2007-04-03 Silicon Dual Photodiode Silizium-Doppelfotodiode Version 1.0 SFH 221 Features: Besondere Merkmale: * Especially suitable for applications from 400 nm to 1100 nm * High photosensitivity * Hermetically sealed metal package (similar to TO-5), suitable up to 125 C * Double diode with extremely high homogeneousness * Speziell geeignet fur Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm * High photosensitivity * Hermetisch dichte Metallbauform (ahnlich TO-5), geeignet bis 125 C * Doppeldiode von extrem hoher Gleichmaigkeit Applications Anwendungen * * * * Industrial electronics For control and drive circuits Edge drives Follow-up control * * * * Industrieelektronik Messen / Steuern / Regeln Kantenfuhrung Nachlaufsteuerung Ordering Information Bestellinformation Type: Ordering Code Typ: Bestellnummer SFH 221 Q62702P0270 Note:: For operating conditions of TA > 85 C please contact us. Anm:: Eine Abstimmung der Einsatzbedingungen mit dem Hersteller wird empfohlen bei TA > 85 C. 2007-04-03 1 Version 1.0 SFH 221 Maximum Ratings (TA = 25 C) Grenzwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Operating and storage temperature range Betriebs- und Lagertemperatur Top; Tstg -40 ... 125 C Reverse voltage Sperrspannung VR 10 V Insulation voltage vs. package Isolationsspannung gegen Gehause VIS 100 V Total power dissipation Verlustleistung Ptot 50 mW Characteristics (TA = 25 C, per single diode / fur jede Einzeldiode) Kennwerte Parameter Symbol Values Bezeichnung Symbol Spectral sensitivity Fotoempfindlichkeit (VR = 5 V, standard light A, T = 2856 K) S Wavelength of max. sensitivity Wellenlange der max. Fotoempfindlichkeit S max 900 nm Spectral range of sensitivity Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit 10% 400 ... 1100 nm Radiant sensitive area Bestrahlungsempfindliche Flache A Dimensions of radiant sensitive area Abmessung der bestrahlungsempfindlichen Flache LxW Half angle Halbwinkel 55 Dark current Dunkelstrom (VR = 10 V) IR 10 ( 100) Spectral sensitivity of the chip Spektrale Fotoempfindlichkeit des Chips ( = 850 nm) S typ 2007-04-03 2 Werte Unit 24 ( 15) Einheit nA/Ix 1.54 mm2 0.7 x 2.2 mm x mm 0.55 nA A/W Version 1.0 SFH 221 Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Max. deviation from average for each single diode Max. Abweichung der Fotoempfindlichkeit der Einzeldiode vom Mittelwert S Quantum yield of the chip Quantenausbeute des Chips ( = 850 nm) Open-circuit voltage Leerlaufspannung (Ev = 1000 lx, Std. Light A) VO 330 ( 280) mV Short-circuit current Kurzschlussstrom (Ev = 1000 lx, Std. Light A) ISC 24 A Insulation current Isolationsstrom (VIS = 100 V) IIS 0.1 ( 1) nA Rise and fall time Anstiegs- und Abfallzeit (VR = 5 V, RL = 1 k, = 850 nm, Ip = 25 A) tr, tf 0.5 s Forward voltage Durchlassspannung (IF = 40 mA, E = 0) VF 1 V Capacitance Kapazitat (VR = 0 V, f = 1 MHz, E = 0) C0 25 pF Temperature coefficient of VO Temperaturkoeffizient von VO TCV -2.6 mV / K Temperature coefficient of ISC Temperaturkoeffizient von ISC (Std. Light A) TCI 0.18 %/K Noise equivalent power Rauschaquivalente Strahlungsleistung (VR = 10 V, = 850 nm) NEP 0.103 pW / Hz1/2 Detection limit Nachweisgrenze (VR = 10 V, = 850 nm) D* 1.2e12 cm x Hz1/2 / W 2007-04-03 3 5 0.80 % Electro ns /Photon Version 1.0 SFH 221 Relative Spectral Sensitivity Relative spektrale Empfindlichkeit Srel = f() Photocurrent / Open-Circuit Voltage Fotostrom / Leerlaufspannung IP (VR = 5 V) / VO = f(Ev) Total Power Dissipation Verlustleistung Ptot = f(TA) Dark Current Dunkelstrom IR = f(VR), E = 0 2007-04-03 4 Version 1.0 SFH 221 Dark Current Dunkelstrom IR = f(TA), VR = 10 V, E = 0 Capacitance Kapazitat C = f(VR), f = 1 MHz, E = 0 Directional Characteristics Winkeldiagramm Srel = f() 2007-04-03 5 Version 1.0 SFH 221 Package Outline Mazeichnung ) 0.0 33 5( 26 3.4 (0.134) 14.5 (0.571) 3.0 (0.118) 12.5 (0.492) 1.0 0.8 (0 (0 .03 .03 9) 1) 5.08 (0.200) spacing ) Anode B o0.45 (0.018) 0.0 0.6 Radiant sensitive area 2.0 (0.079) 5( o9.5 (0.374) o9.0 (0.354) o8.3 (0.327) o8.0 (0.315) o6.0 (0.236) o5.8 (0.228) 0.8 Chip position Anode A Metal case Isolated cathode 0.3 (0.012) max 0.09 (0.004) Diode system Radiant sensitive area 2.0 (0.079) x 1.67 (0.066) each Approx. weight 1.5 g GMOY6639 Dimensions in mm (inch). / Mae in mm (inch). Package Metal Can (TO-39), hermetically sealed Gehause Metall Gehause (TO-39), hermetisch dicht 2007-04-03 6 Version 1.0 SFH 221 TTW Soldering Wellenloten (TTW) IEC-61760-1 TTW / IEC-61760-1 TTW OHLY0598 300 C T 10 s 250 Normalkurve standard curve 235 C ... 260 C Grenzkurven limit curves 2. Welle 2. wave 200 1. Welle 1. wave 150 ca 200 K/s 2 K/s 5 K/s 100 C ... 130 C 100 2 K/s 50 Zwangskuhlung forced cooling 0 0 50 100 150 200 t 2007-04-03 7 s 250 Version 1.0 SFH 221 Disclaimer Disclaimer Attention please! The information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristics. Terms of delivery and rights to change design reserved. Due to technical requirements components may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact our Sales Organization. If printed or downloaded, please find the latest version in the Internet. Packing Please use the recycling operators known to you. We can also help you - get in touch with your nearest sales office. By agreement we will take packing material back, if it is sorted. You must bear the costs of transport. For packing material that is returned to us unsorted or which we are not obliged to accept, we shall have to invoice you for any costs incurred. Components used in life-support devices or systems must be expressly authorized for such purpose! Critical components* may only be used in life-support devices** or systems with the express written approval of OSRAM OS. Bitte beachten! Lieferbedingungen und Anderungen im Design vorbehalten. Aufgrund technischer Anforderungen konnen die Bauteile Gefahrstoffe enthalten. Fur weitere Informationen zu gewunschten Bauteilen, wenden Sie sich bitte an unseren Vertrieb. Falls Sie dieses Datenblatt ausgedruckt oder heruntergeladen haben, finden Sie die aktuellste Version im Internet. Verpackung Benutzen Sie bitte die Ihnen bekannten Recyclingwege. Wenn diese nicht bekannt sein sollten, wenden Sie sich bitte an das nachstgelegene Vertriebsburo. Wir nehmen das Verpackungsmaterial zuruck, falls dies vereinbart wurde und das Material sortiert ist. Sie tragen die Transportkosten. Fur Verpackungsmaterial, das unsortiert an uns zuruckgeschickt wird oder das wir nicht annehmen mussen, stellen wir Ihnen die anfallenden Kosten in Rechnung. Bauteile, die in lebenserhaltenden Apparaten und Systemen eingesetzt werden, mussen fur diese Zwecke ausdrucklich zugelassen sein! Kritische Bauteile* durfen in lebenserhaltenden Apparaten und Systemen** nur dann eingesetzt werden, wenn ein schriftliches Einverstandnis von OSRAM OS vorliegt. *) A critical component is a component used in a life-support device or system whose failure can reasonably be expected to cause the failure of that life-support device or system, or to affect its safety or the effectiveness of that device or system. **) Life support devices or systems are intended (a) to be implanted in the human body, or (b) to support and/or maintain and sustain human life. If they fail, it is reasonable to assume that the health and the life of the user may be endangered. *) Ein kritisches Bauteil ist ein Bauteil, das in lebenserhaltenden Apparaten oder Systemen eingesetzt wird und dessen Defekt voraussichtlich zu einer Fehlfunktion dieses lebenserhaltenden Apparates oder Systems fuhren wird oder die Sicherheit oder Effektivitat dieses Apparates oder Systems beeintrachtigt. **) Lebenserhaltende Apparate oder Systeme sind fur (a) die Implantierung in den menschlichen Korper oder (b) fur die Lebenserhaltung bestimmt. Falls Sie versagen, kann davon ausgegangen werden, dass die Gesundheit und das Leben des Patienten in Gefahr ist. 2007-04-03 8 Version 1.0 SFH 221 Published by OSRAM Opto Semiconductors GmbH Leibnizstrae 4, D-93055 Regensburg www.osram-os.com (c) All Rights Reserved. 2007-04-03 9