US1A ... US1M US1A ... US1M Ultrafast Switching Surface Mount Silicon Rectifier Diodes Ultraschnelle Silizium-Gleichrichterdioden fur die Oberflachenmontage Version 2012-10-09 Nominal current - Nennstrom 0.2 2.1 2.2 0.2 5 0.2 0.3 Type Typ 4.5 0.1 0.15 1.5 2.7 0.2 1 0.3 Dimensions - Mae [mm] 1A Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 50...1000 V Plastic case Kunststoffgehause ~ SMA ~ DO-214AC Weight approx. - Gewicht ca. 0.07 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehausematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle Maximum ratings Grenzwerte Type Typ Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stospitzensperrspannung VRSM [V] US1A 50 50 US1B 100 100 US1D 200 200 US1G 400 400 US1J 600 600 US1K 800 800 US1M 1000 1000 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TT = 100C IFAV 1A Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 6 A 1) Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave Stostrom fur eine 50 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25C IFSM 30 A Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25C i2t 4.5 A2s Tj -50...+150C -50...+150C Junction temperature - Sperrschichttemperatur Storage temperature - Lagerungstemperatur 1 TS Max. temperature of the terminals TT = 100C - Max. Temperatur der Anschlusse TT = 100C (c) Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 US1A ... US1M Characteristics Kennwerte Type Typ Reverse recovery time Sperrverzugszeit trr [ns] 1) Forward voltage Durchlass-Spannung VF [V] at / bei IF [A] US1A...US1D < 50 < 1.0 1 US1G < 50 < 1.25 1 US1J...US1M < 75 < 1.7 1 Leakage current Sperrstrom Tj = 25C VR = VRRM Tj = 100C VR = VRRM IR IR < 5 A < 100 A Thermal resistance junction to ambient air Warmewiderstand Sperrschicht - umgebende Luft RthA < 70 K/W 2) Thermal resistance junction to terminal Warmewiderstand Sperrschicht - Anschluss RthT < 30 K/W 10 120 [%] [A] 100 US1A...D 1 80 US1G 60 US1J...M 0.1 40 10-2 20 IF IFAV 0 10 0 TT 50 100 150 [C] Rated forward current vs. temp. of the terminals Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Temp. der Terminals 1 2 2 Tj = 25C -3 VF [V] Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) IF = 0.5 A through/uber IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lotpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ (c) Diotec Semiconductor AG