SB1230 ... SB12100
SB1230 ... SB12100
Bypass Diodes for Solar Modules – Schottky Barrier Rectifiers
Bypass-Dioden für Solarmodule – Schottky-Barrier-Gleichrichter
Version 2012-01-31
Dimensions - Maße [mm]
Nominal current – Nennstrom 12 A
Peak reverse voltage – Spitzensperrspannung 30...100 V
Plastic case – Kunststoffgehäuse Ø 5.4 x 7.5 [mm]
Weight approx. – Gewicht ca. 1.0 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
On request taped on 13” reel Green Molding
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack Halogen-Free1
Auf Anfrage gegurtet auf 13” Rolle
Features Vorteile
Best trade-off between VF and IR 2)
1250 pcs/13” reel for longer reel change intervals
Optimaler Kompromiss zwischen VF und IR 2)
1250 Stk. / 13” Rolle für längere Bestückungszyklen
Maximum ratings and characteristics Grenz- und Kennwerte
Type
Typ
Repetitive / Surge peak reverse voltage
Periodische- / Spitzen-Sperrspannung
VRRM [V] / VRSM [V]
Forward Voltage
Durchlass-Spannung
VF [V] Tj = 125°C
Forward Voltage
Durchlass-Spannung
VF [V] Tj = 25°C
IF = 5 A IF = 5 A IF = 12 A
SB1230 30 typ. 0.30 < 0.45 < 0.55
SB1240 40 typ. 0.30 < 0.45 < 0.55
SB1250 50 typ. 0.46 < 0.61 < 0.68
SB1260 60 typ. 0.46 < 0.61 < 0.68
SB1290 90 typ. 0.60 < 0.75 < 0.83
SB12100 100 typ. 0.60 < 0.75 < 0.83
Max. average forward current – Dauergrenzstrom in Einwegschaltung TA = 50°C IFAV 12 A 3)
Peak forward surge current – Stoßstrom (50/60 Hz half sine wave) TA = 25°C IFSM 280/320 A
Rating for fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 390 A2s
Leakage current – Sperrstrom VR = VRRM Tj = 25°C IR< 500 µA
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb
Tj
Tj
-50...+150°C
≤ 200°C 2)
Storage temperature – Lagerungstemperatur TS-50...+175°C
Therm. Resist. junction/ambient – Wärmewiderst. Sperrschicht/Umgebung RthA < 14 K/W 3)
Therm. Resist. junction/leads – Wärmewiderst. Sperrschicht/Anschlussdraht RthL < 4 K/W 4)
1 From 2H/2012 – Ab 2H/2012
2 See Diotec Application Note “Reliability of Bypass Diodes” – Siehe Diotec Applikationsschrift „Reliability of Bypass Diodes”
3 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
4 Measured in 3 mm distance from case – for bypass diode test – Gemessen in 3 mm Abstand vom Gehäuse – für Bypass-Diodentest
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
Type
Ø
±0.05
1.2
Ø
±0.1
5.4
62.5
±0.5
7.5
±0.1
SB1230 ... SB12100
2http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
120
100
80
60
40
20
0
[%]
I
FAV
Rated forward current versus ambient temperature )
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. )
1
1
[°C]
T
A
150100
50
0
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
SB1230, SB1240
10
10
1
10
10
2
-1
-2
[A]
I
F
0V
F
0.4 0.6 [V] 1.0
SB1250, SB1260
SB1290, SB12100
T = 25°C
j
T = 125°C
j
10
10
10
1
10
3
-1
2
[mA]
I
R
0V
RRM
40 60 80 100 [%]
Typ. instantaneous leakage current vs. rev. voltage
Typ. Sperrstrom (Augenblickswert) ü. Sperrspannung
T = 25°C
j
T = 150°C
j
T = 125°C
j
T = 75°C
j
V = 20V ... 45V
RRM
T = 100°C
j
10
10
10
1
10
3
-1
2
[mA]
I
R
0V
RRM
40 60 80 100 [%]
Typ. instantaneous leakage current vs. rev. voltage
Typ. Sperrstrom (Augenblickswert) ü. Sperrspannung
T = 25°C
j
T = 150°C
j
T = 125°C
j
T = 75°C
j
V = 50V ... 60V
RRM
T = 100°C
j
10
10
10
10
1
4
3
2
[µA]
I
R
0V
RRM
40 60 80 100 [%]
Typ. instantaneous leakage current vs. rev. voltage
Typ. Sperrstrom (Augenblickswert) ü. Sperrspannung
T = 25°C
j
T = 150°C
j
T = 125°C
j
V = 80V ... 100V
RRM