Semiconductor Group 1 1998-06-26
Wesentliche Merkmale
●GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt
im Schmelzepitaxieverfahren
●Enge Toleranz: Chipoberfläche/
Bauteiloberkante
●Gute spektrale Anpassung an
Si-Fotoempfänger
●Sehr plane Oberfläche
●Gehäusegleich mit SFH 217
Anwendungen
●Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb bis 500 kHz
●LWL
Features
●GaAIAs infrared emitting diode, fabricated in
a liquid phase epitaxy process
●Small tolerance: Chip surface to case
surface
●Good spectral match to silicon
photodetectors
●Plane surface
●Same package as SFH 217
Applications
●Light-reflection switches for steady and
varying intensity (max. 500 kHz)
●Fibre optic transmission
GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm)
GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 485 P
Typ
Type Bestellnummer
Ordering Code Gehäuse
Package
SFH 485 P Q62703-Q516 5-mm-LED-Gehäuse, plan, klares violettes Epoxy-
Gießharz, Lötspieße im 2.54-mm-Raster (1/10’’),
Anodenkennzeichnung: kürzerer Anschluß
5 mm LED package (T 1 3/4), plane violet-colored
transparent epoxy resin, solder tabs lead spacing
2.54 mm (1/10’’), anode marking: short lead.
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
5.9
5.5
0.6
0.4
ø5.1
ø4.8
2.54 mm
spacing
3.85
3.35
5.0
4.2
1.0
0.5
29
27
1.8
1.2
0.8
0.4
Area not flat
0.6
0.4
Chip position
GEX06306
Cathode
fex06306
SFH 485 P
Semiconductor Group 2 1998-06-26
Grenzwerte (TA = 25 °C)
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range Top;Tstg – 55 ... + 100 °C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature Tj100 °C
Sperrspannung
Reverse voltage VR5V
Durchlaßstrom
Forward current IF100 mA
Stoßstrom, τ≤ 10 µs
Surge current IFSM 2.5 A
Verlustleistung
Power dissipation Ptot 200 mW
Wärmewiderstand, freie Beinchenlänge
max. 10 mm
Thermal resistance, lead length between
package bottom and PC-board max. 10 mm
RthJA 375 K/W
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
IF = 100 mA
λpeak 880 nm
Spektrale Bandbreite bei 50 % von Imax,
IF = 100 m A
Spectral bandwidth at 50 % of Imax
∆λ 80 nm
Abstrahlwinkel
Half angle ϕ±40 Grad
deg.
Aktive Chipfläche
Active chip area A0.16 mm2
Abmessungen der aktiven Chipfläche
Dimension of the active chip area L×B
L×W0.4 ×0.4 mm
Abstand Chipoberfläche bis
Gehäusevorderseite
Distance chip front to case surface
H0.5 ... 1 mm
Semiconductor Group 3 1998-06-26
SFH 485 P
Strahlstärke Ie in Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr
Grouping at radiant intensity Ie in axial direction
at a solid angle of Ω = 0.01 sr
Schaltzeiten, Ie von 10 % auf 90 % und von
90 % auf 10 %, bei IF = 100 mA, RL = 50 Ω
Switching times, Ie from 10 % to 90 % and
from 90 % to10 %, IF = 100 mA, RL = 50 Ω
tr,tf0.6/0.5 µs
Kapazität
Capacitance
VR = 0 V, f = 1 MHz
Co25 pF
Durchlaßspannung
Forward voltage
IF = 100 mA, tp = 20 ms
IF = 1 A, tp = 100 µsVF1.5 (< 1.8)
3.0 (< 3.8) V
Sperrstrom
Reverse current
VR = 5 V
IR0.01 (≤ 1)µA
Gesamtstrahlungsfluß
Total radiant flux
IF = 100 mA, tp = 20 ms
Φe25 mW
Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe,
IF = 100 mA
Temperature coefficient or Ie or Φe,
IF = 100 mA
TCI– 0.5 %/K
Temperaturkoeffizient von VF,IF = 100 mA
Temperature coefficient of VF,IF = 100 mA TCV– 2 mV/K
Temperaturkoeffizient von λpeak,IF = 100 mA
Temperature coefficient of λpeak,IF = 100 mA TCλ0.25 nm/K
Bezeichnung
Description Symbol Werte
Values Einheit
Unit
Strahlstärke
Radiant intensity
IF = 100 mA, tp = 20 ms Ie> 3.15 mW/sr
Strahlstärke
Radiant intensity
IF = 1 A, tp = 100 µsIe typ. 48 mW/sr
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics (cont’d)
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
SFH 485 P
Semiconductor Group 4 1998-06-26
Relative spectral emission
Irel =f (λ)
Forward current, IF=f(VF)
Single pulse, tp = 20 µs
0
750
Ι
rel
OHR00877
800 850 900 950 nm 1000
20
40
60
80
%
100
λ
10
OHR00881
F
V
-3
-2
10
-1
10
0
10
1
10
0123456V8
A
Ι
F
Radiant intensity
Single pulse, tp = 20 µs
Permissible pulse handling capability
IF=f(τ), TA = 25 °C,
duty cycle D = parameter
Ie
Ie100 mA = f(IF)
10
OHR00878
Ι
e
F
Ι
-3
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
0
10 10
1
10
2
10
4
mA
e
Ι
(100mA)
3
10
10
Ι
F
OHR00886
1
2
10
3
10
4
10
mA
-5
10 s
=
D
F
Ι
T
DC
0.005=
D
p
t
T
t
p
p
t
0.5
0.2
0.1
0.01
0.02
0.05
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
Max. permissible forward current
IF=f (TA)
Forward current versus lead length
between the package bottom and the
PC-board IF=f(I), TA = 25 °C
T
OHR00880
0
F
Ι
020 40 60 80 100˚C
mA
25
50
75
100
125
OHR00949
F
Ι
00 5 10 15 20 25 mm 30
20
40
60
80
100
mA
120
Radiation characteristics Irel =f (ϕ)
OHR01893
02040 60 80 100 1200.40.60.81.0
100
90
80
70
60
50
0
10203040
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
ϕ
