BC337 ... BC338
BC337 ... BC338
General Purpose NPN Transistors
Universal-NPN-Transistoren
IC= 800 mA
hFE = 160/250/400
Tjmax = 150°C
VCEO = 25...45 V
Ptot = 625 mW
Version 2017-02-09
TO-92 (10D3)
(1)
(2)
Dimensions - Maße [mm]
Typical Applications
Signal processing,
Switching, Amplification
Commercial grade 1)
Typische Anwendungen
Signalverarbeitung,
Schalten, Verstärken
Standardausführung 1)
Features
General Purpose
Three current gain groups
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
Besonderheiten
Universell anwendbar
Drei Stromverstärkungsklassen
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1)
(1) Taped in ammo pack
(Raster 2.54)
(2) On request: in bulk
(Raster 1.27, suffix “BK”)
4000
5000
(1) Gegurtet in Ammo-Pack
(Raster 2.54)
(2) Auf Anfrage: Schüttgut
(Raster 1.27, Suffix “BK”)
Weight approx. 0.01 g Gewicht ca.
Case material UL 94V-0 Gehäusematerial
Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen
MSL N/A
Current gain groups
Stromverstärkungsgruppen
Recommended complementary PNP transistors
Empfohlene komplementäre PNP-Transistoren
BC337-16
BC337-25
BC337-40
BC338-16
BC338-25
BC338-40
BC327 ... BC328
Maximum ratings 2) Grenzwerte 2)
BC337 BC338
Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung E-B short VCES 50 V 30 V
Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung B open VCEO 45 V 25 V
Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung C open VEBO 5 V
Power dissipation – Verlustleistung Ptot 625 mW 3)
Collector current – Kollektorstrom (dc) IC800 mA
Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom ICM 1 A
Base current – Basisstrom IB100 mA
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-55...+150°C
-55…+150°C
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 TA = 25°C, unless otherwise specified – TA = 25°C, wenn nicht anders angegeben
3 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case
Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
16
18
9
2 x 2.54
CB E
2 x 1.27
CB E
4.6
±0.1
4.6
±0.1
min 12.5
Pb
E
L
V
W
E
E
E
R
o
H
S
BC337 ... BC338
Characteristics Kennwerte
Tj = 25°C Min. Typ. Max.
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis
VCE = 1 V, IC = 100 mA
Group -16
Group -25
Group -40
hFE
100
160
250
160
250
400
250
400
630
VCE = 1 V, IC = 300 mA
Group -16
Group -25
Group -40
hFE
60
100
170
130
200
320
–
–
–
Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung 1)
IC = 500 mA, IB = 50 mA VCEsat – – 0.7 V
Base-Emitter-voltage – Basis-Emitter-Spannung 1)
VCE = 1 V, IC = 300 mA, VBE – – 1.2 V
Collector-Emitter cutoff current – Kollektor-Emitter-Reststrom
VCE = 45 V
VCE = 25 V B-E short BC337
BC338 ICES
–
–
2 nA
2 nA
100 nA
100 nA
VCE = 45 V
VCE = 25 V Tj = 125°C B-E short BC337
BC338 ICES
–
–
–
–
10 µA
10 µA
Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz
VCE = 5 V, IC = 10 mA, f = 50 MHz fT– 100 MHz –
Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität
VCB = 10 V, IE =ie = 0, f = 1 MHz CCBO – 12 pF –
Thermal resistance junction to ambient
Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung RthA < 200 K/W 2)
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2%
Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
2 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case
Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
[%]
P
tot
120
100
80
60
40
20
0
[°C]
T
A
150100
50
0
Power dissipation versus ambient temperature )
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. )
1
1
