NPN SILICON TRANSISTORS, EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORS NPN SILICIUM, PLANAR EPITAXIAUX BF 253 BF 254 BF 255 BF 253, BF 254 and BF 255 transistors are intended for AM and AM/FM radio receivers : BF 253 and BF 264 for use in AM/FM IF ampii- fiers and for input stages in long, medium and short waves bands. BF 255 for amplifier and converter input stages in FM broadecasr band. Les transistors BF 253, BF 254 et BF 255 sont destins aux rcepteurs de radio AM et AM/FM : - 8F 253 et BF 254 pour Iemploi en amplificateur Fi AM/ FM at dans les tages dentre en ondes courtes, moyennes et longues. BF 255, les tages dentre ampli et convertisseur dnas la bande FM. VcEo 30V f { 300 MHz BF 253, BF 254 T 250 MHz BF 255 C126 0,7 pF 4dB a 100MHz F 1,2dB a 1MHz 15dB a 200MHz Maximum power dissipation Plastic case F 139 B See outline drawing CB-76 on last pages Dissipation de puissance maximale Boitier plastique Voir dessin cot CB-76 dernires pages Prot (mw) 0,3 C 0,2 N E ot N Bottom view \ Vue de dessous Weight : 0,3 g. 5 50 100 150 Tamb'C) Masse ABSOLUTE RATINGS (LIMITING VALUES) T_ | =425 C (Untess otherwise stated) VALEURS LIMITES ABSOLUES DUTILISATION amb (Sauf indications contraires! Collector-base voltage Tension collecteur bea Vcpo 30 Vv Colfector-emitter voltage Tension collecteur-metteur VcEO 30 v Emitter-base voltage Tension dmetteur-bese Vego 5 v Collector current Courant collecteur lc 30 mA Base current Courant base lg 1 mA Power dissipation Dissipation de puissance Prot 300 mw Junction temperature T. . Temprature de jonction J 126 ec Storage temperature min. T 65 C Temprature de stockage max stg +125 c THOMSON-CSF 76-24 4/7,BF 253, BF 254, BF 255 STATIC CHARACTERISTICS T =25C (Unless otherwise stated) CARACTERISTIQUES STATIQUES amb (Sauf indications contraires) Test conditions : Conditions de mesure Min. Typ. Max. Collector-base cut-off current = Courant rsiduel collecteur-base VoBo= 10V 'cBo 100 nA Coilector-base breakdown voltage Io = 10uA Tension de claquage collecteur-base le =0 ViBR \CBO 30 Vv . te = 10uA Emitter-base breakdown voltage E Vv Tension de claquage metteur-base Ic = 0 (BR)EBO 5 v Collector-emitter breakdown voltage Io =2mA Vv Tension de claquage collecteur-metteur 'p =0 (BR)CEO 30 Vv Base-emitter voltage Voges 10V Vv Tension base-metteur lo = 1mA BE 0,65 0,7 0,74 Vv Static forward current transfer ratio Vog= 10V h BF 253 (1) 40 360 Valeur statique du rapport de transfert I 1mA 21E BF 254 67 225 direct du courant c = BE 255 35 125 BF 253-2 40 70 a. gs BF 253-3 60 100 NOTE1: BF 253 grouped in five class of hoe BF 253-4 {ho E 90 150 Les BF 253 sont groups en 5 classes de *orE BF 253-5 140 220 BF 253-6 200 350 DYNAMIC CHARACTERISTICS (for small signals) CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES (pour petits signaux) Vep= 10V Transition frequency lo = 1mA fy BF 254 300 MHz Frquence de transit ~ ransition f= 100MHz BF 255 250 MHz Feedback capacitance Voe= 10V os Capacit de raction lc = 1mA C126 0,7 pF 27 558BF 253, BF 254, BF 255 DYNAMIC CHARACTERISTICS (for small signals) CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES (pour petits signaux) (Unless otherwise stated) {Sauf indications contraires) Test conditions : Conditions de mesure Min. Typ. Max. Voce= 10V t = 1mA c t = 200 kHz BF 254 1,5 dB Rg = 500 2 Voe= 10V Noise figure lo = mA Facteur de bruit f = 1MHz F BF 254 1,2 dB Rg = 600 Q Vce= 10V Ic = im BF 255 4 dB f = 100MHz Rg = 100 Q \ Vog= 10V lo =1mA 3 dB f= 200kHz BF 254 Conversion noise factor Re = 1800 2 F Facteur de bruit de conversion Vv 10V c T cE | = 1mA Cc fo = 1MHz BF 254 2 dB Re = 8200 | Vere= 10V Input admittance | Cen mA 911b BF 255 32 mS Admittance dentre Cc f = 100 MHz Vec= 10V CE Input susceptance = b S Susceptance dentre lo imA 11b : BF 255 2 m f = 100 MHz Vega 10V . CE= Input capacitance Iq = 1mA Crip BF 255 3 pF Capacit dentre f = 100 MHz Vers 10V . CE= Transfer admittance Admittance de transfert Ic = 1mA Yorn! BF 255 32 ms f = 100 MHz Vege= 10V Phase angle of transfer admittance \ cE 1mA y BF 255 150 Angle de phase de Iadmittance de transfert Cc = m 21b f = 100 MHz Vec= 10V Output conductance \ cE 1mA 999b BF 255 80 BS Conductance de sortie c ='m f = 100 MHz Output susceptance Ve= ea b. BF 255 700 S Susceptance de sortie c =/im 22b us f = 100 MHz 3/7 559BF 253, BF 254, BF 255 DYNAMIC CHARACTERISTICS (for small signals) (Uniess otherwise stated) CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES (pour petits signaux} (Sauf indications contraires) Test conditions j Conditions de mesure Min. Typ. Max. , Vee= 10V Output capacitance lo = 1ma Coon BF 255 1,2 pF Capacit de sortie f = 100MHz Vee= 10V BF 253 0,3 mS lo =1mA BF 254 0,35 mS Input conductance f = 500kHz Ite BF 255 0,56 mS Conductance dentre Vog= 10V BF 253 0,4 mS Ip = 1mA BF 254 0,4 mS f = 10MHz BF 255 0,6 mS Vee= 10V BF 253 4 us le =1mA BF 254 4 uS Output conductance f = 500 kHz 2096 BF 255 2 us Conductance de sortie Vog= 10V BF 253 6 us Io =1mA BF 254 6 us f = 10MHz BF 255 3 us THERMAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES THERMIQUES Junction-ambient thermai resistance Ru: Rsistance thermique (jonction-ambiante) th {j-a} 350 C/W 560BF 253, BF 254, BF 255 STATIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES STATIQUES (mA) 0 0,12 -08 -04 0 4 8 Vepiv) 0 4 8 12 16 VoglV) (uA) 100 80 60 20 0 0,2 04 06 Vpelv) 5/7 561BF 253, BF 254, BF 255 STATIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES STATIQUES 922e 10,7 MHz 25C 10 2 4 68 2 4 6 jE(mA) 922e uf 9226 22e [~ -.-__.. (pF) 22e f 0,5 MHz Tamb = 26C 2 102 10 2 4 6 IEimA) 2 4 6 ig(ma) 6/7 562BF 253, BF 254, BF 255 STATIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES STATIQUES 68 2 4 6] A} 107! 10 elm Site (ma | 91 ie c te [> -----=- (pF) Ile 2 f 10,7 MHz 25C 102 Tomb 10 2 4 6 ima} 4 4 6 Ig (ma) 6 Ie (mA) W 563