N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Datenblatt / Data sheet
D8407N
BIP PPE4 / 2007-06-15, H.Sandmann A 16/07 1/7
Seite/page
Kenndaten
Elektrische Eigenschaften
Thermische Eigenschaften
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltages
Tvj = -40°C... Tvj max
VRRM 400
600
V
V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
tp ≥ 5ms IFRMSM 13200 A
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 130 °C
TC = 64 °C
IFAVM 4725
8408
A
A
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
IFSM 81000
70000
A
A
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
I²t 32800
24500
10³A²s
10³A²s
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Tvj = Tvj max , iF = 8 kA
vF
max.
0,96 V
Schleusenspannung
threshold voltage
Tvj = Tvj max V
(TO) 0,66 V
Ersatzwiderstand
slope resistance
Tvj = Tvj max r
T 0,036 mΩ
Durchlaßkennlinie 1000 A ≤ iF ≤ 10000 A
on-state characteristic
F
FFF iD)1i(lnCiBAv ⋅++⋅+⋅+=
Tvj = Tvj max A=
B=
C=
D=
4,167E-01
1,807E-05
6,716E-03
3,782E-03
Sperrstrom
reverse current
Tvj = Tvj max , vR = VRRM
iR max. 100 mA
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
RthJC
max.
max.
0,0098
0,0092
°C/W
°C/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
RthCH
max. 0,0025
°C/W
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Tvj max 180 °C
Betriebstemperatur
operating temperature
T
c op -40...+150 °C
Lagertemperatur
storage temperature Tstg -40...+150 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Seite 2
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Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpreßkraft
clamping force
F 40...60 kN
Gewicht
weight
G typ. 180 g
Kriechstrecke
creepage distance
5,5 mm
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz 50 m/s²
prepared by: H.Sandmann date of publication: 2007-10-22
approved by: J.Przybilla revision: 2
N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Datenblatt / Data sheet
D8407N
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Mechanische Eigenschaften
ld
Maßbild
x) Pumpröhrchen (isoliert betreiben!), evacuation pipe (keep insulated!)
12
1: Anode/
Anode
2: Kathode/
Cathode
N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Datenblatt / Data sheet
D8407N
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Transienter Wärmewiderstand
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC
Kühlung /
Cooling Pos. n 1 2 3 4 5 6 7
Rthn [°C/W] 0,000016 0,000121 0,000939 0,000474 0,00116 0,00167 0,00482
beidseitig
two-sided τn [s] 0,000018 0,000254 0,001110 0,007520 0,0227 0,10700 0,32400
Analytische Funktion / Analytical function: Σ
−
=
τ
max
n
n=1 thnthJC n
-t
e1RZ
b
0,000
0,001
0,002
0,003
0,004
0,005
0,006
0,007
0,008
0,009
0,001 0,01 0,1 1 10
t [s]
Z thJC [°C/W]
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / Transient thermal impedance for DC
Z thJC = f(t)
b - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Datenblatt / Data sheet
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Diagramme
Diagramme
Durchlasskennlinie
Erhöhung des Zth DC bei sinus- und rechteckförmigen Strömen für unterschiedliche Stromflusswinkel Θ
Rise of Zth DC for sinewave and rectangular current for different current conduction angles Θ
∆Zth Θ rec / ∆Zth Θ sin
Kühlung / Cooling Θ = 180° Θ = 120° Θ = 90° Θ = 60° Θ = 30°
∆Zth Θ rec
[°C/W]
0,00176
0,00312
0,00434
0,00645
0,01087
beidseitig
two-sided ∆Zth Θ sin
[°C/W]
0,00052
0,00100
0,00175
0,00336
0,00747
Zth Θ rec = Zth DC + ∆Zth Θ rec
Zth Θ sin = Zth DC + ∆Zth Θ sin
Tvj = Tvj max
0
5.000
10.000
15.000
20.000
25.000
0,60,70,80,9 1 1,11,21,31,41,5
VF [V]
iF [A]
Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic iF = f(vF)
Tvj = Tvj max
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Durchlassverluste
Tc beidseitig
a
c
d
b
e
f
0
2000
4000
6000
8000
10000
12000
14000
16000
0 2000 4000 6000 8000 10000 12000 14000
IFAV [A]
PFAV [W]
Parameter:
a - DC
b - sin 180°el (M 1 , M 2 , B 2)
c - rec 120° el (B 6 , M 3 , M 3.2)
d - rec 60°el (M 6)
e - sin 60°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungs-
belastung / Reverse voltage load)
f - sin 30°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungs-
belastung / Reverse voltage load)
Durchlassverlustleistung / On-state power loss PFAV = f(IFAV)
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
a
c
d bef
20
40
60
80
100
120
140
160
180
0 2000 4000 6000 8000 10000 12000 14000
I FAV [A]
T C [°C]
Parameter:
a - DC
b - sin 180°el (M 1 , M 2 , B 2)
c - rec 120° el (B 6 , M 3 , M 3.2)
d - rec 60°el (M 6)
e - sin 60°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungs-
belastung / Reverse voltage load)
f - sin 30°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungs-
belastung / Reverse voltage load)
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(IFAV)
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
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Rectifier Diode
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Qr Diagramm
0-50V
0,33 VRRM
0,67 VRRM
0
10
20
30
40
50
60
70
80
1 3 5 7 9 11131517
Anzahl der Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen
Number of pulses of 50Hz sinusoidal half waves
IF(OV)M [kA]
Typische Abhängigkeit des Grenzstromes IF(OV)M von der Anzahl für eine Folge von Sinus
Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Rückwärtsspannung VRM
Typical dependency of maximum overload on-state current IF(OV)M as a number of a sequence of
sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage VRM
IF(OV)M = f (pulses, VRM) ; Tvj = Tvj max
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Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
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