PB1000 ... PB1010, PB1000S ... PB1010S
PB1000 ... PB1010, PB1000S ... PB1010S
Silicon-Bridge-Rectifiers
Silizium-Brückengleichrichter
Version 2011-03-22
Type: PB... Type: PB...S
Dimensions - Maße [mm]
Nominal current – Nennstrom 10 A
Alternating input voltage
Eingangswechselspannung
35...700 V
Type: PB... 19 x 19 x 6.8 [mm]
Plastic case – Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
5.5 g
Type: PB...S 15.1 x 15.1 x 6.3 [mm]
Plastic case with Al-bottom –
Kunststoffgehäuse mit Alu-Boden
Weight approx. – Gewicht ca.
3.5 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging bulk
Standard Lieferform lose im Karton
Recognized Product – Underwriters Laboratories Inc.® File E175067
Anerkanntes Produkt – Underwriters Laboratories Inc.® Nr. E175067
Maximum ratings Grenzwerte
Type
Typ
Max. alternating input voltage
Max. Eingangswechselspannung
VVRMS [V]
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V] 1)
PB1000 / PB1000S 35 50
PB1001 / PB1001S 70 100
PB1002 / PB1002S 140 200
PB1004 / PB1004S 280 400
PB1006 / PB1006S 420 600
PB1008 / PB1008S 560 800
PB1010 / PB1010S 700 1000
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz IFRM 50 A 2)
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C IFSM 135/150 A 1)
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C i2t 93 A2s
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-50...+150°C
-50...+150°C
1 Per diode – Pro Diode
2 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
19
±0.2
Ø 3.9
6.8
±0.2
19
1.2
12.7
±0.3
_
==
Ø 3.6
10.9
±0.5
1.0
19
6.3
±0.5
10.9
±0.5
15.1
±0.2
PB1000 ... PB1010, PB1000S ... PB1010S
Characteristics Kennwerte
Max. current with cooling fin 300 cm2
Dauergrenzstrom mit Kühlblech 300 cm2
TA = 50°C R-load
C-load
IFAV 10.0 A
8.0 A
Forward voltage
Durchlass-Spannung
Tj = 25°C IF = 5 A VF< 1.2 V 1)
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25°C VR = VRRM IR< 10 µA
Isolation voltage terminals to case
Isolationsspannung Anschlüsse zum Gehäuse
VISO > 2500 V
Thermal Resistance Junction – Case
Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse
RthC < 3.3 K/W
Admissible torque for mounting
Zulässiges Anzugsdrehmoment
M 4 9 ± 10% lb.in
1 ± 10% Nm
1 Per diode – Pro Diode
2http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
10
10
1
10
10
2
-1
-2
I
F
[A]
0.4 0.8 1.0 1.2 1.4 1.8
[V]
V
F
T = 25°C
j
T = 125°C
j
150a-(5a-1.2v)
Rated forward current vs. ambient temperature
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.
150
10050
0[°C]
T
A
120
100
80
60
40
20
0
[%]
I
FAV
