广东省粤晶高科股份有限公司
符
号
额定值
单
位
VCBO
700
V
VCEO
400
V
VEBO
9
V
IC
8
A
IB
4
A
(
Tc=25
℃
)
80
(Ta=25℃)
2
Tj
150
℃
Tstg
-55-150
℃
最小
典型
最大
HFE(1)
8
60
β值
BVcbo
700
V
BVceo
400
V
BVebo
9
V
Icbo
1
mA
Iebo
1
mA
Vce(
sat)
2
V
Vbe(sat)
1.6
V
f
T
4M
H
z
t
on
1.6
u
S
t
s
3.5
u
S
t
f
0.7
u
S
打印标识
D13007
分
档
AB
C
D
E
HFE(1)
8-25
20-35
30-45
40-55
50-60
D13007
■■
主要用途:用于电子节能灯、电子镇流器等功率开关电路。
■■
绝对最大额定值(
Ta=25
℃)
参数名称
NPN
硅双极晶体管
集电极
-
基极电压
集电极
-
发射极电压
发射极
-
基极电压
集电极电流
规范值
基极电流
结
温
■■电参数(
Ta=25
℃)
储存温度
集电极
耗散功率
P
D
W
Veb=9 V ,Ic=0
发射极
-
基极击穿电压
单
位
集电极
-
基极击穿电压
Ic=1 mA ,Ie=0
集电极
-
发射极击穿电压
Ic=10 mA ,Ib=0
参数名
称符
号测
试条件
Ic=5A ,Ib=1A
基极
-
发射极饱和压降
Ic=5A ,Ib=1A
共发射极直流电流增益
Vce=5 V
,Ic=2
A
集电极
-
发射极饱和压降
Ie=1 mA ,Ic
=0
集电极
-
基极截止电流
Vcb=700 V ,Ie=0
发射极
-
基极截止电流
特征频率
Vce=10V, Ic=500mA, f
=1.0MHz
导通时间
Vce=10V, Ic=2A,
I
B1=
I
B2=
400mA
存贮时间
下降时间
QR027
■■
HFE(1)
分档及其标识
B
C
E
B
E
C
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