Silicon PNP Power Transistors
. . . for use in power amplifier and switching circuits, — excellent
safe area limits. Complement to NPN 2N5191, 2N5192
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
*MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Rating
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
2N5194
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
2N5195
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
VCEO
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
60
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
80
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Base Voltage
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
VCB
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
60
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
80
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter–Base Voltage
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
VEB
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
5.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Current
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
IC
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
4.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base Current
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
IB
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
1.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Total Power Dissipation @ TC = 25C
Derate above 25C
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
PD
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
40
320
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Watts
mW/C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Operating and Storage Junction
Temperature Range
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
TJ, Tstg
ÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎ
–65 to +150
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
C/W
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
THERMAL CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Max
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Case
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
θJC
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
3.12
ÎÎÎ
ÎÎÎ
C/W
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
*ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25C unless otherwise noted)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Min
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Max
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage (1)
(IC = 0.1 Adc, IB = 0) 2N5194
2N5195
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
VCEO(sus)
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
60
80
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
—
—
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Cutoff Current
(VCE = 60 Vdc, IB = 0) 2N5194
(VCE = 80 Vdc, IB = 0) 2N5195
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
ICEO
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
—
—
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
1.0
1.0
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Cutoff Current
(VCE = 60 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc) 2N5194
(VCE = 80 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc) 2N5195
(VCE = 60 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc, TC = 125C) 2N5194
(VCE = 80 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc, TC = 125C) 2N5195
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
ICEX
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
—
—
—
—
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
0.1
0.1
2.0
2.0
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Cutoff Current
(VCB = 60 Vdc, IE = 0) 2N5194
(VCB = 80 Vdc, IE = 0) 2N5195
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
ICBO
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
—
—
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
0.1
0.1
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter Cutoff Current
(VBE = 5.0 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
IEBO
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
—
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
1.0
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
mAdc
*Indicates JEDEC Registered Data.
(1) Pulse Test: Pulse Width 300 µs, Duty Cycle 2.0%.
Preferred devices are ON Semiconductor recommended choices for future use and best overall value.
ON Semiconductor
Semiconductor Components Industries, LLC, 2002
April, 2002 – Rev. 10 1Publication Order Number:
2N5194/D
2N5194
2N5195
*ON Semiconductor Preferred Device
4 AMPERE
POWER TRANSISTORS
SILICON PNP
60–80 VOLTS
*
CASE 77–09
TO–225AA TYPE
321
STYLE 1:
PIN 1. EMITTER
2. COLLECTOR
3. BASE
2N5194 2N5195
http://onsemi.com
2
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
*ELECTRICAL CHARACTERISTICS — continued (TC = 25C unless otherwise noted)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Min
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Max
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC Current Gain (2)
(IC = 1.5 Adc, VCE = 2.0 Vdc) 2N5194
2N5195
(IC = 4.0 Adc, VCE = 2.0 Vdc) 2N5194
2N5195
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
hFE
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
25
20
10
7.0
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
100
80
—
—
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
—
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Saturation Voltage (2)
(IC = 1.5 Adc, IB = 0.15 Adc)
(IC = 4.0 Adc, IB = 1.0 Adc)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
VCE(sat)
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
—
—
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
0.6
1.4
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base–Emitter On Voltage (2)
(IC = 1.5 Adc, VCE = 2.0 Vdc)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
VBE(on)
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
—
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
1.2
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DYNAMIC CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Current–Gain — Bandwidth Product
(IC = 1.0 Adc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 MHz)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
fT
ÎÎÎ
ÎÎÎ
2.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
—
ÎÎÎ
ÎÎÎ
MHz
*Indicates JEDEC Registered Data.
(2) Pulse Test: Pulse Width 300 µs, Duty Cycle 2.0%.
VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
10
0.1
0.004
7.0
5.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.007 0.01 0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 4.0
VCE = 2.0 V
VCE = 10 V
Figure 2. Collector Saturation Region
IB, BASE CURRENT (mA)
2.0
0
0.05
1.6
1.2
0.8
0.4
0.07 0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 10 500
IC = 10 mA
2.0 3.0
TJ = 150°C
-55°C
25°C
3.0
2.0
0.2
hFE, DC CURRENT GAIN (NORMALIZED)
5.0 7.0 20 30 50 70 100 200 300
100 mA 1.0 A 3.0 A
TJ = 25°C
2N5194 2N5195
http://onsemi.com
3
RBE, EXTERNAL BASE-EMITTER RESISTANCE (OHMS)
2.0
0.005
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
0.01 0.02 0.03 0.05 0.2 0.3 1.0 2.0 4.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
TJ = 25°C
VBE(sat) @ IC/IB = 10
VCE(sat) @ IC/IB = 10
VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. “On” Voltage
0.1 0.5 3.0
VBE @ VCE = 2.0 V
+2.5
Figure 4. Temperature Coefficients
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
*APPLIES FOR IC/IB ≤ hFE @ VCE
TJ = -65°C to +150°C
V, TEMPERATURE COEFFICIENTS (mV/ C)°θ
+2.0
+1.5
+0.5
0
-0.5
-1.0
-1.5
-2.0
-2.5
θVB for VBE
*θVC for VCE(sat)
+1.0
0.005 0.01 0.020.03 0.05 0.2 0.3 1.0 2.0 4.00.1 0.5 3.0
103
+0.4
Figure 5. Collector Cut–Off Region
VBE, BASE-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
102
101
100
10-1
, COLLECTOR CURRENT (A)µIC
10-2
10-3
+0.3 +0.2 +0.1 0 -0.1 -0.2 -0.3 -0.4 -0.5 -0.6
VCE = 30 Vdc
TJ = 150°C
100°C
25°C
REVERSE FORWARD
ICES
107
20
Figure 6. Effects of Base–Emitter Resistance
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
40 60 80 100 120 140 160
106
105
104
103
102
VCE = 30 V
IC = 10 x ICES
IC = 2 x ICES IC ≈ICES
(TYPICAL ICES VALUES
OBTAINED FROM FIGURE 5)
Figure 7. Switching Time Equivalent Test Circuit
APPROX
-11 V
TURN-ON PULSE
Vin
t1
VBE(off)
TURN-OFF PULSE
Vin
t3
t2
APPROX
-11 V
VCC
SCOPE
RB
Cjd<<Ceb
+4.0 V
t1 ≤ 7.0 ns
100 < t2 < 500 µs
t3 < 15 ns
DUTY CYCLE ≈ 2.0%
Vin
RC
0
RB AND RC VARIED
TO OBTAIN DESIRED
CURRENT LEVELS
500
0.1
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
0.2 0.3 0.5 1.0 3.0 5.0 20 40
300
200
100
70
50
TJ = 25°C
CAPACITANCE (pF)
Figure 8. Capacitance
2.0 10 30
Ceb
Ccb
APPROX
+9.0 V
2N5194 2N5195
http://onsemi.com
4
2.0
0.05
Figure 9. Turn–On Time
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.02 0.07 0.1 0.2 0.3 1.0 2.0 4.0
tr @ VCC = 30 V
IC/IB = 10
TJ = 25°C
0.03
t, TIME (s)µ
0.5
0.05
0.07
0.7 3.0
tr @ VCC = 10 V
td @ VBE(off) = 2.0 V
2.0
0.05
Figure 10. Turn–Off Time
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.02 0.07 0.1 0.2 0.3 1.0 2.0 4.0
tf @ VCC = 30 V
IB1 = IB2
IC/IB = 10
ts′ = ts - 1/8 tf
TJ = 25°C
0.03
t, TIME (s)µ
0.5
0.05
0.07
0.7 3.0
tf @ VCC = 10 V
ts′
10
1.0
Figure 11. Rating and Thermal Data
Active–Region Safe Operating Area
VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
5.0
2.0
1.0
0.5
0.1 2.0 5.0 10 20 50 100
SECONDARY BREAKDOWN LIMIT
THERMAL LIMIT @ TC = 25°C
BONDING WIRE LIMIT
0.2
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
CURVES APPLY BELOW RATED VCEO
TJ = 150°C
2N5194
dc
5.0 ms 1.0 ms
100 µs
2N5195
Note 1:
There are two limitations on the power handling ability of
a transistor; average junction temperature and second
breakdown. Safe operating area curves indicate I C – V CE
limits of the transistor that must be observed for reliable
operation; i.e., the transistor must not be subjected to greater
dissipation than the curves indicate.
The data of Figure 11 is based on TJ(pk) = 150C. TC is
variable depending on conditions. Second breakdown pulse
limits are valid for duty cycles to 10% provided TJ(pk)
150C. At high–case temperatures, thermal limitations
will reduce the power that can be handled to values less than
the limitations imposed by second breakdown.
Figure 12. Thermal Response
t, TIME OR PULSE WIDTH (ms)
1.0
0.01
0.01
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.02 0.03
r(t), EFFECTIVE TRANSIENT
THERMAL RESISTANCE (NORMALIZED)
0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 200 300 1000500
θJC(max) = 3.12°C/W
D = 0.5
0.2
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
0.1
2N5194 2N5195
http://onsemi.com
5
DESIGN NOTE: USE OF TRANSIENT THERMAL RESISTANCE DATA
tP
PPPP
t1
1/f
DUTY CYCLE, D = t1 f = t1
tP
PEAK PULSE POWER = PP
Figure 13.
A train of periodical power pulses can be represented by
the model shown in Figure 13. Using the model and the
device thermal response, the normalized effective transient
thermal resistance of Figure 12 was calculated for various
duty cycles.
T o find θJC(t), multiply the value obtained from Figure 12
by the steady state value θJC.
Example:
The 2N5193 is dissipating 50 watts under the following
conditions: t1 = 0.1 ms, tp = 0.5 ms. (D = 0.2).
Using Figure 12, at a pulse width of 0.1 ms and D = 0.2,
the reading of r(t1, D) is 0.27.
The peak rise in junction temperature is therefore:
∆T = r(t) x PP x θJC = 0.27 x 50 x 3.12 = 42.2C
2N5194 2N5195
http://onsemi.com
6
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 77–09
ISSUE W
TO–225AA
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
–B–
–A– M
K
FC
Q
H
V
G
S
D
JR
U
132
2 PL
M
A
M
0.25 (0.010) B M
M
A
M
0.25 (0.010) B M
DIM MIN MAX MIN MAX
MILLIMETERSINCHES
A0.425 0.435 10.80 11.04
B0.295 0.305 7.50 7.74
C0.095 0.105 2.42 2.66
D0.020 0.026 0.51 0.66
F0.115 0.130 2.93 3.30
G0.094 BSC 2.39 BSC
H0.050 0.095 1.27 2.41
J0.015 0.025 0.39 0.63
K0.575 0.655 14.61 16.63
M5 TYP 5 TYP
Q0.148 0.158 3.76 4.01
R0.045 0.065 1.15 1.65
S0.025 0.035 0.64 0.88
U0.145 0.155 3.69 3.93
V0.040 --- 1.02 ---
STYLE 1:
PIN 1. EMITTER
2. COLLECTOR
3. BASE
2N5194 2N5195
http://onsemi.com
7
Notes
2N5194 2N5195
http://onsemi.com
8
ON Semiconductor and are registered trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC (SCILLC). SCILLC reserves the right to make
changes without further notice to any products herein. SCILLC makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for any
particular purpose, nor does SCILLC assume any liability arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all
liability, including without limitation special, consequential or incidental damages. “Typical” parameters which may be provided in SCILLC data sheets and/or
specifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over time. All operating parameters, including “Typicals” must be
validated for each customer application by customer’s technical experts. SCILLC does not convey any license under its patent rights nor the rights of others.
SCILLC products are not designed, intended, or authorized for use as components in systems intended for surgical implant into the body, or other applications
intended to support or sustain life, or for any other application in which the failure of the SCILLC product could create a situation where personal injury or death
may occur. Should Buyer purchase or use SCILLC products for any such unintended or unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold SCILLC
and its officers, employees, subsidiaries, affiliates, and distributors harmless against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable attorney fees
arising out of, directly or indirectly, any claim of personal injury or death associated with such unintended or unauthorized use, even if such claim alleges that
SCILLC was negligent regarding the design or manufacture of the part. SCILLC is an Equal Opportunity/Affirmative Action Employer.
PUBLICATION ORDERING INFORMATION
JAPAN: ON Semiconductor, Japan Customer Focus Center
4–32–1 Nishi–Gotanda, Shinagawa–ku, Tokyo, Japan 141–0031
Phone: 81–3–5740–2700
Email: r14525@onsemi.com
ON Semiconductor Website: http://onsemi.com
For additional information, please contact your local
Sales Representative.
2N5194/D
Literature Fulfillment:
Literature Distribution Center for ON Semiconductor
P.O. Box 5163, Denver, Colorado 80217 USA
Phone: 303–675–2175 or 800–344–3860 Toll Free USA/Canada
Fax: 303–675–2176 or 800–344–3867 Toll Free USA/Canada
Email: ONlit@hibbertco.com
N. American Technical Support: 800–282–9855 Toll Free USA/Canada
