US1A ... US1M
US1A ... US1M
Ultrafast Switching Surface Mount Silicon Rectifier Diodes
Ultraschnelle Silizium-Gleichrichterdioden für die Oberflächenmontage
Version 2012-10-09
Dimensions - Maße [mm]
Nominal current – Nennstrom 1 A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
50...1000 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
~ SMA
~ DO-214AC
Weight approx. – Gewicht ca. 0.07 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Maximum ratings Grenzwerte
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
US1A 50 50
US1B 100 100
US1D 200 200
US1G 400 400
US1J 600 600
US1K 800 800
US1M 1000 1000
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TT = 100°C IFAV 1 A
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz IFRM 6 A 1)
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C IFSM 30 A
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C i2t 4.5 A2s
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-50...+150°C
-50...+150°C
1 Max. temperature of the terminals TT = 100°C – Max. Temperatur der Anschlüsse TT = 100°C
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
Type
Typ
0.15 1
± 0.3
4.5
± 0.3
1.5
±0.1
2.1
± 0.2
2.2
± 0.2
5
± 0.2
2.7
0.2±
US1A ... US1M
Characteristics Kennwerte
Type
Typ
Reverse recovery time
Sperrverzugszeit
trr [ns] 1)
Forward voltage
Durchlass-Spannung
VF [V] at / bei IF [A]
US1A...US1D < 50 < 1.0 1
US1G < 50 < 1.25 1
US1J...US1M < 75 < 1.7 1
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25°C
Tj = 100°C
VR = VRRM
VR = VRRM
IR
IR
< 5 µA
< 100 µA
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA < 70 K/W 2)
Thermal resistance junction to terminal
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss
RthT < 30 K/W
1 IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A
2 Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
2http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
Rated forward current vs. temp. of the terminals
in Abh. v. d. Temp. der TerminalsZul. Richtstrom
120
100
80
60
40
20
0
I
FAV
[%]
[°C]
T
T
150100
50
0
[A]
I
F
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
[V]V
F
10
1
0.1
10
10
-2
-3
US1A...D
US1G
US1J...M
T = 25°C
j
