2007-03-30 1
200 7- 03- 3 0
Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter; in SMT
Si-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter; in SMT
Version 1.0
BPW 34 FAS
Ordering Information
Bestellinformation
Features: Besondere Merkmale:
• Especially suitable for the wavelength range of
730 nm to 1100 nm
• Speziell geeignet für den Wellenlängenbereich von
730 nm bis 1100 nm
• Short switching time (typ. 20 ns) • Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)
• DIL plastic package with high packing density • DIL-Plastikbauform mit hoher Packungsdichte
• Suitable for reflow soldering • Geeignet für Reflow Löten
Applications Anwendungen
• Photointerrupters • Lichtschranken
• IR remote control of hi-fi and TV sets, video tape
recorders, dimmers, remote controls of various
equipment
• IR-Fernsteuerung von Fernseh- und
Rundfunkgeräten, Videorecordern, Lichtdimmern,
Gerätefernsteuerungen
• Automotive (eg rain sensor, headset) • Automotomobil (z.B. Regensensor, Headset)
Type: Photocurrent Ordering Code
Typ: Fotostrom Bestellnummer
λ = 870 nm, Ee = 1 mW/cm2, VR = 5 V
IP [µA]
BPW 34 FAS 50 (≥ 40) Q65110A3121
2007-03-30 2
Version 1.0 BPW 34 FAS
Maximum Ratings (TA = 25 °C)
Grenzwerte
Characteristics (TA = 25 °C)
Kennwerte
Parameter Symbol Values Unit
Bezeichnung Symbol Werte Einheit
Operating and storage temperature range
Betriebs- und Lagertemperatur
Top; Tstg -40 ... 100 °C
Reverse voltage
Sperrspannung
VR16 V
Reverse voltage
Sperrspannung
(t < 2 min)
VR32 V
Total power dissipation
Verlustleistung
Ptot 150 mW
Parameter Symbol Values Unit
Bezeichnung Symbol Werte Einheit
Photocurrent
Fotostrom
(VR = 5 V, λ = 870 nm, Ee=1 mW/cm2)
IP50 (≥ 40) µA
Wavelength of max. sensitivity
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
λS max 880 nm
Spectral range of sensitivity
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
λ10% 730 ... 1100 nm
Radiant sensitive area
Bestrahlungsempfindliche Fläche
A7.02mm
2
Dimensions of radiant sensitive area
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
L x W 2.65 x 2.65 mm x
mm
Half angle
Halbwinkel
ϕ± 60 °
Dark current
Dunkelstrom
(VR = 10 V)
IR2 (≤ 30) nA
Spectral sensitivity of the chip
Spektrale Fotoempfindlichkeit des Chips
(λ = 870 nm)
Sλ typ 0.65 A / W
Version 1.0 BPW 34 FAS
2007-03-30 3
Quantum yield of the chip
Quantenausbeute des Chips
(λ = 870 nm)
η0.93 Electro
ns
/Photon
Open-circuit voltage
Leerlaufspannung
(Ee = 0.5 mW/cm2, λ = 870 nm)
VO320 (≥ 250) mV
Short-circuit current
Kurzschlussstrom
(Ee = 0.5 mW/cm2, λ = 870 nm)
ISC 23 µA
Rise and fall time
Anstiegs- und Abfallzeit
(VR = 5 V, RL = 50 Ω, λ = 850 nm, IP = 800 µA)
tr, tf0.02 µs
Forward voltage
Durchlassspannung
(IF = 100 mA, E = 0)
VF1.3 V
Capacitance
Kapazität
(VR = 0 V, f = 1 MHz, E = 0)
C072 pF
Temperature coefficient of VO
Temperaturkoeffizient von VO
TCV-2.6 mV / K
Temperature coefficient of ISC
Temperaturkoeffizient von ISC
(λ = 870 nm)
TCI0.03 % / K
Noise equivalent power
Rauschäquivalente Strahlungsleistung
(VR = 10 V, λ = 870 nm)
NEP 0.039 pW /
Hz½
Detection limit
Nachweisgrenze
(VR = 10 V, λ = 870 nm)
D*6.8e12 cm x
Hz½ / W
Parameter Symbol Values Unit
Bezeichnung Symbol Werte Einheit
2007-03-30 4
Version 1.0 BPW 34 FAS
Relative Spectral Sensitivity
Relative spektrale Empfindlichkeit
Srel = f(λ)
Photocurrent / Open-Circuit Voltage
Fotostrom / Leerlaufspannung
IP (VR = 5 V) / VO = f(Ee)
Total Power Dissipation
Verlustleistung
Ptot = f(TA)
Dark Current
Dunkelstrom
IR = f(VR), E = 0
λ
OHF01430
400
rel
S
0600 800 1000 nm 1200
10
20
30
40
50
60
70
80
%
100
E
OHF01428
e
0
10
P
Ι
-1
10
10
1
10
2
10
4
10
0
10
1
10
2
10
34
10
3
10
2
10
1
10
10
0
V
O
μAmV
Ι
P
V
O
2
W/cmμ
T
OHF00958
A
0
tot
P
020 40 60 80 ˚C 100
mW
20
40
60
80
100
120
140
160
0
OHF00080
Ι
R
R
V
0510 15 V20
1000
2000
3000
4000
pA
Version 1.0 BPW 34 FAS
2007-03-30 5
Capacitance
Kapazität
C = f(VR), f = 1 MHz, E = 0
Dark Current
Dunkelstrom
IR = f(TA), VR = 10 V, E = 0
Directional Characteristics
Winkeldiagramm
Srel = f(ϕ)
V
OHF00081
R
-2
10
C
0
-1
10
0
10
1
10
2
10V
10
20
30
40
50
60
70
80
pF
100
T
OHF00082
A
-1
10 0
R
Ι
10
0
10
1
10
2
10
3
nA
20 40 60 80 ˚C 100
OHF01402
90
80
70
60
50
40 30 20 10
20 40 60 80 100 1200.40.60.81.0
ϕ
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
100 0
0
0
2007-03-30 6
Version 1.0 BPW 34 FAS
Package Outline
Maßzeichnung
Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch).
Package SMT DIL, Epoxy
Gehäuse SMT DIL, Harz
Version 1.0 BPW 34 FAS
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Method of Taping
Gurtung
Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch).
Reflow Soldering Profile
Reflow-Lötprofil
Preconditioning: JEDEC Level 4 acc. to JEDEC J-STD-020D.01
OHAY2287
1.5 (0.059)
4 (0.157)
0.8 (0.031)
2 (0.079)
4.1 (0.161)
1.75 (0.069)
5.5 (0.217)
12 (0.472)
6.9 (0.272)
Cathode/Collector Side
0
0s
OHA04525
50
100
150
200
250
300
50 100 150 200 250 300
t
T
˚C
S
t
t
P
t
T
p
240 ˚C
217 ˚C
245 ˚C
25 ˚C
L
2007-03-30 8
Version 1.0 BPW 34 FAS
OHA04612
Profile Feature
Profil-Charakteristik
Ramp-up rate to preheat*
)
25 °C to 150 °C
23K/s
Time t
S
T
Smin
to T
Smax
t
S
t
L
t
P
T
L
T
P
100 12060
10 20 30
80 100
217
23
245 260
36
Time
25 °C to T
P
Time within 5 °C of the specified peak
temperature T
P
- 5 K
Ramp-down rate*
T
P
to 100 °C
All temperatures refer to the center of the package, measured on the top of the component
* slope calculation DT/Dt: Dt max. 5 s; fulfillment for the whole T-range
Ramp-up rate to peak*
)
T
Smax
to T
P
Liquidus temperature
Peak temperature
Time above liquidus temperature
Symbol
Symbol
Unit
Einheit
Pb-Free (SnAgCu) Assembly
Minimum MaximumRecommendation
K/s
K/s
s
s
s
s
°C
°C
480
Version 1.0 BPW 34 FAS
2007-03-30 9
Disclaimer Disclaimer
Attention please!
The information describes the type of component and
shall not be considered as assured characteristics.
Terms of delivery and rights to change design reserved.
Due to technical requirements components may contain
dangerous substances.
For information on the types in question please contact
our Sales Organization.
If printed or downloaded, please find the latest version in
the Internet.
Packing
Please use the recycling operators known to you. We
can also help you – get in touch with your nearest sales
office.
By agreement we will take packing material back, if it is
sorted. You must bear the costs of transport. For
packing material that is returned to us unsorted or which
we are not obliged to accept, we shall have to invoice
you for any costs incurred.
Components used in life-support devices or
systems must be expressly authorized for such
purpose!
Critical components* may only be used in life-support
devices** or systems with the express written approval
of OSRAM OS.
*) A critical component is a component used in a
life-support device or system whose failure can
reasonably be expected to cause the failure of that
life-support device or system, or to affect its safety or the
effectiveness of that device or system.
**) Life support devices or systems are intended (a) to be
implanted in the human body, or (b) to support and/or
maintain and sustain human life. If they fail, it is
reasonable to assume that the health and the life of the
user may be endangered.
Bitte beachten!
Lieferbedingungen und Änderungen im Design
vorbehalten. Aufgrund technischer Anforderungen
können die Bauteile Gefahrstoffe enthalten. Für weitere
Informationen zu gewünschten Bauteilen, wenden Sie
sich bitte an unseren Vertrieb. Falls Sie dieses
Datenblatt ausgedruckt oder heruntergeladen haben,
finden Sie die aktuellste Version im Internet.
Verpackung
Benutzen Sie bitte die Ihnen bekannten Recyclingwege.
Wenn diese nicht bekannt sein sollten, wenden Sie sich
bitte an das nächstgelegene Vertriebsbüro. Wir nehmen
das Verpackungsmaterial zurück, falls dies vereinbart
wurde und das Material sortiert ist. Sie tragen die
Transportkosten. Für Verpackungsmaterial, das
unsortiert an uns zurückgeschickt wird oder das wir nicht
annehmen müssen, stellen wir Ihnen die anfallenden
Kosten in Rechnung.
Bauteile, die in lebenserhaltenden Apparaten und
Systemen eingesetzt werden, müssen für diese
Zwecke ausdrücklich zugelassen sein!
Kritische Bauteile* dürfen in lebenserhaltenden
Apparaten und Systemen** nur dann eingesetzt
werden, wenn ein schriftliches Einverständnis von
OSRAM OS vorliegt.
*) Ein kritisches Bauteil ist ein Bauteil, das in
lebenserhaltenden Apparaten oder Systemen
eingesetzt wird und dessen Defekt voraussichtlich zu
einer Fehlfunktion dieses lebenserhaltenden Apparates
oder Systems führen wird oder die Sicherheit oder
Effektivität dieses Apparates oder Systems
beeinträchtigt.
**) Lebenserhaltende Apparate oder Systeme sind für
(a) die Implantierung in den menschlichen Körper oder
(b) für die Lebenserhaltung bestimmt. Falls Sie
versagen, kann davon ausgegangen werden, dass die
Gesundheit und das Leben des Patienten in Gefahr ist.
Version 1.0 BPW 34 FAS
2007-03-30 10
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