European PowerSemiconductor and Electronics Company Marketing Information T 618 N T 619 N C o36 o30 C o30 A o36 A o3,5 x 2 deep on both sides HK plug 2,8 x 0,8 3,5 x 3,5 deep on both sides HK plug 4,8 x 0,8 G plug 2,8 x 0,8 2 4 G plug 2,8 x 0,8 VWK Nov. 1996 T 618 / 619 N Elektrische Eigenschaften Hochstzulassige Werte Periodische Vorwarts- und RuckwartsSpitzensperrspannung Vorwarts-Stospitzensperrspannung Electrical properties Maximum rated values Ruckwarts-Stospitzensperrspannung repetitive peak forward off-state and reverse voltages non-repetitive peak forward off-state voltage non-repetitive peak reverse voltage tvj = -40C...t vj max VDRM , VRRM tvj = -40C...t vj max VDSM tvj = +25C...t vj max VRSM Durchlastrom-Grenzeffektivwert RMS on-state current Dauergrenzstrom average on-state current Stostrom-Grenzwert surge current Grenzlastintegral I2 t-value tvj = 25C, t p = 10 ms Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state current DIN IEC 747-6, f= 50 Hz, ITRMSM tc = 85C ITAVM tc = 67C tvj = 25C, t p = 10 ms 600 800 1000 1200 1400 600 800 1000 1200 1400 700 900 1100 1300 1500 1250 V V V A 618 A 795 A ITSM 11000 A I2 t 605000 A2s 451000 A2s tvj = tvj max , tp = 10 ms 9500 A tvj = tvj max , tp = 10 ms (diT/dt)cr 200 A/s (dvD/dt)cr 1000 V/s vL=10 V, i GM= 1 A, di G/dt = 1 A/s Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state voltage tvj = tvj max , vD =0,67 V DRM 5.Kennbuchstabe/5th letter F Charakteristische Werte Characteristic values Durchlaspannung on-state voltage tvj = tvj max , iT = 2000 A vT Schleusenspannung threshold voltage tvj = tvj max VT(TO) Ersatzwiderstand slope resistance tvj = tvj max rT Zundstrom gate trigger current tvj = 25 C, v D = 6 V IGT max. 250 mA Zundspannung gate trigger voltage tvj = 25 C, v D = 6 V VGT max. 2,2 V Nicht zundender Steuerstrom gate non-trigger current tvj = tvj max , vD = 6 V IGD Nicht zundende Steuerspannung gate non-trigger voltage tvj = tvj max , vD = 0,5 V DRM VGD Haltestrom holding current tvj = 25 C, v D = 6 V, R A = 5 IH max. 300 mA Einraststrom latching current tvj = 25 C,v D = 6 V, R GK 10 IL max. 1200 mA Vorwarts- und Ruckwarts-Sperrstrom forward off-state and reverse currents tvj = tvj max, vD = VDRM , vR = VRRM Zundverzug gate controlled delay time Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time DIN IEC 747-6, t vj=25C, i GM=1A, tgd diG/dt=1A/s tvj=tvj max , iTM=iTAVM , vRM=100 V, v DM=0,67 tq vDRM , dvD/dt=20V/s,-di T/dt=10A/s, 4.Kennbuchstabe/4th letter O max. 1,75 V 0,8 V 0,42 m max. 10 mA max. 0,25 V iGM = 1 A, di G /dt = 1 A/s, t g = 20 s Thermische Eigenschaften Innerer Warmewiderstand Thermal properties thermal resistance, junction to case Kuhlflache/cooling surface i D, i R thermal resistance, case to heatsink max. 4 s typ. 250 s RthJC beidseitig/two-sided, =180 sin max. 0,045 C/W beidseitig/two-sided, DC max. 0,041 C/W Anode/anode, =180 sin max. 0,074 C/W Anode/anode, DC max. 0,070 C/W Kathode/cathode, =180 sin max. 0,104 C/W Kathode/cathode, DC Ubergangs-Warmewiderstand max. 50 mA Kuhlflache/cooling surface max. 0,100 C/W RthCK beidseitig/two-sided max. 0,0075 C/W einseitig/single-sided max. 0,0150 C/W Hochstzul.Sperrschichttemperatur max. junction temperature tvj max Betriebstemperatur operating temperature tc op -40...+125 C Lagertemperatur storage temperature tstg -40...+140 C Si-Elemente mit Druckkontakt,Amplifying- Si-pellet with pressure contact,amplifying Gate gate Anprekraft clamping force Mechanische Eigenschaften Mechanical properties F Gewicht weight G Kriechstrecke creepage distance Feuchteklasse humidity classification DIN 40040 Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50 Hz Gehause case 125 C 6...12 kN typ. 120 g 17 mm C 50 m/s Titelseite / front page T 618 N / T 619 N 3,5 3,0 iT 2,5 [kA] 2,0 1,5 1,0 0,5 0 0,5 T 618/619 N / 1 1 1,5 2 2,5 vT [V] Bild / Fig. 1 Grenzdurchlakennlinie / Limiting on-state characteristic iT = f(vT) t vj = tvj max