46
整流ダイオード/RectifierDiodes
4
■特長  Features
・接合部温度Ｔｊ =175℃保証を実現
⇒従来品に対して高温側の動作限界温度を向上
・従来の低 IR シリーズに対して、VF は同等で IR は 1/10 以下に低減
⇒熱暴走のリスクを軽減し、高温での高信頼性を実現
・従来の LLD に対し、VF は 10% 低減、IR も 1/10 以下に低減
⇒従来の LLD からの置き換え、もしくは低い耐圧の SBD が使用
可能
· Junction temperature (Tj) of 175°C is guaranteed
 ⇒ Able to operate at a higher temperature than conventional
  products.
· Compared with the conventional low IR series, offers equivalent VF
while IR is reduced to 1/10 or less.
 ⇒ Reduced risk of thermal runaway and enhanced reliability at
  higher temperatures.
· Compared with conventional LLD, VF is reduced by 10%, while IR
is reduced to 1/10 or less.
 ⇒ Can be used to replace existing LLD or lower voltage class SBD.
■SBD,LLD の特長 FeaturesoftheSBD,LLD
SBD(Shottoky-BarrierDiode) UltraLow-IRSBD
LLD(LowLossDiode) SuperLLDseriesforPFCcircuit
■特長  Features
SuperLLD-3（電流連続モード PFC 用）
・従来の SuperLLD 系列の VF-trr トレードオフラインの改善
・従来の電流連続モード用 SuperLLD-1 に対して、更なる高速
化と同時に低ＶＦ化を達成し、MOSFET+DIODE の温度低減
と低損失化が可能
SuperLLD-2,2A（臨界モード PFC 用）
・DCM-PFC 用に最適化した低 VF 特性による低損失化
・ソフトリカバリー性による低ノイズ
Super LLD-3 for CCM-PFC
· Improvement in the VF-trr trade off line of the conventional
type.
· As a result of having balanced shorter trr with a lower VF
than the conventional Super LLD-1 for CCM-PFC, Super LLD
series, the restraint of the temperature rise and low loss of
MOSFET + Diode and the high efficiency of the were made
possible.
Super LLD-2, 2A for DCM-PFC
· Low power loss is achieved by optimization of DCM-PFC of low
VF.
· Low noise depend on soft recovery characteristic.
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SuperLLD1
SuperLLD2
SuperLLD3
trr(ns)10A,-100A/us,100℃
VF(V)10A,100℃
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SuperLLD-3 SuperLLD-1
(600V/10A) (600V/10A)
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DIODE⊿T (℃)
MOSFET⊿T (℃)
Condition : 400W PC Server supply, AC100V f=68.7kHz
MOSFET: 2.0°C down
DIODE: 8.8°C down
■ SuperLLD 系列の VF-trr 特性
VF-trrcharacteristicsofSuperLLDSeries
■ CCM-PFC における SuperLLD-3 の温度低減
TemperaturereductioneffectofSuperLLD-3onCCM-PFC
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UL-IR-SBD LLD
(150V/20A) (200V/20A)
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Condition : 75W standard power supply, AC100V f=125kHz
15.6°C down
■汎用電源における超低 IR-SBD の温度低減
TemperaturereductioneffectofUltraLow-IRSBDon
standardpowersupply.
47
整流ダイオード/RectifierDiodes 4
シングル 1 in one-package
■ショットキーバリアダイオード Schottky-BarrierDiodes(SBD)
記号 Letter symbols
VRRMピーク繰返し逆電圧Repetitive peak reverse voltage
VRSM ピーク非繰返し逆電圧Non-repetitive peak reverse voltage
IO 平均出力電流Average output current
IFSMサージ電流Surge current
Tj接合温度 Junction temperature
Ta 周囲温度 Ambient temperature
Tc ケース温度 Case temperature
Tstg保存温度Storage temperature
VFM順電圧Forward voltage
IRRM逆電流Reverse current
trr逆回復時間Reverse recovery time
Rthj-c熱抵抗 ( 接合ケース間 )Thermal resistance (Junction to case)
Tlリード温度Lead temperature
IF(AV)平均順電流Average forward current
型 式SMD 絶対最大定格 接合、保存温度 電気的特性(Ta=25℃) パッケージ 質 量
Device type 対応品 Maximum rating Thermal rating Characteristics Package Net
VRRM IO＊1IFSM＊2Tj and Tstg VFM IRRM＊3
Rth (j-c)
mass
Volts Amps. Amps. ℃Max. Volts
Max.mA
℃/W Grams
SD882-02 SMD 20 2.0 (Tl=96°C) 70 -55 to +125 0.39 (IF=2.0A) 2 18.0 SD 0.035
SD883-02 SMD 20 3.0 (Tl=103°C) 70 -40 to +125 0.39 (IF=3.0A) 2 18.0 SD 0.035
SD832-03 SMD 30 2.0 (Tl=124°C) 70 -55 to +150 0.46 (IF=2.0A) 1 18.0 SD 0.035
CB803-03 30 2.0 (Tl=133°C) 80 -40 to +150 0.47 (IF=1.5A) 5 10.0 Lead-3 0.3
SD833-03 SMD 30 3.0 (Tl=127°C) 70 -40 to +150 0.46 (IF=3.0A) 1 18.0 SD 0.035
SD834-03 SMD 30 4.0 (Tl=100°C) 70 -55 to +150 0.46 (IF=4.0A) 1 18.0 SD 0.035
ERA82-004 40 0.6 (Ta=45°C) 25 -40 to +150 0.55 (IF=0.6A) 1 10.0 Lead-1 0.18
ERA81-004 40 1.0 (Ta=25°C) 50 -40 to +150 0.55 (IF=1.0A) 2 15.0 Lead-2 0.22
ERA83-004 40 1.0 (Tl=136°C) 50 -40 to +150 0.55 (IF=1.0A) 2 10.0 Lead-1 0.18
SC802-04 SMD 40 1.0 (Tl=136°C)＊440 -40 to +150 0.55 (IF=1.0A) 2 15.0 SC 0.06
SD832-04 SMD 40 2.0 (Tl=120°C) 70 -55 to +150 0.51 (IF=2.0A) 1 18.0 SD 0.035
SD862-04 SMD 40 2.0 (Tl=125°C) 80 -55 to +150 0.59 (IF=2.0A) 0.1 18.0 SD 0.035
ERB83-004 40 2.0 (Tl=130°C) 100 -40 to +150 0.55 (IF=2.0A) 5 10.0 Lead-3 0.3
ERB81-004 40 2.0 (Tl=130°C) 100 -40 to +150 0.55 (IF=2.0A) 5 12.0 Lead-4 0.5
SD883-04 SMD 40 3.0 (Tl=100°C) 70 -40 to +125 0.45 (IF=3.0A) 1 18.0 SD 0.035
SD863-04 SMD 40 3.0(Tl=116°C) 110 - 55 to +150 0.59 (IF=3.0A) 0.1 18.0 SD 0.035
SD833-04 SMD 40 3.0 (Tl=122°C) 70 -40 to +150 0.51 (IF=3.0A) 1 18.0 SD 0.035
ERC81-004 40 3.0 (Tl=130°C) 120 -40 to +150 0.55 (IF=3.0A) 5 8.0 Lead-7 1.2
SD834-04 SMD 40 4.0 (Tl=96°C) 70 -55 to +150 0.51 (IF=4.0A) 1 18.0 SD 0.035
ERC81S-004 40 5.0 (Tl=108°C) 140 -40 to +150 0.55 (IF=5.0A) 5 8.0 Lead-7 1.2
ERA83-006 60 1.0 (Tl=136°C) 30 -40 to +150 0.58 (IF=1.0A) 2 10.0 Lead-1 0.18
SC802-06 SMD 60 1.0 (Tl=136°C)＊430 -40 to +150 0.58 (IF=1.0A) 2 15.0 SC 0.06
ERB83-006 60 2.0 (Tl=130°C) 60 -40 to +150 0.58 (IF=2.0A) 5 10.0 Lead-3 0.3
CB863-06 60 2.0 (Tl=131°C) 90 -40 to +150 0.62 (IF=2.0A) 0.1 10.0 Lead-3 0.3
SD863-06 SMD 60 3.0 (Tl=115°C) 60 -55 to +150 0.62 (IF=3.0A) 0.1 18.0 SD 0.035
SD833-06 SMD 60 3.0 (Tl=121°C) 60 -40 to +150 0.58 (IF=2.5A) 1 18.0 SD 0.035
ERC81-006 60 3.0 (Tl=131°C) 80 -40 to +150 0.58 (IF=3.0A) 5 8.0 Lead-7 1.2
ERA85-009 90 1.0 (Tl=131°C) 30 -40 to +150 0.82 (IF=1.0A) 1 10.0 Lead-1 0.18
SC802-09 SMD 90 1.0 (Tl=131°C)＊430 -40 to +150 0.85 (IF=1.0A) 1 15.0 SC 0.06
ERA84-009 90 1.0 (Tl=131°C)＊530 -40 to +150 0.90 (IF=1.0A) 1 15.0 Lead-2 0.22
ERB84-009 90 2.0 (Ta=50°C)＊660 -40 to +150 0.90 (IF=2.0A) 2 12.0 Lead-4 0.5
SD833-09 SMD 90 3.0 (Tl=112°C) 60 -40 to +150 0.85 (IF=3.0A) 1 18.0 SD 0.035
ERC84-009 90 3.0 (Tl=122°C) 80 -40 to +150 0.80 (IF=3.0A) 5 8.0 Lead-7 1.2
SD863-10 SMD 100 3.0 (Tl=105°C) 60 -55 to +150 0.84 (IF=3.0A) 0.1 18.0 SD 0.035
CB863-12 120 2.0 (Tl=124°C) 70 -40 to +150 0.88 (IF=2.0A) 0.08 10.0 Lead-3 0.3
FD867-12 120 3.0 (Tl=115°C) 100 -40 to +150 0.88 (IF=3.0A) 0.12 8.0 Lead-7 1.2
FD868-12 120 4.0 (Tl=106°C) 120 -40 to +150 0.88 (IF=4.0A) 0.15 8.0 Lead-7 1.2
CB863-15 150 2.0 (Tl=116°C) 60 -40 to +150 0.90 (IF=2.0A) 0.08 10.0 Lead-3 0.3
FD867-15 150 3.0 (Tl=113°C) 90 -40 to +150 0.90 (IF=3.0A) 0.12 8.0 Lead-7 1.2
FD868-15 150 4.0 (Tl=102°C) 110 -40 to +150 0.90 (IF=4.0A) 0.15 8.0 Lead-7 1.2
( ) 条件
＊1 抵抗負荷 ＊2 正弦波 10ms. ＊3 VR=VRRM
＊4 ガラスエポキシ基板に装着,ランド 寸 法15x15mm
＊5 プリント板取り付け (ランド10x10mm)
＊6 20x20mm銅フィンを両側につける場合
( ) Conditions
＊1 Resistive load ＊2 Sine wave, 10ms ＊3 VR=VRRM
＊4 Mounted to fabric base epoxy resin printed circuits (land 15×15mm)
＊5 P.C board mounting (land 10×10mm)
＊6 Mounted Cu fi ns (20×20mm) on the both lead
F
48
整流ダイオード/RectifierDiodes
4
シングル 1 in one-package
■ショットキーバリアダイオード Schottky-BarrierDiodes(SBD)
記号 Letter symbols
VRRMピーク繰返し逆電圧Repetitive peak reverse voltage
VRSM ピーク非繰返し逆電圧Non-repetitive peak reverse voltage
IO 平均出力電流Average output current
IFSMサージ電流Surge current
Tj接合温度 Junction temperature
Ta 周囲温度 Ambient temperature
Tc ケース温度 Case temperature
Tstg保存温度Storage temperature
VFM順電圧Forward voltage
IRRM逆電流Reverse current
trr逆回復時間Reverse recovery time
Rthj-c熱抵抗 ( 接合ケース間 )Thermal resistance (Junction to case)
Tlリード温度Lead temperature
IF(AV)平均順電流Average forward current
型 式SMD 絶対最大定格 接合、保存温度 電気的特性(Ta=25℃) パッケージ 質 量
Device type 対応品 Maximum rating Thermal rating Characteristics Package Net
VRRM IO＊1IFSM＊2Tj and Tstg VFM IRRM＊3
Rth (j-c)
mass
Volts Amps. Amps. ℃Max. Volts
Max.mA
℃/W Grams
KS826S04 SMD 40 5.0 (Tc=110℃) 80 -40 to +150 0.55 (IF=5.0A) 5 10 K-pack(S) 0.6
YG811S04R 40 5.0 (Tc=122℃)120 -40 to +150 0.55 (IF=5.0A) 5 5.0 TO-220F 1.7
YG812S04R 45 10 (Tc=124℃)120 -40 to +150 0.6 (IF=10A) 2 2.5 TO-220F 1.7
YG811S06R 60 5.0 (Tc=127℃) 80 -40 to +150 0.59 (IF=5.0A) 5 5.0 TO-220F 1.7
YG804S06R 60 15 (Tc=99℃)120 -40 to +150 0.63 (IF=15A) 20 2.2 TO-220F 1.7
YG811S09R 90 5.0 (Tc=116℃) 80 -40 to +150 0.9 (IF=4.0A) 5 5.0 TO-220F 1.7
()条件 ( ) Conditions
＊1 50Hz方形波 duty=1/2 ＊1 50Hz
Square wave duty=1/2
＊2 正弦波 10ms. ＊3 VR=VRRM ＊2 Sine wave, 10ms ＊3 VR=VRRM
49
整流ダイオード/RectifierDiodes 4
■ショットキーバリアダイオード Schottky-BarrierDiodes(SBD)
()条件   ( ) Conditions
＊1 50Hz方形波 duty=1/2 (センタータップ平均出力電流) ＊1 50Hz
Square wave duty=1/2
(Average forward current of centertap full wave connection)
＊2 正弦波 10ms. １チ ップ あたり ＊3 １チップ あた り ＊2 Sine wave, 10ms per element＊3 per element
＊4VR=VRRM １チップ あたり ＊4 VR=VRRM per element
デュアル 2 in one-package
型 式SMD 絶対最大定格 接合、保存温度 電気的特性(Ta=25℃) パッケージ 質 量
Device type 対応品 Maximum rating Thermal rating Characteristics Package Net
VRRM IO＊1IFSM＊2Tj and Tstg VFM＊3IRRM＊4
Rth (j-c)
mass
Volts Amps. Amps. ℃Max. Volts
Max.mA
℃/W Grams
KP883C02 20 7.0 (Tc=89℃) 60 -40 to +125 0.39 (IF=2.5A) 10 10.0 K-pack(P) 0.6
KS883C02 SMD 20 7.0 (Tc=89℃) 60 -40 to +125 0.39 (IF=2.5A) 10 10.0 K-pack(S) 0.6
YG881C02R 20 8.0 (Tc=103℃) 80 -40 to +125 0.39 (IF=2.0A) 10 5.0 TO-220F 1.7
YG882C02R 20 16 (Tc=94℃)120 -40 to +125 0.39 (IF=4.0A) 10 3.5 TO-220F 1.7
YG885C02R 20 30 (Tc=81℃)120 -40 to +125 0.39 (IF=8.0A) 30 2.5 TO-220F 1.7
KP823C03 30 5.0 (Tc=117℃) 60 -40 to +150 0.47 (IF=2.5A) 5 10.0 K-pack(P) 0.6
KS823C03 SMD 30 5.0 (Tc=117℃) 60 -40 to +150 0.47 (IF=2.5A) 5 10.0 K-pack(S) 0.6
YG831C03R 30 6.0 (Tc=127℃) 90 -40 to +150 0.45 (IF=2.0A) 5 5.0 TO-220F 1.7
YG802C03R 30 10 (Tc=126℃)120 -40 to +150 0.47 (IF=4.0A) 5 3.5 TO-220F 1.7
YG832C03R 30 12 (Tc=118℃)120 -40 to +150 0.45 (IF=4.0A) 5 3.5 TO-220F 1.7
YG835C03R 30 25 (Tc=99℃)120 -40 to +150 0.45 (IF=6.0A) 15 2.5 TO-220F 1.7
YG838C03R 30 38 (Tc=85℃)200 -40 to +150 0.45 (IF=12.5A) 10 2.0 TO-220F 1.7
KP823C04 40 5.0 (Tc=107℃) 60 -40 to +150 0.55 (IF=2.5A) 5 10.0 K-pack(P) 0.6
KS823C04 SMD 40 5.0 (Tc=107℃) 60 -40 to +150 0.55 (IF=2.5A) 5 10.0 K-pack(S) 0.6
YG801C04R 40 5.0 (Tc=125℃)100 -40 to +150 0.55 (IF=2.0A) 5 5.0 TO-220F 1.7
YG831C04R 40 6.0 (Tc=122℃) 80 -40 to +150 0.53 (IF=2.0A) 2 5.0 TO-220F 1.7
YG802C04R 40 10 (Tc=110℃)120 -40 to +150 0.55 (IF=4.0A) 5 3.5 TO-220F 1.7
YG832C04R 40 12 (Tc=112℃)120 -40 to +150 0.53 (IF=4.0A) 3 3.5 TO-220F 1.7
YG803C04R 40 15 (Tc=92℃)120 -40 to +150 0.55 (IF=7.0A) 3 3.5 TO-220F 1.7
YG805C04R 40 20 (Tc=100℃)120 -40 to +150 0.6 (IF=10A) 15 2.5 TO-220F 1.7
YG835C04R 40 22 (Tc=96℃)120 -40 to +150 0.53 (IF=8.0A) 6 2.5 TO-220F 1.7
YG838C04R 40 30 (Tc=85℃)180 -40 to +150 0.53 (IF=12.5A) 8 2.0 TO-220F 1.7
MS838C04 SMD 40 30 (Tc=111℃)180 -40 to +150 0.53 (IF=12.5A) 8 1.2 TFP 0.8
YG801C06R 60 5.0 (Tc=125℃) 60 -40 to +150 0.58 (IF=2.0A) 5 5.0 TO-220F 1.7
YG802C06R 60 10 (Tc=118℃) 80 -40 to +150 0.58 (IF=4.0A) 5 3.5 TO-220F 1.7
YG803C06R 60 15 (Tc=94℃)100 -40 to +150 0.58 (IF=6.0A) 5 3.0 TO-220F 1.7
YG805C06R 60 20 (Tc=108℃) 80 -40 to +150 0.58 (IF=8.0A) 15 2.5 TO-220F 1.7
MS808C06 SMD 60 30 (Tc=118℃) 150 -40 to +150 0.58 (IF=12.5A) 3 1.2 TFP 0.8
KP823C09 90 5.0 (Tc=100℃) 60 -40 to +150 0.9 (IF=2.0A) 5 10.0 K-pack(P) 0.6
KS823C09 SMD 90 5.0 (Tc=100℃) 60 -40 to +150 0.9 (IF=2.5A) 5 10.0 K-pack(S) 0.6
YG801C09R 90 5.0 (Tc=117℃) 60 -40 to +150 0.9 (IF=2.0A) 2 5.0 TO-220F 1.7
YG802C09R 90 10 (Tc=102℃) 80 -40 to +150 0.9 (IF=4.0A) 5 3.5 TO-220F 1.7
YG801C10R 100 5.0 (Tc=117℃) 60 -40 to +150 0.8 (IF=1.5A) 0.7 5.0 TO-220F 1.7
YG802C10R 100 10 (Tc=102℃) 80 -40 to +150 0.8 (IF=3.0A) 1.2 3.5 TO-220F 1.7
YG805C10R 100 20 (Tc=91℃)100 -40 to +150 0.8 (IF=5.0A) 2.5 2.5 TO-220F 1.7
YG808C10R 100 30 (Tc=80℃)180 -40 to +150 0.8 (IF=10A) 20 2.0 TO-220F 1.7
50
整流ダイオード/RectifierDiodes
4
■
超低 IR ショットキーバリアダイオード UltraLowIRSchottky-BarrierDiodes
()条件   ( ) Conditions
＊1 50Hz方形波 duty=1/2 (センタータップ平均出力電流) ＊1 50Hz
Square wave duty=1/2
(Average forward current of centertap full wave connection)
＊2 正弦波 10ms. １チ ップ あたり ＊3 IF=0.5Io １チ ップあ たり ＊2 Sine wave, 10ms per element＊3 IF=0.5Io per element
＊4VR=VRRM １チップ あたり ＊4 VR=VRRM per element
デュアル 2 in one-package
型 式SMD 絶対最大定格 接合、保存温度 電気的特性(Ta=25℃) パッケージ 質 量
Device type 対応品 Maximum rating Thermal rating Characteristics Package Net
VRRM IO＊1IFSM＊2Tj and Tstg VFM＊3IRRM＊4
Rth (j-c)
mass
Volts Amps. Amps. ℃Max. Volts
Max.mA
℃/W Grams
YG872C10R 100 10 (Tc=146℃)125 -40 to +175 0.82 0.015 3.5 TO-220F 1.7
YA872C10R 100 10 (Tc=158℃)125 -40 to +175 0.82 0.015 2.0 TO-220AB 2.0
YG875C10R 100 20 (Tc=131℃)145 -40 to +175 0.86 0.020 2.5 TO-220F 1.7
YA875C10R 100 20 (Tc=144℃)145 -40 to +175 0.86 0.020 1.75 TO-220AB 2.0
YG878C10R 100 30 (Tc=122℃)160 -40 to +175 0.86 0.030 2.0 TO-220F 1.7
YA878C10R 100 30 (Tc=142℃)160 -40 to +175 0.86 0.030 1.25 TO-220AB 2.0
YG872C12R 120 10 (Tc=143℃)125 -40 to +175 0.84 0.015 3.5 TO-220F 1.7
YA872C12R 120 10 (Tc=158℃)125 -40 to +175 0.84 0.015 2.0 TO-220AB 2.0
YG875C12R 120 20 (Tc=127℃)145 -40 to +175 0.88 0.020 2.5 TO-220F 1.7
YA875C12R 120 20 (Tc=144℃)145 -40 to +175 0.88 0.020 1.75 TO-220AB 2.0
YG878C12R 120 30 (Tc=116℃)160 -40 to +175 0.88 0.030 2.0 TO-220F 1.7
YA878C12R 120 30 (Tc=141℃)160 -40 to +175 0.88 0.030 1.25 TO-220AB 2.0
YG872C15R 150 10 (Tc=144℃)125 -40 to +175 0.86 0.015 3.5 TO-220F 1.7
YA872C15R 150 10 (Tc=157℃)125 -40 to +175 0.86 0.015 2.0 TO-220AB 2.0
YG875C15R 150 20 (Tc=130℃)145 -40 to +175 0.89 0.020 2.5 TO-220F 1.7
YA875C15R 150 20 (Tc=143℃)145 -40 to +175 0.89 0.020 1.75 TO-220AB 2.0
YG878C15R 150 30 (Tc=120℃)160 -40 to +175 0.89 0.030 2.0 TO-220F 1.7
YA878C15R 150 30 (Tc=140℃)160 -40 to +175 0.89 0.030 1.25 TO-220AB 2.0
YG872C20R 200 10 (Tc=143℃)125 -40 to +175 0.89 0.015 3.5 TO-220F 1.7
YA872C20R 200 10 (Tc=157℃)125 -40 to +175 0.89 0.015 2.0 TO-220AB 2.0
YG875C20R 200 20 (Tc=127℃)145 -40 to +175 0.93 0.020 2.5 TO-220F 1.7
YA875C20R 200 20 (Tc=141℃)145 -40 to +175 0.93 0.020 1.75 TO-220AB 2.0
YG878C20R 200 30 (Tc=116℃)160 -40 to +175 0.93 0.030 2.0 TO-220F 1.7
YA878C20R 200 30 (Tc=138℃)160 -40 to +175 0.93 0.030 1.25 TO-220AB 2.0
51
整流ダイオード/RectifierDiodes 4
シングル 1 in one-package
■
低 IR ショットキーバリアダイオード LowIRSchottky-BarrierDiodes
デュアル 2 in one-package
()条件         ()Conditions
＊1 50Hz方形波 duty=1/2 (センタータップ平均出力電流) ＊1 50Hz
Square wave duty=1/2
(Average forward current of centertap full wave connection)
＊2 正弦波 10ms. 1チップあたり ＊3 IF=0.5Io1チップあたり ＊2 Sine wave, 10ms per element  ＊3 IF=0.5Io per element
＊4VR=VRRM 1チップあたり ＊4 VR=VRRM per element
()条件 ( ) Conditions
＊1 50Hz方形波 duty=1/2  ＊1 50Hz
Square wave duty=1/2
＊2 正弦波 10ms. ＊3 IF=Io ＊4 VR=VRRM ＊2 Sine wave, 10ms ＊3 IF=Io ＊4 VR=VRRM
型 式SMD 絶対最大定格 接合、保存温度 電気的特性(Ta=25℃) パッケージ 質 量
Device type 対応品 Maximum rating Thermal rating Characteristics Package Net
VRRM IO＊1IFSM＊2Tj and Tstg VFM＊3IRRM＊4
Rth (j-c)
mass
Volts Amps. Amps. ℃Max. Volts
Max.mA
℃/W Grams
YG864S06R 60 15 (Tc=101℃) 160 -40 to +150 0.74 0.20 3.5 TO-220F 1.7
YG861S12R 120 5 (Tc=104℃) 75 -40 to +150 0.88 0.15 5.0 TO-220F 1.7
YG861S15R 150 5 (Tc=94℃) 75 -40 to +150 0.90 0.15 5.0 TO-220F 1.7
型 式SMD 絶対最大定格 接合、保存温度 電気的特性(Ta=25℃) パッケージ 質 量
Device type 対応品 Maximum rating Thermal rating Characteristics Package Net
VRRM IO＊1IFSM＊2Tj and Tstg VFM＊3IRRM＊4
Rth (j-c)
mass
Volts Amps. Amps. ℃Max. Volts
Max.mA
℃/W Grams
YG862C04R 45 10 (Tc=129℃)125 -40 to +150 0.61 0.15 3.5 TO-220F 1.7
YA862C04R 45 10 (Tc=138℃)125 -40 to +150 0.61 0.15 2.0 TO220AB 2.0
TS862C04R SMD 45 10 (Tc=138℃)125 -40 to +150 0.61 0.15 2.0 T-pack(S) 1.6
YG865C04R 45 20 (Tc=115℃)145 -40 to +150 0.63 0.175 2.5 TO-220F 1.7
YA865C04R 45 20 (Tc=126℃)145 -40 to +150 0.63 0.175 1.75 TO220AB 2.0
TS865C04R SMD 45 20 (Tc=126℃)145 -40 to +150 0.63 0.175 1.75 T-pack(S) 1.6
MS865C04 SMD 45 20 (Tc=125℃)145 -40 to +150 0.63 0.175 1.75 TFP 0.8
YG868C04R 45 30 (Tc=105℃)160 -40 to +150 0.63 0.20 2.0 TO-220F 1.7
YA868C04R 45 30 (Tc=122℃)160 -40 to +150 0.63 0.20 1.25 TO220AB 2.0
TS868C04R SMD 45 30 (Tc=122℃)160 -40 to +150 0.63 0.20 1.25 T-pack(S) 1.6
MS868C04 SMD 45 30 (Tc=122℃)160 -40 to +150 0.63 0.20 1.25 TFP 0.8
YG869C04R 45 40 (Tc=112℃)190 -40 to +150 0.61 0.20 1.2 TO-220F 1.7
YA869C04R 45 40 (Tc=120℃)190 -40 to +150 0.61 0.20 1.0 TO220AB 2.0
TP869C04R 45 40 (Tc=120℃) 190 -40 to +150 0.61 0.20 1.0 T-pack(P) 1.6
YG862C06R 60 10 (Tc=124℃)125 -40 to +150 0.68 0.15 3.5 TO-220F 1.7
YA862C06R 60 10 (Tc=136℃)125 -40 to +150 0.68 0.15 2.0 TO220AB 2.0
TS862C06R SMD 60 10 (Tc=136℃)125 -40 to +150 0.68 0.15 2.0 T-pack(S) 1.6
YG865C06R 60 20 (Tc=109℃)145 -40 to +150 0.74 0.175 2.5 TO-220F 1.7
YA865C06R 60 20 (Tc=122℃)145 -40 to +150 0.74 0.175 1.75 TO220AB 2.0
TS865C06R SMD 60 20 (Tc=122℃)145 -40 to +150 0.74 0.175 1.75 T-pack(S) 1.6
YG868C06R 60 30 (Tc=101℃)160 -40 to +150 0.74 0.20 2.0 TO-220F 1.7
YA868C06R 60 30 (Tc=119℃)160 -40 to +150 0.74 0.20 1.25 TO220AB 2.0
TS868C06R SMD 60 30 (Tc=119℃)160 -40 to +150 0.74 0.20 1.25 T-pack(S) 1.6
YG869C06R 60 40 (Tc=105℃)190 -40 to +150 0.70 0.20 1.2 TO-220F 1.7
YA869C06R 60 40 (Tc=114℃)190 -40 to +150 0.70 0.20 1.0 TO220AB 2.0
TP869C06R 60 40 (Tc=114℃)190 -40 to +150 0.70 0.20 1.0 T-pack(P) 1.6
YG862C08R 80 10 (Tc=109℃)125 -40 to +150 0.76 0.15 3.5 TO-220F 1.7
YA862C08R 80 10 (Tc=126℃)125 -40 to +150 0.76 0.15 2.0 TO-220AB 2.0
TS862C08R SMD 80 10 (Tc=126℃)125 -40 to +150 0.76 0.15 2.0 T-pack(S) 1.6
MS862C08 SMD 80 10 (Tc=115℃)125 -40 to +150 0.76 0.15 3.0 TFP 0.8
YG865C08R 80 20 (Tc=89℃)145 -40 to +150 0.76 0.175 2.5 TO-220F 1.7
YA865C08R 80 20 (Tc=107℃)145 -40 to +150 0.76 0.175 1.75 TO-220AB 2.0
TS865C08R SMD 80 20 (Tc=107℃)145 -40 to +150 0.76 0.175 1.75 T-pack(S) 1.6
MS865C08 SMD 80 20 (Tc=108℃)145 -40 to +150 0.76 0.175 1.75 TFP 0.8
YG868C08R 80 30 (Tc=72℃)160 -40 to +150 0.76 0.20 2.0 TO-220F 1.7
YA868C08R 80 30 (Tc=105℃)160 -40 to +150 0.76 0.20 1.25 TO-220AB 2.0
TS868C08R SMD 80 30 (Tc=105℃)160 -40 to +150 0.76 0.20 1.25 T-pack(S) 1.6
YG869C08R 80 40 (Tc=86℃)190 -40 to +150 0.71 0.20 1.2 TO-220F 1.7
YA869C08R 80 40 (Tc=98℃)190 -40 to +150 0.71 0.20 1.0 TO220AB 2.0
TP869C08R 80 40 (Tc=98℃) 190 -40 to +150 0.71 0.20 1.0 T-pack(P) 1.6
52
整流ダイオード/RectifierDiodes
4
デュアル 2 in one-package
■
低 IR ショットキーバリアダイオード LowIRSchottky-BarrierDiodes
()条件         ()Conditions
＊1 50Hz方形波 duty=1/2 (センタータップ平均出力電流) ＊1 50Hz
Square wave duty=1/2
(Average forward current of centertap full wave connection)
＊2 正弦波 10ms. 1チップあたり ＊3 IF=0.5Io1チップあたり ＊2 Sine wave, 10ms per element  ＊3 IF=0.5Io per element
＊4VR=VRRM 1チップあたり ＊4 VR=VRRM per element  
型 式SMD 絶対最大定格 接合、保存温度 電気的特性(Ta=25℃) パッケージ 質 量
Device type 対応品 Maximum rating Thermal rating Characteristics Package Net
VRRM IO＊1IFSM＊2Tj and Tstg VFM＊3IRRM＊4
Rth (j-c)
mass
Volts Amps. Amps. ℃Max. Volts
Max.mA
℃/W Grams
YG862C10R 100 10 (Tc=118℃)125 -40 to +150 0.86 0.15 3.5 TO-220F 1.7
YA862C10R 100 10 (Tc=132℃)125 -40 to +150 0.86 0.15 2.0 TO-220AB 2.0
TS862C10R SMD 100 10 (Tc=132℃)125 -40 to +150 0.86 0.15 2.0 T-pack(S) 1.6
YG865C10R 100 20 (Tc=103℃)145 -40 to +150 0.86 0.175 2.5 TO-220F 1.7
YA865C10R 100 20 (Tc=117℃)145 -40 to +150 0.86 0.175 1.75 TO-220AB 2.0
TS865C10R SMD 100 20 (Tc=117℃)145 -40 to +150 0.86 0.175 1.75 T-pack(S) 1.6
MS865C10 SMD 100 20 (Tc=117℃)145 -40 to +150 0.86 0.175 1.75 TFP 0.8
YG868C10R 100 30 (Tc=91℃)160 -40 to +150 0.86 0.20 2.0 TO-220F 1.7
YA868C10R 100 30 (Tc=113℃)160 -40 to +150 0.86 0.20 1.25 TO-220AB 2.0
TS868C10R SMD 100 30 (Tc=113℃)160 -40 to +150 0.86 0.20 1.25 T-pack(S) 1.6
TP868C10R 100 30 (Tc=113℃)160 -40 to +150 0.86 0.20 1.25 T-pack(P) 1.6
MS868C10 SMD 100 30 (Tc=114℃)160 -40 to +150 0.86 0.20 1.2 TFP 0.8
PA868C10R 100 30 (Tc=107℃)160 -40 to +150 0.86 0.20 1.5 TO-3P(Q) 5.1
YG869C10R 100 40 (Tc=94℃)190 -40 to +150 0.82 0.20 1.2 TO-220F 1.7
YA869C10R 100 40 (Tc=105℃)190 -40 to +150 0.82 0.20 1.0 TO-220AB 2.0
TP869C10R 100 40 (Tc=105℃)190 -40 to +150 0.82 0.20 1.0 T-pack(P) 1.6
YG852C12R 120 10 (Tc=113℃) 55 -40 to +150 0.93 0.15 3.5 TO-220F 1.7
YA852C12R 120 10 (Tc=128℃)55 -40 to +150 0.93 0.15 2 TO-220AB 2.0
YG862C12R 120 10 (Tc=122℃)75 -40 to +150 0.88 0.15 3.00 TO-220F 1.7
YA862C12R 120 10 (Tc=137℃)75 -40 to +150 0.88 0.15 1.20 TO-220AB 2.0
TP862C12R 120 10 (Tc=137℃)75 -40 to +150 0.88 0.15 1.50 T-pack(P) 1.6
TS862C12R SMD 120 10 (Tc=137℃)75 -40 to +150 0.88 0.15 1.50 T-pack(S) 1.6
YG855C12R 120 20 (Tc=94℃)95 -40 to +150 0.98 0.175 2.5 TO-220F 1.7
YA855C12R 120 20 ( Tc=111℃) 95 -40 to +150 0.98 0.175 1.75 TO-220AB 2.0
YG865C12R 120 20 (Tc=116℃)150 -40 to +150 0.88 0.15 1.75 TO-220F 1.7
YA865C12R 120 20 (Tc=126℃)150 -40 to +150 0.88 0.15 1.25 TO-220AB 2.0
PH865C12 120 20 (Tc=126℃)150 -40 to +150 0.88 0.15 1.50 TO-247 4.9
TP865C12R 120 20 (Tc=126℃)150 -40 to +150 0.88 0.15 1.25 T-pack(P) 1.6
TS865C12R SMD 120 20 (Tc=126℃)150 -40 to +150 0.88 0.15 1.25 T-pack(S) 1.6
MS865C12 SMD 120 20 (Tc=126℃)150 -40 to +150 0.88 0.15 1.25 TFP 0.8
YG858C12R 120 30 (Tc=80℃) 110 -40 to +150 1.01 0.2 2 TO-220F 1.7
YA858C12R 120 30 (Tc=106℃)110 -40 to +150 1.01 0.2 1.25 TO-220AB 2.0
TP858C12R 120 30 (Tc=106℃) 110 - 40 to +150 1.01 0.2 1.25 T-pack(P) 1.6
YG868C12R 120 30 (Tc=116℃)190 -40 to +150 0.88 0.20 1.20 TO-220F 1.7
YA868C12R 120 30 (Tc=122℃)190 -40 to +150 0.88 0.20 1.00 TO-220AB 2.0
PH868C12 120 30 (Tc=122℃)190 -40 to +150 0.88 0.20 1.20 TO-247 4.9
TS868C12R SMD 120 30 (Tc=122℃)190 -40 to +150 0.88 0.20 1.00 T-pack(S) 1.6
MS868C12 SMD 120 30 (Tc=115℃)190 -40 to +150 0.88 0.20 1.20 TFP 0.8
YG869C12R 120 40 (Tc=95℃)190 -40 to +150 0.95 0.20 1.20 TO-220F 1.7
YA869C12R 120 40 (Tc=104℃)190 -40 to +150 0.95 0.20 1.00 TO-220AB 2.0
53
整流ダイオード/RectifierDiodes 4
■
低 IR ショットキーバリアダイオード LowIRSchottky-BarrierDiodes
デュアル 2 in one-package
()条件         ()Conditions
＊1 50Hz方形波 duty=1/2 (センタータップ平均出力電流) ＊1 50Hz
Square wave duty=1/2
(Average forward current of centertap full wave connection)
＊2 正弦波 10ms. 1チップあたり ＊3 IF=0.5Io1チップあたり ＊2 Sine wave, 10ms per element  ＊3 IF=0.5Io per element
＊4VR=VRRM 1チップあたり ＊4 VR=VRRM per element
型 式SMD 絶対最大定格 接合、保存温度 電気的特性(Ta=25℃) パッケージ 質 量
Device type 対応品 Maximum rating Thermal rating Characteristics Package Net
VRRM IO＊1IFSM＊2Tj and Tstg VFM＊3IRRM＊4
Rth (j-c)
mass
Volts Amps. Amps. ℃Max. Volts
Max.mA
℃/W Grams
YG852C15R 150 10 (Tc=104℃) 55 -40 to +150 0.96 0.15 3.5 TO-220F 1.7
YA852C15R 150 10 (Tc=124℃) 55 -40 to +150 0.96 0.15 2 TO-220AB 2.0
YG862C15R 150 10 (Tc=117℃)75 -40 to +150 0.90 0.15 3.00 TO-220F 1.7
YA862C15R 150 10 (Tc=134℃)75 -40 to +150 0.90 0.15 1.50 TO-220AB 2.0
TP862C15R 150 10 (Tc=134℃)75 -40 to +150 0.90 0.15 1.50 T-pack(P) 1.6
TS862C15R SMD 150 10 (Tc=134℃)75 -40 to +150 0.90 0.15 1.50 T-pack(S) 1.6
YG855C15R 150 20 (Tc=86℃) 95 -40 to +150 1.01 0.175 2.5 TO-220F 1.7
YA855C15R 150 20 (Tc=105℃) 95 -40 to +150 1.01 0.175 1.75 TO-220AB 2.0
YG865C15R 150 20 (Tc=101℃)150 -40 to +150 0.90 0.15 1.75 TO-220F 1.7
PH865C15 150 20 (Tc=109℃)150 -40 to +150 0.90 0.15 1.50 TO-247 4.9
PG865C15R 150 20 (Tc=80℃)150 -40 to +150 0.90 0.15 2.50 TO-3PF 6.0
YA865C15R 150 20 (Tc=115℃)150 -40 to +150 0.90 0.15 1.25 TO-220AB 2.0
TP865C15R 150 20 (Tc=115℃)150 -40 to +150 0.90 0.15 1.25 T-pack(P) 1.6
TS865C15R SMD 150 20 (Tc=115℃)150 -40 to +150 0.90 0.15 1.25 T-pack(S) 1.6
MS865C15 SMD 150 20 (Tc=115℃)150 -40 to +150 0.90 0.15 1.25 TFP 0.8
YG858C15R 150 30 (Tc=61℃) 110 -40 to +150 1.13 0.2 2 TO-220F 1.7
YA858C15R 150 30 (Tc=94℃) 110 -40 to +150 1.13 0.2 1.25 TO-220AB 2.0
YG868C15R 150 30 (Tc=113℃)190 -40 to +150 0.90 0.20 1.20 TO-220F 1.7
YA868C15R 150 30 (Tc=119℃)190 -40 to +150 0.90 0.20 1.00 TO-220AB 2.0
TS868C15R SMD 150 30 (Tc=119℃)190 -40 to +150 0.90 0.20 1.00 T-pack(S) 1.6
MS868C15 SMD 150 30 (Tc=113℃)190 -40 to +150 0.90 0.20 1.20 TFP 0.8
PA868C15R 150 30 (Tc=129℃)190 -40 to +150 0.90 0.20 1.20 TO-3P 5.5
PH868C15 150 30 (Tc=129℃)190 -40 to +150 0.90 0.20 1.20 TO-247 4.9
YG869C15R 150 40 (Tc=90℃)190 -40 to +150 0.97 0.20 1.20 TO-220F 1.7
YA869C15R 150 40 (Tc=100℃)190 -40 to +150 0.97 0.20 1.00 TO-220AB 2.0
54
整流ダイオード/RectifierDiodes
4
■スーパー LLDII( 臨界モード PFC 回路用 )SuperLLDII(CriticalmodePFC)
シングル 1 in one-package
デュアル 2 in one-package
()条件         ()Conditions
＊1 50Hz方形波 duty=1/2 ＊1 50Hz
Square wave duty=1/2
＊2 正弦波 10ms. ＊3 VR=VRRM ＊2 Sine wave, 10ms  
＊3 VR=VRRM
＊4IF=0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A ＊4IF=0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A
()条件         ()Conditions
＊1 50Hz方形波 duty=1/2 (センタータップ平均出力電流) ＊1 50Hz
Square wave duty=1/2
(Average forward current of centertap full wave connection)
＊2 正弦波 10ms. 1チップあたり ＊3 VR=VRRM1チップあたり ＊2 Sine wave, 10ms per element    ＊3 VR=VRRM per element
＊4IF=0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A ＊4 IF=0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A
型 式SMD 絶対最大定格 接合、保存温度 電気的特性(Ta=25℃) パッケージ 質 量
Device type 対応品 Maximum rating Thermal rating Characteristics Package Net
VRRM IO＊1IFSM＊2Tj and Tstg VFM IRRM＊3trr＊4
Rth (j-c)
mass
Volts Amps. Amps. ℃Max. Volts
Max.μA
μsec. ℃/W Grams
YA951S6R 600 5 (Tc=95℃)45 -40 to +150 1.45 (IF=5A) 8 0.065 7.0 TO-220AB 2.0
YG951S6R 600 5 (Tc=80℃)45 -40 to +150 1.45 (IF=5A) 8 0.065 9.0 TO-220F 1.7
YA971S6R 600 8 (Tc=116℃)70 -40 to +150 1.55 (IF=8A) 10 0.05 2.5 TO-220AB 2.0
YG971S6R 600 8 (Tc=89℃)70 -40 to +150 1.55 (IF=8A) 10 0.05 4.5 TO-220F 1.7
YA952S6R 600 10 (Tc=90℃)80 -40 to +150 1.45 (IF=10A) 10 0.07 4.0 TO-220AB 2.0
YG952S6R 600 10 (Tc=75℃)80 -40 to +150 1.45 (IF=10A) 10 0.07 5.0 TO-220F 1.7
YA972S6R 600 10 (Tc=115℃) 100 -40 to +150 1.55 (IF=10A) 10 0.05 2.0 TO-220AB 2.0
YG972S6R 600 10 (Tc=89℃) 100 -40 to +150 1.55 (IF=10A) 10 0.05 3.5 TO-220F 1.7
YG971S8R 800 5 (Tc=93℃)60 -40 to +150 2.2 (IF=5A) 10 0.05 4.5 TO-220F 1.7
型 式SMD 絶対最大定格 接合、保存温度 電気的特性(Ta=25℃) パッケージ 質 量
Device type 対応品 Maximum rating Thermal rating Characteristics Package Net
VRRM IO＊1IFSM＊2Tj and Tstg VFM IRRM＊3trr＊4
Rth (j-c)
mass
Volts Amps. Amps. ℃Max. Volts
Max.μA
μsec. ℃/W Grams
YA952C6R 600 10 (Tc=103℃)45 -40 to +150 1.45 (IF=5A) 8 0.065 3.0 TO-220AB 2.0
TS952C6R SMD 600 10 (Tc=103℃)45 -40 to +150 1.45 (IF=5A) 8 0.065 3.0 T-pack(S) 1.6
YG952C6R 600 10 (Tc=80℃)45 -40 to +150 1.45 (IF=5A) 8 0.065 4.5 TO-220F 1.7
YA955C6R 600 20 (Tc=97℃)80 -40 to +150 1.45 (IF=10A) 10 0.07 1.75 TO-220AB 2.0
TS955C6R SMD 600 20 (Tc=97℃)80 -40 to +150 1.45 (IF=10A) 10 0.07 1.75 T-pack(S) 1.6
YG955C6R 600 20 (Tc=60℃)80 -40 to +150 1.45 (IF=10A) 10 0.07 3.0 TO-220F 1.7
PA955C6R 600 20 (Tc=84℃)80 -40 to +150 1.45 (IF=10A) 10 0.07 2.2 TO-3P(Q) 5.1
YA975C6R 600 20 (Tc=106℃) 100 -40 to +150 1.55 (IF=10A) 10 0.05 1.25 TO-220AB 2.0
YG975C6R 600 20 (Tc=89℃) 100 -40 to +150 1.55 (IF=10A) 10 0.05 1.75 TO-220F 1.7
PH975C6 600 20 (Tc=97℃)100 -40 to +150 1.55 (IF=10A) 10 0.05 1.5 TO-247 4.9
55
整流ダイオード/RectifierDiodes 4
デュアル 2 in one-package
()条件         ()Conditions
＊1 50Hz方形波 duty=1/2 ＊1 50Hz
Square wave duty=1/2
＊2 正弦波 10ms. ＊3 VR=VRRM ＊2 Sine wave, 10ms  ＊3 VR=VRRM
＊4IF=0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A ＊4IF=0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A
■
スーパー LLDIII( 連続モード PFC 回路用 )SuperLLDIII(ContinuousmodePFC)
型 式SMD 絶対最大定格 接合、保存温度 電気的特性(Ta=25℃) パッケージ 質 量
Device type 対応品 Maximum rating Thermal rating Characteristics Package Net
VRRM IO＊1IFSM＊2Tj and Tstg VFM IRRM＊3trr＊4
Rth (j-c)
mass
Volts Amps. Amps. ℃Max. Volts
Max.μA
μsec. ℃/W Grams
YA981S6R 600 8 (Tc=99℃)40 -40 to +150 3.0 (IF=8A) 25 0.026 2.5 TO-220AB 2.0
YG981S6R 600 8 (Tc=58℃)40 -40 to +150 3.0 (IF=8A) 25 0.026 4.5 TO-220F 1.7
YA982S6R 600 10 (Tc=99℃)50 -40 to +150 3.0 (IF=10A) 30 0.028 2.0 TO-220AB 2.0
YG982S6R 600 10 (Tc=60℃)50 -40 to +150 3.0 (IF=10A) 30 0.028 3.5 TO-220F 1.7
型 式SMD 絶対最大定格 接合、保存温度 電気的特性(Ta=25℃) パッケージ 質 量
Device type 対応品 Maximum rating Thermal rating Characteristics Package Net
VRRM IO＊1IFSM＊2Tj and Tstg VFM IRRM＊3trr＊4
Rth (j-c)
mass
Volts Amps. Amps. ℃Max. Volts
Max.μA
μsec. ℃/W Grams
YA982C6R 600 16 (Tc=88℃)40 -40 to +150 3.0 (IF=8A) 25 0.026 1.5 TO-220AB 2.0
TS982C6R SMD 600 16 (Tc=88℃)40 -40 to +150 3.0 (IF=8A) 25 0.026 1.5 T-pack(S) 1.6
YG982C6R 600 16 (Tc=68℃)40 -40 to +150 3.0 (IF=8A) 25 0.026 2 TO-220F 1.7
YA985C6R 600 20 (Tc=86℃)50 -40 to +150 3.0 (IF=10A) 30 0.028 1.25 TO-220AB 2.0
TS985C6R SMD 600 20 (Tc=86℃)50 -40 to +150 3.0 (IF=10A) 30 0.028 1.25 T-pack(S) 1.6
YG985C6R 600 20 (Tc=60℃)50 -40 to +150 3.0 (IF=10A) 30 0.028 1.75 TO-220F 1.7
PH985C6 600 20 (Tc=73℃)50 -40 to +150 3.0 (IF=10A) 30 0.028 1.5 TO-247 4.9
PG985C6R 600 20 (Tc=47℃)50 -40 to +150 3.0 (IF=10A) 30 0.028 2.0 TO-3PF 6.0
シングル 1 in one-package
()条件         ()Conditions
＊1 50Hz方形波 duty=1/2(センタータップ平均出力電流)
＊1 50Hz
Square wave duty 1/2
(Average forward current of centertap full wave connection)
＊2 正弦波 10ms. 1チップあたり ＊3 VR=VRRM 1チップあたり
＊2 Sine wave, 10ms per element ＊3 VR=VRRM per element
＊4 IF=0.1A. IR=0.2A. Irec=0.05A ＊4 IF=0.1A. IR=0.2A. Irec=0.05A
56
整流ダイオード/RectifierDiodes
4
デュアル 2 in one-package
■低損失超高速ダイオード Low-LossFastRecoveryDiodes(LLD)
シングル 1 in one-package
()条件         ()Conditions
＊1 50Hz方形波 duty=1/2 ＊1 50Hz
Square wave duty 1/2
＊2 正弦波 10ms. ＊3 IF=Io ＊4VR=VRRM ＊2 Sine wave, 10ms  ＊3 IF=Io ＊4 VR=VRRM
＊5 IF=0.1A. IR=0.2A. Irec=0.05A ＊5 IF=0.1A. IR=0.2A. Irec=0.05A
()条件         ()Conditions
＊1 50Hz方形波 duty=1/2 (センタータップ平均出力電流) ＊1 50Hz
Square wave duty=1/2
(Average forward current of centertap full wave connection)
＊2 正弦波 10ms. 1チップあたり ＊3 IF=0.5Io1チップあたり ＊2 Sine wave, 10ms per element  ＊3 IF=0.5Io per element
＊4VR=VRRM 1チップあたり ＊4 VR=VRRM per element
＊5IF=0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A ＊5 IF=0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A
型 式SMD 絶対最大定格 接合、保存温度 電気的特性(Ta=25℃) パッケージ 質 量
Device type 対応品 Maximum rating Thermal rating Characteristics Package Net
VRRM IO＊1IFSM＊2Tj and Tstg VFM＊3IRRM＊4trr＊5
Rth (j-c)
mass
Volts Amps. Amps. ℃Max. Volts
Max.μA
μsec. ℃/W Grams
KP926S2 200 5 (Tc=106℃)70 -40 to +150 0.95 100 0.035 10.0 K-pack(P) 0.6
KS926S2 SMD 200 5 (Tc=106℃)70 -40 to +150 0.95 100 0.035 10.0 K-pack(S) 0.6
YG911S2R 200 5 (Tc=134℃)50 -40 to +150 0.95 100 0.035 3.5 TO-220F 1.7
YG912S2R 200 10 (Tc=116℃)80 -40 to +150 0.98 200 0.035 3.5 TO-220F 1.7
YG911S3R 300 5 (Tc=128℃)40 -40 to +150 1.2 100 0.035 3.5 TO-220F 1.7
型 式SMD 絶対最大定格 接合、保存温度 電気的特性(Ta=25℃) パッケージ 質 量
Device type 対応品 Maximum rating Thermal rating Characteristics Package Net
VRRM IO＊1IFSM＊2Tj and Tstg VFM＊3IRRM＊4trr＊5
Rth (j-c)
mass
Volts Amps. Amps. ℃Max. Volts
Max.μA
μsec. ℃/W Grams
ERA91-02 200 0.5 (Ta=60°C) 10 -40 to +150 0.95 50 0.035 10.0 Lead-1 0.18
ERA92-02 200 1.0 (Ta=25°C) 25 -40 to +150 1.05 50 0.035 10.0 Lead-1 0.18
SC902-2 SMD 200 1.0 (Ta=25°C) 25 -40 to +150 1.05 50 0.035 15.0 SC 0.06
ERB91-02 200 1.0 (Ta=50°C) 20 -40 to +150 0.95 50 0.035 10.0 Lead-3 0.22
ERB93-02 200 1.5 (Ta=40°C) 25 -40 to +150 0.95 100 0.035 10.0 Lead-6 0.4
ERC91-02 200 3.0 (Ta=25°C) 50 -40 to +150 0.95 100 0.035 8.0 Lead-7 1.2
型 式SMD 絶対最大定格 接合、保存温度 電気的特性(Ta=25℃) パッケージ 質 量
Device type 対応品 Maximum rating Thermal rating Characteristics Package Net
VRRM IO＊1IFSM＊2Tj and Tstg VFM＊3IRRM＊4trr＊5
Rth (j-c)
mass
Volts Amps. Amps. ℃Max. Volts
Max.μA
μsec. ℃/W Grams
KP923C2 200 5 (Tc=103℃)50 -40 to +150 0.95 100 0.035 10.0 K-pack(P) 0.6
KS923C2 SMD 200 5 (Tc=103℃)50 -40 to +150 0.95 100 0.035 10.0 K-pack(S) 0.6
YG901C2R 200 5 (Tc=120℃)25 -40 to +150 0.95 100 0.035 5.0 TO-220F 1.7
YG902C2R 200 10 (Tc=115℃)50 -40 to +150 0.95 100 0.035 3.5 TO-220F 1.7
YG906C2R 200 20 (Tc=102℃)80 -40 to +150 0.98 200 0.035 2.5 TO-220F 1.7
MS906C2 SMD 200 20 (Tc=105℃)80 -40 to +150 0.98 200 0.035 2.0 TFP 0.8
YG901C3R 300 5 (Tc=105℃)25 -40 to +150 1.2 100 0.035 5.0 TO-220F 1.7
YG902C3R 300 10 (Tc=101℃)40 -40 to +150 1.2 100 0.035 3.5 TO-220F 1.7
YG906C3R 300 20 (Tc=109℃)80 -40 to +150 1.2 200 0.035 1.5 TO-220F 1.7
TS906C3R SMD 300 20 (Tc=123℃)80 -40 to +150 1.2 200 0.035 1.0 T-pack(S) 1.6
MS906C3 SMD 300 20 (Tc=95℃)80 -40 to +150 1.2 200 0.035 2.0 TFP 0.8
57
整流ダイオード/RectifierDiodes 4
シングル 1 in one-package
■低損失超高速低ノイズダイオード 
Low-LossFastSoftRecoveryDiodes(LLD)
()条件         ()Conditions
＊1 50Hz方形波 duty=1/2 ＊1 50Hz
Square wave duty=1/2
＊2 正弦波 10ms. ＊3 IF=Io＊4VR=VRRM ＊2 Sine wave, 10ms ＊3 IF=Io per element ＊4 VR=VRRM
＊5IF=0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A ＊5 IF=0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A
デュアル 2 in one-package
()条件         ()Conditions
＊1 50Hz方形波 duty=1/2 (センタータップ平均出力電流) ＊1 50Hz
Square wave duty=1/2
(Average forward current of centertap full wave connection)
＊2 正弦波 10ms. 1チップあたり ＊3 IF=0.5Io1チップあたり ＊2 Sine wave, 10ms per element  ＊3 IF=0.5Io per element
＊4VR=VRRM 1チップあたり ＊4 VR=VRRM per element
＊5IF=0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A ＊5 IF=0.1A, IR=0.2A, Irec=0.05A
型 式SMD 絶対最大定格 接合、保存温度 電気的特性(Ta=25℃) パッケージ 質 量
Device type 対応品 Maximum rating Thermal rating Characteristics(Ta=25℃) Package Net
VRRM IO＊1IFSM＊2Tj and Tstg VFM＊3IRRM＊4trr＊5
Rth (j-c)
mass
Volts Amps. Amps. ℃Max. Volts
Max.μA
μsec. ℃/W Grams
KS986S3 SMD 300 5 (Tc=128℃)90 -40 to +150 1.3 20 0.04 3.5 K-pack(S) 0.6
KS986S4 SMD 400 5 (Tc=125℃)80 -40 to +150 1.45 20 0.05 3.5 K-pack(S) 0.6
型 式SMD 絶対最大定格 接合、保存温度 電気的特性(Ta=25℃) パッケージ 質 量
Device type 対応品 Maximum rating Thermal rating Characteristics(Ta=25℃) Package Net
VRRM IO＊1IFSM＊2Tj and Tstg VFM＊3IRRM＊4trr＊5
Rth (j-c)
mass
Volts Amps. Amps. ℃Max. Volts
Max.μA
μsec. ℃/W Grams
YG982C3R 300 10 (Tc=112℃)90 -40 to +150 1.3 20 0.04 3 TO-220F 1.7
YA982C3R 300 10 (Tc=128℃)90 -40 to +150 1.3 20 0.04 1.75 TO-220AB 2.0
TS982C3R SMD 300 10 (Tc=128℃)90 -40 to +150 1.3 20 0.04 1.75 T-pack(S) 1.6
YG985C3R 300 20 (Tc=105℃)110 -40 to +150 1.3 35 0.04 1.75 TO-220F 1.7
YA985C3R 300 20 (Tc=118℃)110 -40 to +150 1.3 35 0.04 1.25 TO-220AB 2.0
TS985C3R SMD 300 20 (Tc=118℃)110 -40 to +150 1.3 35 0.04 1.25 T-pack(S) 1.6
MS985C3 SMD 300 20 (Tc=118℃)110 -40 to +150 1.3 35 0.04 1.25 TFP 0.8
PG985C3R 300 20 (Tc=73℃)110 -40 to +150 1.3 35 0.04 3 TO-3PF 6.0
YG982C4R 400 10 (Tc=107℃)80 -40 to +150 1.45 20 0.05 3 TO-220F 1.7
YA982C4R 400 10 (Tc=125℃)80 -40 to +150 1.45 20 0.05 1.75 TO-220AB 2.0
TS982C4R SMD 400 10 (Tc=125℃)80 - 40 to +150 1.45 20 0.05 1.75 T-pack(S) 1.6
YG985C4R 400 20 (Tc=100℃)100 -40 to +150 1.45 35 0.05 1.75 TO-220F 1.7
YA985C4R 400 20 (Tc=114℃)100 - 40 to +150 1.45 35 0.05 1.25 TO-220AB 2.0
TS985C4R SMD 400 20 (Tc=114℃)100 -40 to +150 1.45 35 0.05 1.25 T-pack(S) 1.6
MS985C4 SMD 400 20 (Tc=114℃)100 -40 to +150 1.45 35 0.05 1.25 TFP 0.8
PG985C4R 400 20 (Tc=64℃)100 -40 to +150 1.45 35 0.05 3 TO-3PF 6.0
58
整流ダイオード/RectifierDiodes
4
シングル / デュアル 1 in one-package/2 in one-package
■低損失超高速ダイオード Low-LossFastRecoveryDiodes(LLD)
()条件         ()Conditions
＊1 50Hz方形波 duty=1/2 (センタータップ平均出力電流) ＊1 50Hz
Square wave duty=1/2
(Average forward current of centertap full wave connection)
＊2 正弦波 10ms. 1チップあたり ＊3 1チップあたり ＊2 Sine wave, 10ms per element  ＊3 per element
＊4VR=VRRM 1チップあたり
＊5 IF=0.1A, IR=0.2A, Irec.=0.05A ＊4 VR=VRRM per element  ＊5 IF=0.1A, IR=0.2A, Irec.=0.05A
＊6 シングル品  ＊6 1 in one-package
シングル / デュアル 1 in one-package/2 in one-package
■ショットキーバリアダイオード Schottky-BarrierDiodes(SBD)
()条件         ()Conditions
＊1 50Hz方形波 duty=1/2 (センタータップ平均出力電流) ＊1 50Hz
Square wave duty=1/2
(Average forward current of centertap full wave connection)
＊2 正弦波 10ms. 1チップあたり ＊3 1チップあたり ＊2 Sine wave, 10ms per element  ＊3 per element
＊4VR=VRRM 1チップあたり
＊5 シングル 品 ＊4 VR=VRRM per element  ＊5 1 in one-package
型 式SMD 絶対最大定格 接合、保存温度 電気的特性(Ta=25℃) パッケージ 質 量
Device type 対応品 Maximum rating Thermal rating Characteristics Package Net
VRRM IO＊1IFSM＊2Tj and Tstg VFM＊3IRRM＊4
Rth (j-c)
mass
Volts Amps. Amps. ℃Max. Volts
Max.mA
℃/W Grams
ERC80-004R ＊540 5 (Tc=122℃)120 -40 to +150 0.55 (IF=5.0A) 5 5.0 TO-220AB 2.0
PA886C02R 20 30 (Tc=105℃)150 -40 to +125 0.4 (IF=12.5A) 50 1.2 TO-3P 5.5
ESAB82-004R 40 5 (Tc=126℃)100 -40 to +150 0.55 (IF=2.0A) 5 5.0 TO-220AB 2.0
TP802C04R 40 10 (Tc=116℃)120 -40 to +150 0.55 (IF=4.0A) 5 3.0 T-pack(P) 1.6
TS802C04R SMD 40 10 (Tc=116℃)120 -40 to +150 0.55 (IF=4.0A) 5 3.0 T-pack(S) 1.6
ESAC82-004R 40 10 (Tc=116℃)120 -40 to +150 0.55 (IF=4.0A) 5 3.0 TO-220AB 2.0
TS805C04R SMD 40 20 (Tc=110℃)120 -40 to +150 0.6 (IF=10A) 15 2.0 T-pack(S) 1.6
ESAC83-004R 40 20 (Tc=119℃)120 -40 to +150 0.55 (IF=8.0A) 15 1.5 TO-3P 5.5
ESAD83M-004RR 40 30 (Tc=105℃)150 -40 to +150 0.55 (IF=12.5A) 20 1.7 TO-3PF 6.0
ESAD83-004R 40 30 (Tc=118℃)150 -40 to +150 0.55 (IF=12.5A) 20 1.2 TO-3P 5.5
ESAC63-004R 45 20 (Tc=109℃)120 -40 to +150 0.6 (IF=10A) 15 2.0 TO-220AB 2.0
ESAC83M-006RR 60 20 (Tc=108℃)120 -40 to +150 0.58 (IF=8.0A) 15 2.5 TO-3PF 6.0
ESAC63-006R 60 20 (Tc=118℃)120 -40 to +150 0.58 (IF=8.0A) 15 2.0 TO-220AB 2.0
ESAD83M-006RR 60 30 (Tc=106℃)120 -40 to +150 0.58 (IF=12.5A) 20 1.7 TO-3PF 6.0
TS808C06R SMD 60 30 (Tc=115℃)120 -40 to +150 0.58 (IF=12.5A) 20 1.2 T-pack(S) 1.6
ESAD83-006R 60 30 (Tc=119℃)120 -40 to +150 0.58 (IF=12.5A) 20 1.2 TO-3P 5.5
TS802C09R SMD 90 10 (Tc=109℃)80 -40 to +150 0.9 (IF=4.0A) 5 3.0 T-pack(S) 1.6
ESAC85-009R 90 10 (Tc=109℃)80 -40 to +150 0.9 (IF=4.0A) 5 3.0 TO-220AB 2.0
ESAD85M-009RR 90 25 (Tc=105℃)100 -40 to +150 0.9 (IF=10A) 15 1.7 TO-3PF 6.0
ESAD85-009R 90 25 (Tc=118℃)100 -40 to +150 0.9 (IF=10A) 20 1.2 TO-3P 5.5
型 式SMD 絶対最大定格 接合、保存温度 電気的特性(Ta=25℃) パッケージ 質 量
Device type 対応品 Maximum rating Thermal rating Characteristics(Ta=25℃) Package Net
VRRM IO＊1IFSM＊2Tj and Tstg VFM＊3IRRM＊4trr＊5
Rth (j-c)
mass
Volts Amps. Amps. ℃Max. Volts
Max.μA
μsec. ℃/W Grams
ESAB92-02R 200 5 (Tc=120℃)25 -40 to +150 0.95 (IF=2.5A) 100 0.035 5.0 TO-220AB 2.0
TP901C2R 200 5 (Tc=120℃)25 -40 to +150 0.95 (IF=2.5A) 100 0.035 5.0 T-pack(P) 1.6
TP902C2R 200 10 (Tc=125℃)50 -40 to +150 0.95 (IF=5A) 100 0.035 2.5 T-pack(P) 1.6
TS902C2R SMD 200 10 (Tc=125℃)50 -40 to +150 0.95 (IF=5A) 100 0.035 2.5 T-pack(S) 1.6
ESAC92-02R 200 10 (Tc=125℃)50 -40 to +150 0.95 (IF=5A) 100 0.035 2.5 TO-220AB 2.0
ESAC93-02R 200 12 (Tc=123℃)60 -40 to +150 0.95 (IF=6A) 100 0.035 2.2 TO-3P 5.5
ESAC93M-02RR 200 12 (Tc=116℃)60 -40 to +150 0.95 (IF=6A) 100 0.035 2.7 TO-3PF 6.0
ESAD92M-02RR 200 20 (Tc=108℃)100 -40 to +150 0.95 (IF=10A) 200 0.04 2.0 TO-3PF 6.0
TP906C2R 200 20 (Tc=110℃)80 -40 to +150 0.98 (IF=10A) 200 0.035 2.0 T-pack(P) 1.6
TS906C2R SMD 200 20 (Tc=110℃)80 -40 to +150 0.98 (IF=10A) 200 0.035 2.0 T-pack(S) 1.6
ESAD92-02R 200 20 (Tc=115℃)100 -40 to +150 0.95 (IF=10A) 200 0.04 1.5 TO-3P 5.5
TP902C3R 300 10 (Tc=115℃)40 -40 to +150 1.2 (IF=5A) 100 0.035 2.5 T-pack(P) 1.6
TS902C3R SMD 300 10 (Tc=115℃)40 -40 to +150 1.2 (IF=5A) 100 0.035 2.5 T-pack(S) 1.6
ESAC93M-03RR 300 12 (Tc=104℃)50 -40 to +150 1.2 (IF=6A) 100 0.035 2.7 TO-3PF 6.0
ESAD92-03R 300 20 (Tc=110℃)80 -40 to +150 1.2 (IF=10A) 200 0.04 1.5 TO-3P 5.5
ESAD92M-03RR 300 20 (Tc=96℃)80 -40 to +150 1.2 (IF=10A) 200 0.04 2.0 TO-3PF 6.0
PA905C4R 400 20 (Tc=107℃)70 -40 to +150 1.5 (IF=10A) 500 0.05 1.5 TO-3P 5.5
PG905C4RR 400 20 (Tc=93℃)70 -40 to +150 1.5 (IF=10A) 500 0.05 2.0 TO-3PF 6.0
YG912S6RR ＊6600 10 (Tc=93℃)100 -40 to +150 1.7 (IF=10A) 100 0.05 3.5 TO-220F 1.7
PA905C6RR 600 20 (Tc=106℃)100 -40 to +150 1.7 (IF=10A) 100 0.05 1.2 TO-3P 5.5
59
整流ダイオード/RectifierDiodes 4
デュアル 2 in one-package
■低 IR 高速ダイオード Low-IRFastRecoveryDiodes
型 式SMD 絶対最大定格 接合、保存温度 電気的特性(Ta=25℃) パッケージ 質 量
Device type 対応品 Maximum rating Thermal rating Characteristics(Ta=25℃) Package Net
VRRM IO＊1IFSM＊2Tj and Tstg VFM＊3IRRM＊4trr＊5
Rth (j-c)
mass
Volts Amps. Amps. ℃Max. Volts
Max.μA
μsec. ℃/W Grams
FDLA20C20 200 20 (Tc=117℃)100 -40 to +150 0.98 (IF=10A) 20 0.045 1.75 TO-220F 1.7
FDLP20C20 200 20 (Tc=126℃)100 -40 to +150 0.98 (IF=10A) 20 0.045 1.25 TO-220AB 2.0
FDLC20C20 SMD 200 20 (Tc=126℃)100 -40 to +150 0.98 (IF=10A) 20 0.045 1.25 T-pack(S) 1.6
FDLH20C20 200 20 (Tc=122℃)100 -40 to +150 0.98 (IF=10A) 20 0.045 1.5 TO-3P(Q) 5.1
FDLR20C20 200 20 (Tc=112℃)100 -40 to +150 0.98 (IF=10A) 20 0.045 2.0 TO-3PF 6.0
()条件         ()Conditions
＊1 50Hz方形波 duty=1/2 (センタータップ平均出力電流) ＊1 50Hz
Square wave duty=1/2
(Average forward current of centertap full wave connection)
＊2 正弦波 10ms. 1チップあたり ＊3 1チップあたり ＊2 Sine wave, 10ms per element  ＊3 per element
＊4VR=VRRM 1チップあたり
＊5 IF=0.1A, IR=0.2A, Irec.=0.05A ＊4 VR=VRRM per element  ＊5 IF=0.1A, IR=0.2A, Irec.=0.05A
60
整流ダイオード/RectifierDiodes
4
シングル 1 in one-package
シングル 1 in one-package
デュアル 2 in one-package
デュアル 2 in one-package
■600V超高速ダイオード UltraFastRecoveryDiodes
■1200V低ノイズ高速ダイオード SoftRecoveryFastRecoveryDiodes
型 式SMD 絶対最大定格 接合、保存温度 電気的特性(Ta=25℃) パッケージ 質 量
Device type 対応品 Maximum rating Thermal rating Characteristics(Ta=25℃) Package Net
VRRM IO＊1IFSM＊2Tj and Tstg VFM＊3IRRM＊4trr＊5
Rth (j-c)
mass
Volts Amps. Amps. ℃
Max. Volts
Max.μAμsec. ℃/W Grams
FDRP15S60L 600 15 (Tc=98°C) 110 -40 to +150 2.6 250 0.031 1.6 TO-220AB 2.0
FDRW15S60L 600 15 (Tc=85°C) 110 -40 to +150 2.6 250 0.031 2.0 TO-247 4.9
FDRP25S60L 600 25 (Tc=86°C) 125 -40 to +150 2.6 250 0.033 1.2 TO-220AB 2.0
FDRW25S60L 600 25 (Tc=86°C) 125 -40 to +150 2.6 250 0.033 1.2 TO-247 4.9
FDRW35S60L 600 35 (Tc=91°C) 140 -40 to +150 2.6 250 0.036 0.8 TO-247 4.9
型 式SMD 絶対最大定格 接合、保存温度 電気的特性(Ta=25℃) パッケージ 質 量
Device type 対応品 Maximum rating Thermal rating Characteristics(Ta=25℃) Package Net
VRRM IO＊1IFSM＊2Tj and Tstg VFM＊3IRRM＊4trr＊5
Rth (j-c)
mass
Volts Amps. Amps. ℃
Max. Volts
Max.μAμsec. ℃/W Grams
FDRP12S120J 1200 12 (Tc=100°C) 100 -40 to +150 2.8 250 0.042 1.5 TO-220AB 2.0
FDRW12S120J 1200 12 (Tc=97°C) 100 -40 to +150 2.8 250 0.042 1.6 TO-247 4.9
FDRP20S120J 1200 20 (Tc=98°C) 120 -40 to +150 2.8 250 0.055 1.0 TO-220AB 2.0
FDRW20S120J 1200 20 (Tc=88°C) 120 -40 to +150 2.8 250 0.055 1.2 TO-247 4.9
FDRW30S120J 1200 30 (Tc=89°C) 150 -40 to +150 2.8 250 0.063 0.781 TO-247 4.9
型 式SMD 絶対最大定格 接合、保存温度 電気的特性(Ta=25℃) パッケージ 質 量
Device type 対応品 Maximum rating Thermal rating Characteristics(Ta=25℃) Package Net
VRRM IO＊1IFSM＊2Tj and Tstg VFM＊3IRRM＊4trr＊5
Rth (j-c)
mass
Volts Amps. Amps. ℃
Max. Volts
Max.μAμsec. ℃/W Grams
FDRW50C60L 600 50 (Tc=86°C) 125 -40 to +150 2.6 250 0.033 0.6 TO-247 4.9
FDRW70C60L 600 70 (Tc=91°C) 140 -40 to +150 2.6 250 0.036 0.4 TO-247 4.9
型 式SMD 絶対最大定格 接合、保存温度 電気的特性(Ta=25℃) パッケージ 質 量
Device type 対応品 Maximum rating Thermal rating Characteristics(Ta=25℃) Package Net
VRRM IO＊1IFSM＊2Tj and Tstg VFM＊3IRRM＊4trr＊5
Rth (j-c)
mass
Volts Amps. Amps. ℃
Max. Volts
Max.μAμsec. ℃/W Grams
FDRW40C120J 1200 40 (Tc=98°C) 120 -40 to +150 2.8 250 0.055 0.5 TO-247 4.9
FDRW60C120J 1200 60 (Tc=87°C) 150 -40 to +150 2.8 250 0.063 0.397 TO-247 4.9
( ) 条件         ( ) Conditions
＊1 50Hz方形波 duty=1/2 ＊1 50Hz Square wave duty=1/2
＊2 正弦波 10ms. 1 パルス ＊3 IF=Io ＊2 Sine wave, 10ms 1shot ＊3 IF=Io
＊4 VR=VRRM＊5 VR=30V, IF=0.1 Io, -di/dt=200A/us ＊4 VR=VRRM ＊5 VR=30V, IF=0.1 Io, -di/dt=200A/us
( ) 条件         ( ) Conditions
＊1 50Hz方形波 duty=1/2 ＊1 50Hz Square wave duty=1/2
＊2 正弦波 10ms. 1 パルス＊3 IF=Io ＊2 Sine wave, 10ms 1shot ＊3 IF=Io
＊4 VR=VRRM ＊5 VR=30V, IF=0.1 Io, -di/dt=200A/us ＊4 VR=VRRM ＊5 VR=30V, IF=0.1 Io, -di/dt=200A/us
( ) 条件         ( ) Conditions
＊1 50Hz方形波 duty=1/2 (センタータップ平均出力電流) ＊1 50Hz Square wave duty=1/2, Output Current of center tap full wave connection
＊2 正弦波 10ms. 1チップあたり＊3 IF=0.5 Io, 1チップあたり ＊2 Sine wave, 10ms 1shot, Rating per element ＊3 IF=0.5 Io, Rating per element
＊4 VR=VRRM 1チップあたり ＊4 VR=VRRM, Rating per element
＊5 VR=30V, IF=0.05 Io, -di/dt=200A/us, 1 チップあたり ＊5 VR=30V, IF=0.05 Io, -di/dt=200A/us, Rating per element
( ) 条件         ( ) Conditions
＊1 50Hz方形波 duty=1/2 (センタータップ平均出力電流) ＊1 50Hz Square wave duty=1/2, Output Current of center tap full wave connection
＊2 正弦波 10ms. 1チップあたり＊3 IF=0.5 Io, 1チップあたり ＊2 Sine wave, 10ms 1shot, Rating per element ＊3 IF=0.5 Io, Rating per element
＊4 VR=VRRM 1チップあたり ＊4 VR=VRRM, Rating per element
＊5 VR=30V, IF=0.05 Io, -di/dt=200A/us, 1 チップあたり ＊5 VR=30V, IF=0.05 Io, -di/dt=200A/us, Rating per element