Transistors NPN silicium Planar pitaxiaux NPW silicon transistors Epitaxial planar Planepox - Amplification BF grands et petits Small and large signals LF amplification Dissipation de puissance maximate Maximum power dissipation Prot tw) 09 075 0,56 6,50 0,36 0,25 tease (PCH(Z Oo signaux tamb(C)(1) ) 2N 4424 2N 4425 *k Dispositif recommand Prefered device Donnes principales Principal features VcEo 40 V ho4 E (2 mA) 180 - 540 0,36 W 2N 4424 Prot(25C) tor ose W 2N 4425 i Boitiers plastiques Plastic cases TO-98 X28 i. ECB BCE 2N 4424 2N 4425 Valeurs limites absolues d'utilisation 4 tamh= 25C Absolute ratings (limiting values} (Sauf indications contraires) {Unless otherwise specified) Pavamdtre d ter 2n 4426 2N 4425 Tension collecteur-base Collector-base voltage VcBo 60 60 v Tension collecteur-metteur Collector-emitter voltage Vceo 40 40 v Tension metteur-base Emitter-base voltage VEeBO 5 5 v Courant collecteur Collector current le 500 500 mA . tamb = 25C (1) 0,36 0,66 Dissipation de puissance _ Prot w Power dissipation tease =25C (2) 09 Temprature de jonction u Junction tempera ture max J 150 150 c Temprature de stockage min t 65 55 torage temperature max stg +150 +150 c ef. Seooeseamn 1970-07 1/22N 4424 2N 4425 Caractristiques gnrales a tamb = 25C General characteristics Caractristiques statiques Static characteristics (Sauf indications contraires } (Unless otherwise specitied) Courant rsiduel collecteur-base | Collector-base cut-off current te =0 cBO Vop=40 V 10 BA tamb= 100C Courant rsiduel collecteur-metteur Vee=0 tl 30 nA Collector-emitter cut-off current Voce =40V cES Courant rsiduel metteur-base lo = Emitter-base cut-off current Vep=5 V 'EBO 0,1) uA Tension de claquage collecteur-base | =0 t Collector-base breakdown voltage Ic =10 nA \ (BR)CBO] 60 v Tension de claquage collecteur-metteur | =0 | Collector-emitter breakdown voltage Io =10mA V(BRICEO 40 v Tension de claquage metteur-base Ip =0,7 pA Vv Emitter-base breakdown voltage te =0 (BR)EBO 5 v Valeur statique du rapport du transfert lc =2mA Girect du courant _ hore 180 540 Static forward current transfer ratio Vce =4,5V . . 1 =50 mA Tension de saturation collecteur-metteur c Vv Collector-emitter saturation voltage lp =3mA CEsat 0,3 Vv Tension de saturation base-metteur Ic =50 mA Base-emitter saturation valtage Ip =3mA VeEsat 0,85 v * Impulsions ty = 300us & < 2% Pulsed Caractristiques dynamiques (pour petits signaux) Dynamic characteristics (for smatt signats} f =1kHz Rapport de transfert direct du courant = A Forward current transfer ratio Ic 2m hg le 180 Voe=45V 2/2