IF= 300A, -diF/dt= 3000A/µs
- nH
stray inductance module
Modulinduktivität LσCE -
Kurzschlussverhalten tP ≤ 10µs, VGE ≤ 15V, TVj ≤ 125°C
turn off energy loss per pulse
Abschaltverzögerungszeit (induktive Last)
turn off delay time (inductive load)
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn on energy loss per pulse
Ausschaltverlustenergie pro Puls
VGE= ±15V, RG= 2,4Ω, Tvj= 125°C
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
1200 - A
- mJ
- mJ
Transistor Wechselrichter / transistor inverter
tf
VGE= ±15V, RG= 2,4Ω, Tvj= 25°C
IC= 300A, VCC= 600V
td,on
Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)
IC=300A, VCC= 600V
tr
Einschaltverzögerungszeit (induktive Last)
turn on delay time (inductive load)
RCC´/EE´
-
td,off
-
-
Erec
-
20
25
44
VGE= ±15V, RG= 2,4Ω, Tvj= 25°C
IF= 300A, -diF/dt= 3000A/µs
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
VGE= ±15V, RG= 2,4Ω, Tvj= 125°C
VCC= 900V, VCEmax= VCES - LσCE ·di/dt
VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125°C
VGE= ±15V, RG= 2,4Ω, Tvj= 125°C
IC= 300A, VCC= 600V
Ausschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
VGE= ±15V, RG= 2,4Ω, Tvj= 25°C
2 (8) DB_DF300R12KE3_3.0
2002-10-02
Technische Information / technical information
DF300R12KE3
IGBT-Module
IGBT-Modules
- 1,65 2,15 V
- 1,65 - V
- 280 - A
- 360 - A
- 40 - µC
- 75 - µC
- 18 - mJ
- 34 - mJ
- - 0,085 K/W
- - 0,150 K/W
- - 0,125 K/W
Anzugsdrehmoment, elektr. Anschlüsse MNm
terminal connection torque 2,5 - 5,0Anschlüsse /terminals M6
Thermische Eigenschaften / thermal properties
RthCK K/W
Tvj max
Lagertemperatur
storage temperature
operation temperature Tvj op
Tstg
-
Nm
°C-40 - 125
-
Al2O3
-0,010
RthJC
°C
maximum junction temperature
Betriebstemperatur -40 - 125 °C
150-
Gehäuse, siehe Anlage
comperative tracking index
internal insulation
M
mounting torque
CTI
Schraube M6 / screw M6 6,0
g
weight G
Gewicht
3,0
Anzugsdrehmoment, mech. Befestigung
pro Modul / per module
λPaste= 1W/m*K / λgrease= 1W/m*K
Ausschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
IF=400A, -diF/dt= 4000A/µs
VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125°C
Transistor Wechelr. / transistor inverter
Inversdiode / free wheel diode
IF=400A, -diF/dt= 4000A/µs
Innerer Wärmewiderstand; DC
thermal resistance, junction to case; DC
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften
zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
IRM
VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25°C
VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125°C
VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25°C Qr
Mechanische Eigenschaften / mechanical properties
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Übergangs Wärmewiderstand
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid with
the belonging technical notes.
Innere Isolation
case, see appendix
340
425
Chopperdiode / chopper diode
Durchlassspannung IF=400A, VGE= 0V, Tvj= 25°C VF
forward voltage IF= 400A, VGE= 0V, Tvj= 125°C
-
Erec
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
IF=400A, -diF/dt= 4000A/µs
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemp.
VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 25°C
VR= 600V, VGE= -15V, Tvj= 125°C
Chopper Diode / chopper diode
Charakteristische Werte / characteristic values
3 (8) DB_DF300R12KE3_3.0
2002-10-02
Technische Information / technical information
DF300R12KE3
IGBT-Module
IGBT-Modules
Ausgangskennlinie (typisch) IC= f(VCE)
output characteristic (typical) Tv
j
= 125°C
output characteristic (typical) VGE= 15V
A
usgangs
k
enn
li
n
i
en
f
e
ld
(t
yp
i
sc
h)
IC= f(VCE)
0
100
200
300
400
500
600
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
VCE [V]
IC [A]
VGE=19V
VGE=17V
VGE=15V
VGE=13V
VGE=11V
VGE=9V
0
100
200
300
400
500
600
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5
VCE [V]
IC [A]
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
4 (8) DB_DF300R12KE3_3.0
2002-10-02
Technische Information / technical information
DF300R12KE3
IGBT-Module
IGBT-Modules
Durchlasskennlinie der Dioden (typisch) IF= f(VF)
forward caracteristic of diodes (typical)
Übertragungscharakteristik (typisch)
transfer characteristic (typical)
IC= f(VGE)
VCE= 20V
0
100
200
300
400
500
600
5678910111213
VGE [V]
IC [A]
Tvj=25°C
Tvj=125°C
0
75
150
225
300
375
450
525
600
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4
VF [V]
IF [A] of inverse diode
0
100
200
300
400
500
600
700
800
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
IF [A] of chopper diode
5 (8) DB_DF300R12KE3_3.0
2002-10-02
Technische Information / technical information
DF300R12KE3
IGBT-Module
IGBT-Modules
S
c
h
a
lt
ver
l
us
t
e
(t
yp
i
sc
h)
Switching losses (typical)
Eon = f (RG) , Eoff = f (RG) , Erec = f (RG)
VGE=±15V, IC=300A, VCE=600V, Tvj=125°C
S
c
h
a
lt
ver
l
us
t
e
(t
yp
i
sc
h)
Switching losses (typical)
Eon = f (IC) , Eoff = f (IC) , Erec = f (IC)
VGE=±15V, RG=2,4Ω, VCE=600V, Tvj=125°C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
0 100 200 300 400 500 600
IC [A]
E [mJ]
Eon
Eoff
Erec
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
0 4 8 1216202428
RG [Ω]
E [mJ]
Eon
Eoff
Erec
6 (8) DB_DF300R12KE3_3.0
2002-10-02
Technische Information / technical information
DF300R12KE3
IGBT-Module
IGBT-Modules
τi [s] : Chopper Diode 6,499E-02 2,601E-02 2,364E-03
ri [K/kW] : Chopper Diode 52,51 63,02 7,10
τi [s] : Inversdiode 6,499E-02 2,601E-02 2,364E-03
2,364E-03
ri [K/kW] : Inversdiode 62,99 75,66 8,52
2,601E-02
4
ri [K/kW] : IGBT 35,73 42,82 4,84 1,61
i 123
Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)
Reverse bias safe operation area (RBSOA) VGE=±15V, Tvj=125°C, RG=2,4Ω
1,187E-05
2,83
1,187E-05
2,37
1,187E-05
τi [s] : IGBT 6,499E-02
Transienter Wärmewiderstand
Transient thermal impedance
ZthJC = f (t)
0,001
0,01
0,1
1
0,001 0,01 0,1 1 10
t [s]
ZthJC [K/W]
Zth : IGBT
Zth : Inversdiode
Zth : Diode Chopper
0
100
200
300
400
500
600
700
0 200 400 600 800 1000 1200 1400
VCE [V]
IC [A]
IC,Chip
IC,Modul
7 (8) DB_DF300R12KE3_3.0
2002-10-02
Technische Information / technical information
DF300R12KE3
IGBT-Module
IGBT-Modules
20 mm
11 mm
clearance distance
Luftstrecke
creepage distance
Kriechstrecke
Gehäusemaße / Schaltbild
Package outline / Circuit diagram
8 (8) DB_DF300R12KE3_3.0
2002-10-02
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lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir we isen darauf hin, dass wir für diese Fälle
- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;
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