T618N - Eupec Power Semiconductors

T 618 / 619 N

Elektrische Eigenschaften

Electrical properties

Höchstzulässige Werte

Maximum rated values

Periodische Vorwärts- und Rückwärts-

Spitzensperrspannung

repetitive peak forward off-state and

reverse voltages

tvj = -40°C...tvj max VDRM, VRRM

600 800 1000 1200

1400

Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak forward off-state

voltage

tvj = -40°C...tvj max VDSM

600 800 1000 1200

1400

Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage tvj = +25°C...tvj max VRSM

700 900 1100 1300

1500

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS on-state current ITRMSM 1250 A

Dauergrenzstrom average on-state current tc = 85°C ITAVM 618 A

tc = 67°C 795 A

Stoßstrom-Grenzwert surge current tvj = 25°C, tp = 10 ms ITSM 11000 A

tvj = tvj max, tp = 10 ms 9500 A

Grenzlastintegral I2 t-value tvj = 25°C, tp = 10 ms I2 t605000 A2s

tvj = tvj max, tp = 10 ms 451000 A2s

Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state current DIN IEC 747-6, f= 50 Hz, (diT/dt)cr 200 A/µs

vL=10 V, iGM= 1 A, diG/dt = 1 A/µs

Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state voltage tvj = tvj max, vD =0,67 VDRM (dvD/dt)cr 1000 V/µs

5.Kennbuchstabe/5th letter F

Charakteristische Werte

Characteristic values

Durchlaßspannung on-state voltage tvj = tvj max, iT = 2000 A vTmax. 1,75 V

Schleusenspannung threshold voltage tvj = tvj max VT(TO) 0,8 V

Ersatzwiderstand slope resistance tvj = tvj max rT0,42 mΩ

Zündstrom gate trigger current tvj = 25 °C, vD = 6 V IGT max. 250 mA

Zündspannung gate trigger voltage tvj = 25 °C, vD = 6 V VGT max. 2,2 V

Nicht zündender Steuerstrom gate non-trigger current tvj = tvj max, vD = 6 V IGD max. 10 mA

Nicht zündende Steuerspannung gate non-trigger voltage tvj = tvj max, vD = 0,5 VDRM VGD max. 0,25 V

Haltestrom holding current tvj = 25 °C, vD = 6 V, RA = 5 ΩIHmax. 300 mA

Einraststrom latching current tvj = 25 °C,vD = 6 V, RGK ≥ 10 ΩILmax. 1200 mA

iGM = 1 A, diG /dt = 1 A/µs, tg = 20 µs

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse currents tvj = tvj max, vD = VDRM, vR = VRRM iD, iRmax. 50 mA

Zündverzug gate controlled delay time DIN IEC 747-6, tvj=25°C, iGM=1A,

/dt=1A/µs

tgd max. 4 µs

Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time tvj=tvj max, iTM=iTAVM, vRM=100 V, vDM

=0,67

vDRM, dvD/dt=20V/µs,-diT/dt=10A/µs,

4.Kennbuchstabe/4th letter O

tqtyp. 250 µs

Thermische Eigenschaften

Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Kühlfläche/cooling surface RthJC

beidseitig/two-sided, Θ =180° sin max. 0,045 °C/W

beidseitig/two-sided, DC max. 0,041 °C/W

Anode/anode, Θ =180° sin max. 0,074 °C/W

Anode/anode, DC max. 0,070 °C/W

Kathode/cathode, Θ =180° sin max. 0,104 °C/W

Kathode/cathode, DC max. 0,100 °C/W

Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Kühlfläche/cooling surface RthCK

beidseitig/two-sided max. 0,0075 °C/W

einseitig/single-sided max. 0,0150 °C/W

Höchstzul.Sperrschichttemperatur max. junction temperature tvj max 125 °C

Betriebstemperatur operating temperature tc op -40...+125 °C

Lagertemperatur storage temperature tstg -40...+140 °C

Mechanische Eigenschaften

Mechanical properties

Si-Elemente mit Druckkontakt,Amplifying-

Gate

Si-pellet with pressure contact,amplifying

gate

Anpreßkraft clamping force F6...12 kN

Gewicht weight Gtyp. 120 g

Kriechstrecke creepage distance 17 mm

Feuchteklasse humidity classification DIN 40040 C

Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50 Hz 50 m/s²

Gehäuse

case

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